Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

Подождите немного. Документ загружается.

482

Предметный указатель 482

Полевая эмиссия, 96, 100

Полевые транзисторы, 239-310

- мощные, 264-266, 296, 302,

305-308

- псевдоморфные (рНЕМТ), 301

- с р-п-переходом, 240, 294,

303-308

- с МНОП-структурой, 293

- с МОП-структурой, 240,

249-266

- с барьером Шоттки, 240,

294-298

- с высокой подвижно-

стью электронов (НЕМТ),

298-303

- с изолированным затвором,

241, 249-266

- с плавающим затвором, 285

- со статической индукцией

(SIT), 305

Полупроводник

- a-Si:H, 422

- AgGaS

, 433

- AgGaSe

, 433

- AgInS2, 433

- AlAs, 88, 110, 118, 119, 380,

418, 433, 454, 462

- AIGaAs, 107, 108, 115, 120,

126, 153, 171, 299, 300, 334,

397, 398, 400, 401, 421, 433,

434, 436, 440. 451, 454, 455,

458

- AIGaN, 302, 409, 436

- AllnAs, 110, 171, 301, 302,

400, 454

- AllnGaP, 436

- AllnP, 400, 436, 454

- A1N, 462

- A1P. 433, 454, 462

- AlSb, 88. 116. 119, 171, 302,

433, 454, 462

- BP, 433

- C, 354, 462

-CdGeP

, 433

- CdP

, 433

- CdS, 87, 390, 414, 418, 421,

433, 442, 462

- CdSe, 83, 421, 433, 460, 462

- CdSiP

, 433

- CdTe, 334, 418, 422, 425, 433,

462

- Cu

0, 83, 418, 433

- CuAIS

, 433

- CuAlSe

, 433

- CuBr, 433

- CuCl, 433

- CuGaS

, 433

- CuGaSe

, 433

- CuInS

, 433

- CuInSe

, 422

- GaAlAsSb, 437

- GaAlSb, 454

- GaAs, 25, 32, 44-46, 48, 57,

69, 70, 77-80, 86-88, 96, 98,

100, 102, 104, 106-108, 110,

114, 115, 119, 120, 126, 139,

153, 171, 175, 192, 199, 214,

234, 235, 240, 262, 295, 299,

300, 302, 308, 309, 325, 327,

334, 335, 337, 338, 340, 34 U

343, 346, 349, 361, 364-367,

379. 396-398, 400, 401, 409,

414, 416, 418. 419. 421, 425,

428, 431, 433, 437, 438, 440.

446, 448, 449, 451, 454, 455,

458, 460, 462

- GaAsP, 334, 433-435, 438.

454

- GaAsSb, 48. 110, 171, 334, 454

- GalnSb, 334, 454

- GaMnAs. 74

- GaMnN, 74

- GaMnP, 74

- GaN, 102, 107, 302, 308, 334,

346, 409, 433, 436, 441, 454,

462

- GaN As, 454

- GaP, 45, 48, 86-88, 409, 418,

428, 433-435, 438, 454, 462

- GaS, 433

Предметный указатель

483

- GaSb, 77, 88, 110, 334, 437,

454, 462

- GaSe, 433

-Ge, 25, 27, 39, 44, 45, 48,

51, 58, 64, 70, 72, 76-81,

86, 88, 101, 102, 104, 106,

107, 110, 141, 143, 145, 146,

191, 197, 230, 327, 334, 355,

364, 393-395, 409, 414, 418,

423-428, 460, 462

- HgCdTe, 327, 391, 393, 409,

414

- Hgl

, 425

- InAs, 87, 110, 116, 118, 119,

171, 176, 262, 302, 327, 334,

393, 396, 414, 437, 454, 460,

462

- InAsP, 334, 454

-InGaAs, 48, 102, 110, 118,

153, 171, 172, 176, 262, 301,

302, 334, 361, 380, 400, 408,

409, 418, 437, 454

-InGaAsP, 110, 400, 409, 437,

447, 454

- InGaN, 436, 442

-InGaP, 110, 153, 171, 400,

418, 433, 436, 454

-InP, 48, 88, 102, 110, 118, 153,

171, 172, 192, 199, 262, 296,

301, 302, 334, 335, 338, 340,

346, 353, 361, 366, 400, 408,

418, 433, 447, 454, 462

- InSb, 69, 88, 327, 334, 393,

396, 405, 409, 414, 431, 454,

462

- PbS, 83, 327, 393, 462

- PbSe, 393, 403, 462

- PbSnTe, 110, 327, 393

- PbSnTeSe, 454

- PbSSe, 437

- PbTe, 327, 462

- Se, 83, 414

- Si, 25, 32, 40, 44, 45, 47, 48,

51, 54, 70, 75, 83, 85-89, 94,

98-102, 107, 110, 120, 126,

132, 138, 143, 146, 147, 152,

1С*

153, 155, 161, 167, 191, 197,

198, 203, 230, 231, 254, 262,

263, 269, 272, 282, 308, 309,

325, 326, 361, 365, 367, 376,

392-395, 409, 414, 416, 418,

419, 426-428, 460, 462

- SiC, 48, 88, 231, 296, 308, 365,

409, 428, 433, 436, 462

- SiGe, 120, 153, 173, 214, 263

- SiGeC, 110

- Sn0

, 324, 433

- ZnCdSe, 436

- ZnGeP

, 433

- ZnO, 433, 462

- ZnP

, 433

- ZnS, 433, 442, 462

- ZnSe, 110, 334, 433, 455, 460,

462

- ZnSiAs

, 433

- ZnSiP

, 433

- ZnTe, 433, 462

- ZnTeSe, 436

- вырожденный, 64, 96

- магнитный, 73

- непрямозонный, 70, 428, 430,

433, 434, 454, 462

- органический, 443

- прямозонный, 66, 69, 70, 412,

422, 428, 433, 436, 454, 462

Послеинжекционная ЭДС, 129

Потенциальный барьер, 11, 19,

55, 83, 84, 95, 104, 107, 112,

115

Предельная частота

- варикапа, 125

- полевого транзистора, 260

Приближение плавного канала,

250, 297

Приборы с зарядовой связью, см.

ПЗС

Примесная зона, 71, 394

Пробой

- вторичный, 58, 163, 164

- лавинный, 45, 57, 160, 217.

230, 285, 355, 356, 364

- поверхностный, 54, 228

484

Предметный указатель 484

— примесный, 45, 394, 396

— тепловой, 57, 163

—

туннельный, 55, 59, 65, 258,

366, 378

Прокол, 62, 160, 162, 217, 368

Пролетная частота, 348-351,

353, 377

Процесс SIMOX, 282

Псевдоморфные структуры, 109,

118, 173, 301

Работа выхода, 84, 85, 99, 104,

241

Радиационная стойкость, 139,

209, 282, 420, 421

Радиационные дефекты, 29, 74,

132, 139, 199, 269, 283, 420,

421, 426

Разгонка примеси, 198, 204

Режим

—

TRAPATT, 376

— инверсии, 242

— насыщения, 188, 252

— обеднения, 242, 315

— обогащения, 242

— отсечки, 188

— плоских зон, 241

Резонансно-туннельные диоды,

115-120, 379

Резонансное туннелирование,

115

Рекомбинация

— Оже, 39, 152, 222, 391, 426

—

безызлучательная, 428

— излучательная, 428

— поверхностная, 26, 184, 385,

388, 392, 407, 420

— темп, 22

— формула Шокли-Рида-Холла,

Рентгеновская литография, 195

СВЧ приборы, 332, 380

Самосовмещение, 207, 273

Сверхрешетки, 102, 110-121,

263, 397-399, 412, 454, 458

—

nipi, 113

Светодиоды, 432-445

Селективное травление, 209, 265

Сечение захвата, 28, 137, 138,

435

Силициды, 85, 99, 153, 176

Симисторы, 236-238

Скорость

— насыщения, 167, 171, 174,

253, 261, 262, 295, 343, 349,

356, 365, 372, 378, 408

— поверхностной рекомбинации,

26, 101, 184, 388

Солнечные элементы, 414-422

— каскадные, 417

Соотношение Эйнштейна, 24,

43, 340

Сопротивление

— контактное, 100, 102

— растекания, 80, 98

Спектроскопия

— DLTS, 135-139

— емкостная, 123

— молекулярная, 332

— туннельная, 73

Спонтанное излучение, 445

Стабилитроны, 58-62, 368

Сток, 249

Структуры

— BiCMOS, 214, 284

— МНОП, 293

— кремний-на-изоляторе (SOI),

201

— кремний-на-изоляторе (КНИ),

282

— кремний-на-сапфире (КНС),

282

Схемы включения транзисторов,

177

Температура шума, 186, 309

Тепловой пробой, 57, 163

Тепловой шум, 182, 308, 401

Теплопроводность, 192, 231, 302,

364, 365

Термополевая эмиссия, 95, 97,

118, 398

Термоэлектронная эмиссия, 89,

175, 371, 444

Предметный указатель

485

Тиристоры, 39, 43, 215-238

— запираемые, 222, 224, 233,

267

— с закороченным катодом, 227

— симисторы, 236-238

— фототиристоры, 234

Ток

— генерационный, 29

— избыточный, 74-76, 117

— насыщения, 24, 32, 48, 92, 95,

152

— обратный коллектора, 160,

161, 178, 219, 220

— ограниченный пространствен-

ным зарядом, 38

— подпороговый, 256, 257, 277,

283

— рекомбинационный, 30, 31,

189

— смещения, 339, 357

— удержания, 221, 233

Транзисторы

— BSIT, 307

— DHBT, 171

-НВТ, 170-177, 214

— НЕМТ, 119, 296, 298-303

— IGBT, 266

—

RHET, 176

— SIT, 305

—

баллистические, 174

—

биполярные, 140-214

— гетеропереходные, 107, 108,

153, 170-177, 187, 214

—

диффузионно-сплавные, 146

— дрейфовые, 145, 150, 154, 167

— многоколлекторные, 209

— многоэмиттерные, 209

— мощные, 147, 157, 158, 163

— на горячих электронах, 174

— плоскостные, 143, 145, 158

— полевые, см. Полевые транзи-

сторы

— псевдоморфные (рНЕМТ), 301

— с меза-структурой, 148

— с металлической базой, 176

—

с проницаемой базой, 307

— с туннельным эмиттером, 153

— со статической индукцией,

305

— сплавные, 101, 145

— точечные, 141, 198

— униполярные, 295

— фототранзисторы, 409

— эпитаксиальные, 147, 157, 170

Трансмутационное легирование,

230

Триаки, 236

Тринисторы, 216

Туннелирование, 17, 55, 63, 73,

81, 94, 95, 109, 184, 254, 285,

288, 366, 398, 444

— резонансное, 115

— с участием примесей, 72

— с участием фононов, 70, 117

Туннельная спектроскопия, 73

Туннельно-пролетные диоды,

378

Туннельное магнетосопротивле-

ние, 73

Туннельные диоды. 62-81, 117,

133

Туннельный пробой, 55, 59, 65,

258, 366, 378

Увлечение электронов фотонами,

405

Ударная ионизация, 45, 60, 62,

152, 220, 341, 355, 358, 361,

378, 397, 411, 449

— коэффициент, см. Коэффици-

ент ударной ионизации

Уравнение

— Пуассона, 14, 18. 52, 53, 89,

105. 162. 229. 243. 339. 342,

396

— Шрёдингера, 111

— непрерывности, 22, 23, 37,

127, 134, 149, 342, 358, 385,

407

Уровни прилипания, 390, 391,

426

Уровни размерного квантования,

111, 120, 397

Ю, 94, 371

онейтральности, 22, 34,

427

ения, 416

ности, 31, 36, 94

229

шум, 182, 248, 309, 401

<ять, 195, 289-294

>92

\ спектр, 71

геские, 71

:кие, 60, 71, 167, 384

ы, 405-414

lie, слг Лавинные фо-

-рафия, 192-195, 271,

шум, 401, 403

яники

1-397

[20, 397-401

димость, 382

т, 193, 196, 202

торы, 384-401

тивления, 384-401

горы, 234

чсгоры, 409

ия, 92, 287, 326, 401

отности состояний,

:ечки

{ого транзистора,

, 177, 206

— генерационио-рекомбинз!

183, 402

— дробовой, 77, 182, 308,

401

— избыточный, 182, 309, 411

— лавинного умножения, 411

— переноса в ПЗС, 330

— поверхностный, 183, 330

— тепловой, 182, 308, 401

— фликкер-шум, 182, 248, 309,

401

— фотонный, 401, 403

Шум-фактор, 77, 186, 302, 411

Шумы

— в ПЗС, 320, 330

— в биполярных транзисторах,

182-187

— в гетеропереходных транзи-

сторах, 187

— в диодах Ганна, 348

— в инжекционно-пролетных ди-

одах, 375

— в лавинно-пролетных диодах,

361

— в полевых транзисторах, 308

— в стабилитронах, 62

— в туннельных диодах, 77

— в фотодиодах, 408

— в фотоприемниках, 401

ЭДС Дембера, 405

Эквивалентная мощность шума

(NEP), 402, 409

Эквивалентная схема

— МОП-конденсатора, 246

— полевого транзистора, 259

— тиристора, 218, 227

— транзистора, 180

— туннельного диода, 80

— шумов транзистора, 184

Предметный указатель

487

Электронное сродство, 84, 104,

106

Эмиссия

— полевая, 96, 100

—

термополевая, 95, 97, 118, 398

— термоэлектронная, 89, 175,

371, 444

Эмиттер, 141

— коэффициент инжекции, 150,

153, 155, 173

Энергетическое разрешение,

425, 427

Эффект

— Ганна, 335

— Кирка, 157, 169

— Пула-Френкеля, 29

— Шоттки, 93, 370

-Эрли, 158, 181

— всплеска скорости, 262

— защелкивания, 268, 281, 282

— квантовомеханического отра-

жения, 176

—

кулоновской блокады, 291

— модуляции длины канала, 255

— модуляции проводимости, 33,

42, 43, 184

— насыщения скорости дрейфа,

167, 253

— оттеснения эмиттерного тока,

158

— поля, 239

— сужения запрещенной зоны,

151, 401

— туннельный, 62

— фотовольтаический, 405

— фотоэлектромагнитный, 405

Эффективность переноса в ПЗС,

314

Явление

—

доменной неустойчивости,

341

— прилипания носителей, 390,

39!

— самоорганизации, 458, 459

— сверхинжекции, 108

Учебное издание

ЛЕБЕДЕВ Александр Иванович

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Редактор М.Б. Козинцова

Оригинал-макет: Т.Н. Савицкая

Оформление переплета: Н.В. Гришина

Подписано в печать 02.07.08, Формат 60x90/16. Бумага офсетная.

Печать офсетная. Усл. печ. л. 30,5. Уч.-изд. л. 33,5. Тираж 700 экз.

Заказ №3607.

Издательская фирма «Физико-математическая литература»

МАИК «Наука/Интерпериодика»

117997, Москва, ул. Профсоюзная, 90

E-mail: fizmat@maik,ru, fmisale@maik.ru;

http://www, (mi.ru

Отпечатано с готовых диапозитивов

в ОАО «Ивановская областная типография»

153008, г. Иваново, ул. Типографская, б

E-mail: 091-018@admlnet.lvanovo.ru

ISBN 978-5-9221-0995-6