177
б) увеличение числа слоев металлизации;
в) усовершенствованную схемотехнику меньшей каскадно-
сти и более плотную компоновку функциональных блоков кри-
сталла.
Все эти приемы ориентированы на снижение сопротивле-
ния в проводниках за счет уменьшения уровней питающих на-
пряжений, на сокращение длины проводников, что в конечном
итоге ведет к уменьшению рассеиваемой на кристалле мощно-
сти. Рассмотрим эти методы более конкретно.
А. Технологические проектные нормы при изготовлении
кристаллов микропроцессоров неуклонно снижаются, что по-
зволяет, в свою очередь, сократить диапазоны питающих на-
пряжений и тем самым увеличить тактовую частоту при опреде-
ленном уровне рассеиваемой мощности. Если у первых микро-
процессоров эти нормы равнялись 10 мкм, то на сегодняшний
день уже хорошо освоен процесс с нормами в 0,13 и 0,09 мкм.
Физическим пределом при существующих технологиях является
разрешение примерно в 0,05 мкм, что связано с длиной волны
света, так как в технологическом процессе используется лазер. В
то же время корпорация Intel анонсировала переход в 2011 г. на
технологический процесс с проектными нормами в 22 нм в со-
ответствии с имеющимися у нее научно-техническими разработ-
ками.
Б. Одним из путей уменьшения длины межсоединений на
кристалле является увеличение числа слоев металлизации.
В этом случае «вертикальное» расположение по отношению
друг к другу функциональных узлов схемы минимизирует пути
прохождения сигналов между ними. В современных микропро-
цессорах число слоев металлизации достигает шести. Это, в
свою очередь, приводит к увеличению сроков «выращивания»
кристалла микропроцессора, которые могут достигать 9–10 ме-
сяцев.
В. Существенную долю длительности такта занимает время
прохождения сигналов по проводникам внутри кристалла. По-
этому многие производители предпринимают специальные меры
по кластеризации обработки, призванные локализовать взаимо-