Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов
Подождите немного. Документ загружается.
462
Приложение
Таблица 2. Некоторые физические свойства полупроводников,
используемых при производстве полупроводниковых приборов
(Т = 300 К) [306]
Материал
fl, CM
2
/B-c
Е
Парам, решетки,
эВ*
Pn
я
А
Полупроводники с решеткой типа алмаза
С
5,47 (0
2800 2100
5,7 3,567
Si
1,12(0 1450
500 11.7 5,431
Ge
0,661 (0 3900
1900
16,2 5,658
Полупроводники с решеткой сфалерита
GaAs
1,424 (d) 9200 400
13,2
5,653
InAs
0,354 (d)
33000
450 15,1
6,058
AlAs
2,15(0 280 200
10,1
5,660
GaP
2,27 (0
160
140
11,1
5,451
InP
1
>34 {d)
5000
150
12,5
5,869
AIP 2,45 (0
—
—
9,8
5,464
AlSb
1,61(0
900
400
12,0
6,136
GaSb
0,726 {d) 2500
680 15,7
6,096
InSb
0,17 (d) 77000
850 16,8
6,479
ZnS
3,68 (d) 165
10-15 8.1
5,410
ZnSe
2,70 (d)
600 30
9,1
5,668
ZnTe
2,28 {d) 330 100
9,7-10,1
6,104
CdTe
1,49 (d)
1050
60
10,4
6,481
Полупроводники с решеткой вюрцита
GaN
3,39 (d)
440 200 (9,5, 10,4)
(3,189, 5,178)
A1N
6,2 {d)
300 14
8,5-9,1
(3,112, 4,982)
SiC (4H)
3,23 (0
850 120
—
(3,073, 10,053)
SiC (6H)
2,86 (0 400
100 (9,7, 10,0)
(3,081, 15,117)
CdS
2,55 (d) 330
50
(8,7, 9,5)
(4,137, 6,716)
CdSe 1.75(d)
900 50
(9,3, 10,2)
(4,300, 7,011)
ZnO
3.36(d)
150
(7,8, 8,8)
(3,250, 5,207)
Полупроводники с решеткой каменной соли
PbS 0.41(d)
600
700 170
5,936
PbSe
0,29 (d) 1000
1000 250
6,124
РЫе
0,32 (d) 1700
840 400
6,460
*Символ в скобках означает: d — прямозонный, i — непрямозонный полу-
проводник.
Список литературы
1. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников.
Изд. 2-е. - М.: Наука, 1990. - 688 с.
2. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. — М.:
Наука, 1965. - 448 с.
3. Shockley W. // Bell Syst. Techn. J. 1949. V. 28. P. 435.
4. Shockley W., Read W. T. // Phys. Rev. 1952. V. 87, P. 835.
5. Hall R.N. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 387.
6. Sah СЛ., Noyce R.N.. Shockley W. // Proc. IRE. 1957. V. 45.
P. 1228.
7. Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов. — Томск:
Изд-во НТЛ, 2000. - 426 с.
8. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю.
Токи двойной инжекции в полупроводниках. — М.: Сов. радио,
1978. - 320 с.
9.
Стафеев
В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. С. 1631.
10. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.
Пер, с англ, — М.: Мир, 1977. — 564 с.
11. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов.
Пер. с англ, — Л.: Энергоатом и здат, 1986. — 248 с.
12.
Davies L. W.
// Nature. 1962. V. 194, № 4830. P. 762.
13. Hall R.N. // Proc. IRE. 1952. V.40. 1512.
14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х томах. 2-е изд.
Пер. с англ. — М.: Мир, 1984.
15. Pearsall Т.P., Capasso F., Nahory R.E. et al. // Solid-State Elec-
tron. 1978. V. 21. P. 297.
16.Lee C.A., Logan R.A., Batdorf R.L. et al. // Phys. Rev. A 1964.
V. 134. P. 761.
17. Shockley W. // Czech. J. Phys. 1961. V. Bll. P.81.
18. Baraff G.A. // Phys. Rev. 1962. V. 128. P. 2507.
19. Miller S.L. 11 Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 1234.
20. McKay K.
G.
// Phys. Rev. 1954. V. 94. P. 877.
21. Miller S.L. // Phys. Rev. 1957. V. 105. P. 1246.
22. Chynoweth A.
G.,
McKay K. G. // Phys. Rev. 1956. V. 102. P. 369.
23. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивист-
ская теория. — М.: Наука, 1989. — 768 с.
24. Chynoweth A.
G.,
McKay К.
G.
Ц Phys. Rev. 1957. V. 106. P. 418.
25. Zener С. // Proc. Roy. Soc. (London), A 1934. V. 145. P. 523.
464
Список литературы
26. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. В 3-х тт. Пер. с
англ. - М.: Мир, 1993.
27. Esaki L. // Phys. Rev. 1958. V. 109, P. 603.
28. Fowler R. H., Nordheim L. I I Proc. Roy, Soc. (London). A 1928.
V. 119. P. 173.
29. Houston W. V. // Phys. Rev. 1940. V. 57. P. 184.
30. Келдыш Л.В. // ЖЭТФ. 1957. Т. 33. С. 994.
31. Price P.J., Radcliffe J.M. // IBM J. Res. Develop. 1959. V. 3. P. 364.
32. Kane E.O. // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V. 12. P. 181.
33. Kane E. O. // J. Appl. Phys. 1961, V. 32. P. 83.
34. Иванчик И. И. // ФТТ. 1961. Т. 3. С. 103.
35. Бонч-Бруевич В. Д., Серебренников П.
С.
// Радиотехн. и элек-
трон. 1961. Т. 6. С. 2041.
36. Серебренников П.
С.
// Радиотехн. и электрон, 1962. V. 7. Р. 536,
37. Бонч-Бруевич B.JI., Серебренников П.
С.
// Радиотехн. и элек-
трон. 1963, Т. 8. С, 1002.
38. Туннельные диоды и их применение в схемах переключения
и в устройствах СВЧ диапазона / Пер, с англ. (под ред.
А. А.Визеля). — М.: Сов. радио, 1965. — 184 с.
39. Ансельм A.M. Введение в теорию полупроводников. — М.: Наука,
1978. - 616 с.
40. Туннельные явления в твердых телах / (Сб. под ред. Э. Бурштейна
и С. Лундквиста). Пер. с англ. — М.: Мир, 1973. — 421 с.
41. Brockhouse B.N., Iyengar Р.К. // Phys. Rev. 1958. V. 111. P. 747.
42. Holonyak N.. Lesk I.A., Hall R.N. et al. // Phys. Rev. Lett. 1959.
V. 3. P. 167.
43. Moodera IS., Kinder L.R., Wong T.M., Meservey R. 11 Phys. Rev.
Lett. 1995. V. 74. P. 3273.
44. Pearton S.l,
Overberg
M.E., Thaler G. T. et al. 11 Phys. Stat. Solidi
(a). 2003. V. 195. P. 222.
45. lansen R. // J. Phys. D. 2003. V. 36. R289.
46. Yajima Т., Esaki L. // J. Phys. Soc. Jap. 1958. V. 13. P. 1281.
47. Chynoweth A G., Feldmann W.L., Logan R.A. // Phys. Rev. 1961.
V. 121. P. 684.
48. Туннельные диоды (физические основы работы). — М.: Наука,
1966. - 142 с.
49. Ван дер Зил А. Шум. Источники, описание, измерение. Пер. с
англ. — М.: Сов. радио, 1973. — 229 с.
50. Burrus
С.
А. Ц J. Appl. Phys. 1961, V. 32. P. 1031.
51. Kartovsky I // Solid-State Electron. 1967. V. 10. P. 1109.
52. Handbook on Semiconductors. Vol. 4. / Device Physics (ed. by
C.Hilsum). - North-Holland Publishing Co., 1981. - 970 p.
53. Braun F. // Ann. Phys. Chem. 1874. V. 153. P. 556.
54. Schottky W. U Naturwiss. 1938. V. 26. P. 843.
55. Mott N.
F.
I I Proc. Cambr. PhiJos. Soc. 1938. V. 34. P. 568.
465 Список литературы
56. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер. с англ. —
М.: Радио и связь, 1982. — 208 с.
57. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупро-
водник. Пер. с англ. — М.: Мир, 1975. — 432 с.
58. Технология СБИС. / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. В 2-х кн. — М.:
Мир, 1986.
59. Bardeen J. // Phys. Rev. 1947. V. 71. P. 717.
60. Гамм И: // ЖЭТФ. 1933. Т. 3. Р. 34.
61. Benzer S. // Phys. Rev. 1947. V. 71. P. 141.
62. Де Грааф X. Использование поликристаллического кремния в
технологии изготовления интегральных схем. В сб.: Поликристал-
лические полупроводники. Физические свойства и применения /
Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. — М.: Мир. 1989. — 244 с.
63. Shockley W. И Phys. Rev. 1939. V. 56. P. 317.
64. Bethe H.A. // MIT Radiat. Lab. Report. 1942. 43-12.
65. Давыдов Б. // ЖЭТФ. 1939. V.9. P. 451.
66. Heine V. // Phys. Rev. 1965. V. 138. A1689.
67. Crowell C.R., Sze S.M. // Solid-State Electron. 1966. V.9. P. 1035.
68. Padovani F.A., Stratton R. // Solid-State Electron. 1966. V. 9.
P. 695.
69. Шур M. С. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер.
с англ. - М.: Мир, 1991. - 632 с.
70. Stall RWood С.Е.С., Board К., Eastman L.F. // Electron. Lett.
1979. V. 15. P. 800.
71. Shockley W. - US Patent 2,569,347 (1951), приоритет от 26 июня
1948 г.
72.
Губанов А.И. // ЖТФ. 1950. Т.
20.
С. 1287; ЖТФ. 1951. Т.21.
С. 304; ЖТФ. 1952. Т. 22. С. 729.
73. Иоффе А.В. Ц ЖТФ. 1948. Т. 18. № 1 С.498.
74. Крёмер Г. Критический обзор теории гетеропереходов. В сб.:
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред.
Л.Ченга и К.Плога. Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — 274 с.
75. Harrison W.A., Kraut Е.А.,
Waldrop
J.R., Grant R. W. // Phys. Rev.
B. 1978. V. 18. P. 4402.
76. Kroemer H. // Proc. IRE. 1957. V.45. P. 1535.
77.
Воробьев JI. E.,
Ивченко Е.Л.,
Фирсов
Д. А., Шалыгин В. А. Оп-
тические свойства наноструктур. — СПб.: Наука, 2001. — 188 с.
78. Андронов А.А., Нефедов ИМ., Соснин А.В. Ц ФТП. 2003. Т. 37.
C.378.
79. Келдыш Л. В. // ФТТ. 1962. Т. 4. С. 2265.
80. Шик А.Я. И ФТП. 1974. Т. 8. С. 1841.
81. Силин А.
П.
// УФН. 1985. Т. 147.
С.
485.
82. Esaki L., Tsu R. Ц IBM J. Res. Develop. 1970. V. 14. P. 61.
83. Херман M. — Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. —
М.: Мир, 1989. - 240 с.
466 Список литературы
84. Ю П., Кардана М. Основы физики полупроводников. — М.: Физ-
матлит, 2002. - 560 с.
85. Pfeiffer L., West К. W., Stormer
Н.
L., Baldwin К. W. // Appl. Phys.
Lett. 1989. V. 55. P. 1888.
86. Dingle R., Stormer H.L., Gossard A.C., Wiegmann W. 11 Appl.
Phys. Lett. 1978. V.33. P. 665.
87. Шур M.C. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х томах.
Пер. с англ. — М.: Мир, 1992.
88.
Пожела
Ю. Физика быстродействующих транзисторов. — Виль-
нюс: Мокслас, 1989. — 264 с.
89. Davis R.H., Hosack Н.Н. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. Pt. 1. P. 864.
90. Иогансен Л.В. // ЖЭТФ. 1963. Т. 45. С. 207; ЖЭТФ. 1964. Т. 47.
С. 270.
91. Бом Д. Квантовая теория. Пер. с англ. — М.: Физматлит, 1961. —
728 с.
92. Tsu R., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. P. 562.
93. Sollner T.C.L.G., Goodhue W.D., Tannenwald P.E. et al. // Appl.
Phys. Lett. 1983. V. 43. P. 588.
94. Brown E.R., Soderstrom J R., Parker C D. el al. // Appl. Phys. Lett.
1991. V. 58. P. 2291.
95. Broekaert T.P.E., Lee W., Fonstad C.G. // Appl. Phys. Lett. 1988.
V. 53. P. 1545.
96. Brown E.R., Sollner T.C.L.G., Parker C.D. et al. 11 Appl. Phys.
Lett. 1989. V. 55. P. 1777.
97. Chin R., Holonyak N., Stillman G.E. et al. // Electron. Lett. 1980.
V. 16. P. 467.
98. Берман Л.
С.
Введение в физику варикапов. — JT.: Наука, 1968. —
180 с.
99. Chattopadhyay G., Schlecht Е., Ward IS. et al. // IEEE Trans.
Microwave Theory Techn. 2004. V. 52. P. 1538.
100. Kollberg E., Rydberg А. // Electron. Lett. 1989. V. 25. P. 1696,
101 .Milique X, Maestrini A., Lheurette E. et at. 11 IEEE-MTT Int.
Microwave Symposium (Anaheim, 1999).
102. Носов
Ю.
P. Физические основы работы полупроводникового диода
в импульсном режиме. — М.: Наука, 1968. — 263 с.
103. Еремин С.А., Мокеев O.K., Носов Ю.Р. Полупроводниковые ди-
оды с накоплением заряда и их применение. — М.: Сов. радио,
1966, - 152 с.
104. Moll J.L., Krakauer S.
t
Shen R. // Proc. IRE. 1962. V. 50. P. 43.
105. Рожков А.В., Козлов В. A. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 1477.
106. Williams R. // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 3411.
107. Lang D. V. 11 J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 3023.
108. Вавилов В.
С.,
Кекелидзе
Н.
П., Смирнов Л.
С.
Действие излучений
на полупроводники. — М.: Наука, 1988, — 192 с.
467 Список литературы
109. Bardeen J., Brattain W.H. // Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 230; Brat-
tain W.H., Bardeen J. // Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 231; Bardeen J.,
Brattain W.H. - US Patent 2524035 (1950), приоритет от 17 июня
1948 г.
110. Shockley W., Sparks M, Teal G.K. // Phys. Rev. 1951. V. 83.
P. 151.
111. Lanyon
H.
P. D., Tuft R. A. // IEEE Trans. Electron Devices. 1979.
V. ED-26. P. 1014.
112. Cazarre A., Tasselli
J.,
Marty A. et al. // Electron. Lett. 1985. V. 21.
P. 1124.
113. Early
J.
M. U Proc. IRE. 1952. V.40. P. 1401.
114. Schafft HA. // Proc. IEEE. 1967. V. 55. P. 1272.
115
.Daw A.N., MitraR.N., Choudhury N.K.D. //Solid-State Electron.
1967. V. 10. P. 359.
116. Knepper R.
W.,
Gaur S.P., Chang F.-Y., Srinivasan G.R. // IBM J.
Res. Develop. 1985. V.29. P. 218.
117. Kirk С. T. // IRE Trans. Electron Devices. 1962. V. ED-9. P. 164.
Ш. Hafez W., Lai J.-W., Feng M. // IEEE Electron Device Lett. 2003.
V. 24. P. 436.
119. Hafez W., Feng M. 11 Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 152101.
120. Hafez W., Lai J.-W., Feng M. // IEEE Electron Device Lett. 2003.
V. 24. P. 292.
121. Dvorak M.W., Bolognesi C.R., Pitts O.J., Watkins S.P. // IEEE
Electron Device Lett. 2001. V. 22. P. 361.
122. Lee Q. - Ph.D, Thesis, Univ. of California, Santa Barbara, June
1999.
123. Chen Y.K., Levi A.F.L, Nottenburg R.N. et al. // Appl. Phys. Lett.
1989. V. 55. P. 1789.
124. Martin D.D., Stratton R. // Solid-State Electron. 1966. V. 9. P. 237.
125. Rieh J.S., Jagannathan В., Chen H., Schonenberg K.T. et al. //
IEDM Tech. Digest. 2002. P. 771.
126. Dunn IS., Ahlgren D.C., DvCoolbaugh D. et al. // IBM J. Res.
Develop. 2003. V. 47. P. 101.
127.
Борблик
В. Л.,
Грибников З.С. // ФТП. Т. 22. С. 1537.
128. Heiblum М., Flschetti М. V. // IBM J. Res. Develop. 1990. V. 34.
P. 530.
129. Mead C.A. 11 Proc. IRE. 1960. V. 48. P. 359.
130. Heiblum M., Anderson I.M., Knoedler C.M. 11 Appl. Phys. Lett.
1986, V. 49. P. 207.
131. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Пер. с
нем, - М.: Мир, 1983. - 512 с.
132. Васильев Д. В., Витолъ М.Р., Горшенков Ю.Г. и др. Радиотехни-
ческие цепи и сигналы, — М.: Радио и связь, 1982. — 528 с.
133. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. Пер, с
англ. - М.: Мир, 1986. - 398 с.
468
Список литературы
134. Van Vliet К.М. // Proc. IRE. 1958. V.46. P. 1004.
135. Ржаное А. В. Электронные процессы на поверхности полупровод-
ников. — М.: Наука, 1971. — 480 с.
136. Аналоговые и цифровые интегральные схемы / Под ред.
С.В.Якубовского. — М.: Сов. радио, 1979. — 336с.
137. Kilby J.S. - US Patent 3,138,743 (1964), приоритет от 6 февраля
1959 г.
138. Noyce R.N. - US Patent 2,981,877 (1961), приооитет от 30 июля
1959 г.
139. Моро У. Микролитография. В 2-х ч. Пер с англ. — М.: Мир, 1990.
140. Shaw J.M., Gelorme J.D., LaBianca N.C. et al. // IBM J. Res.
Develop. 1997. V.41. P. 81.
141. Сугано Т., Икома Т., Такэцси Ё. Введение в микроэлектронику.
Пер. с яп. - М.: Мир, 1988. 320с.
142. Березин А.С., Мочалкина
О.
Р. Технология и конструирование
интегральных микросхем. — М.: Радио и связь, 1983. — 232 с.
143. Пичугин
И.
Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых при-
боров. — М.: Высшая школа, 1984. — 288 с.
144. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. Пер. с нем. М., Наука,
1983, 360 с.
145. Ohl R. - US Patent 2,750,541 (1956), приоритет от 31 января
1950 г.; Ohl R. // Bell Syst, Techn. J. 1952. V.31. P. 104.
146. Бредов M.M., Комарова Р.Ф., Регель A. P. // ДАН СССР. 1954.
Т. 99. С 69.
147. Cussins W.D. // Proc. Phys. Soc. 1955. V. B68. P. 213.
148. Shockley W. - US Patent 2,787,564 (1957), приоритет от 28 октяб-
ря 1954 г.
149. Alvager Т., Hansen N.J. 11 Rev. Sci. Instrum. 1962. V. 33. P. 567.
150. Гусев B.M., Титов
В. В.,
Гусева М.И., Куринный
В. И.
// ФТТ.
1965. Т. 7. С. 2077.
151. King W.J., Burrill J. Т., Harrison S. et al. // Nucl. Instr. Methods.
1965. V. 38. P. 178.
152.
Двуреченский А.
В.,
Качурин Г. А., Нидаев E.B., Смирнов
Jl. С.
Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. — М.: Наука,
1982. - 208 с.
153. Conrad J.R., Radtke J.L., Dodd R.A. et al. 11 J. Appl. Phys. 1987,
V. 62. P. 4591.
154. Chu P.K. // Ptasma Phys. Control. Fusion. 2003. V. 45. P. 555.
155. Случинская
И.
А. Основы материаловедения и технологии полу-
проводников. - М.: МИФИ, 2002. - 378 с.
156. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших ин-
тегральных схем. Пер. с англ. — М.: Мир, 1991. — 328 с,
157. Шагурин
И.
И., Петросянц К.
О.
Проектирование цифровых мик-
росхем на элементах инжекционной логики. — М.: Радио и связь,
1984. - 231 с.
469 Список литературы
158. Washio К., Kondo М., Ohue Е. et al. //
I
EDM Tech. Digest. 1999.
P. 557.
159. Moll J.L., Tanenbaum M., Goldey J.M., Holonyak N. 11 Proc. IRE.
1956. V. 44. P. 1174.
160. Блихер А. Физика тиристоров. Пер. с англ. — Л.: Энергоиздат,
1981. - 264 с.
161. Евсеев
Ю.
А. Полупроводниковые приборы для мощных высоко-
вольтных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978. —
192 с.
162. Герлах В. Тиристоры. Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1985. —
327 с.
163. Воронин
П.
А. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, ха-
рактеристики, применение. — М.: Додэка-ХХ1, 2001. — 384 с.
164. Aldrich R. W.
r
Holonyak N. // J. Appl. Phys. 1959. V. 30. P. 1819.
165. Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Под
ред. Л.С. Смирнова. — Новосибирск: Наука, 1981. — 182 с.
166. Cleland /. W., Lark-Horovitz К., Pigg J.
С.
// Phys. Rev. 1950. V. 78.
P. 814.
167. Gentry F.E., Scace R.I., Flowers J.K. Ц Proc. IEEE. 1965. V. 53.
P. 355.
168. Lilienfeld
J.
E. - US Patent 1,745,175 (1930), приоритет от 8 октяб-
ря 1926 г.; Lilienfeld IE. - US Patent 1,900,018 (1933), приоритет
от 28 марта 1928 г.
169. Shockley W., Pearson G.L. // Phys. Rev. 1948. V. 74. P. 232.
170. Kahng D., Alalia M.M. // Solid-State Device Research Conf., Pitts-
burg, June 1960; Kahng D. - US Patent 3,102,230 (1963), приори-
тет от 31 мая 1960 г.; Alalia M.M. - US Patent 3,056,888 (1962),
приоритет от 17 августа 1960 г.
171. Dacey G.C., Ross LM. Ц Proc. IRE. 1953. V.41. P.970.
172. Mead C.A. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 307.
173. Lee K., Choi J.-S., Sim 5.-P., Kim C.-K. // IEEE Trans. Electron
Devices. 1991. V. ED-38. P. 1905.
174. Thompson S., Packan P., Bohr M. // Intel Technology J. 1998. № 3.
P. 1.
175. Buchanan D.A. // IBM J. Res. Develop. 1999. V. 43. P. 245.
176. Lucovsky G. Ц IBM J. Res. Develop. 1999. V. 43. P. 301.
177. Gusev E.P., Lu
H.-C.,
,Garfunkel E.L. et al. // IBM J. Res. Develop.
1999. V. 43. P. 265.
178. Kang L., Lee B.H., Qi W.-J.. et al. // IEEE Electron Device Lett.
2000. V. 21. P. 181.
179. Doyle В., Arghavani R., Barlage D. et al. // Intel Technology J.
2002. V. 6, № 2. P. 42.
180. Thompson S., Alavi M.
f
Hussein M. et al. // Intel Technology J.
2002. V. 6, № 2. P. 5.
181. Taur Y. 11 IBM J. Res. Develop. 2002. V. 46. P. 213.
470
Список литературы
182. Ruch J.G. И IEEE Trans. Electron Devices. 1972. V. ED-19. P. 652.
183. Abstreiter G., Brugger H., Wolf T. et al. // Phys. Rev. Lett. 1985.
V. 54. P. 2441.
184. Ismail K, Nelson S.F., Chu J. 0., Meyerson B.S. // Appl. Phys. Lett.
1993. V.63. P. 660.
185. Rim K., Hoyt J.L., Gibbons IF. // IEEE Trans. Electron Devices.
2000. V. ED-47. P. 1406.
186. Lochtefeld A., Djomehri /./., Samudra G., Antoniadls D.A. // IBM
J. Res, Develop. 2002, V. 46. P. 347.
187. Dennard R.H. - US Patent 3,387,286 (1968), приоритет от 14 июля
1967 г.
188. AdlerE„ DeBrosse J.К., GeisslerS.F. et al. // IBM J, Res. Develop.
1995. V. 39. P. 167.
189. Mandelman
J. A.,
Dennard R.H., Bronner G.B. et al // IBM J. Res.
Develop. 2002. V, 46. P. 187.
190. Wanlass F.M. - US Patent 3,356,858 (1967), приоритет от 18 июня
1963 г,
191. Izumi К., Doken М., Ariyoski И. // Electron. Lett. 1978. V. 14.
P. 593,
192. Shahidi G.G. // IBM J. Res. Develop. 2002. V. 46. P. 121.
193. Ning Т.Н. Ц IBM J. Res. Develop. 2002. V.46. P. 181.
194. Kahng D., Sze S.M. 11 Bell Syst. Techn. J. 1967. V.46. P. 1288;
Kahng D. - US Patent 3,500,142 (1970), приоритет от 5 июня
1967 г.
195. Frohman-Bentchkowsky D. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. P. 332;
Solid-State Electron. 1974. V. 17. P. 517.
196. Bez R., Camerlenghi E., Modelli A., Visconti A. // Proc. IEEE.
2003. V. 91. P. 489.
197. Masuoka F., Asano M., Iwahashi H., Komuro T. // IEDM Techn.
Digest. 1984. P. 464.
198. deBlauwe J. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2002. V. 1, P. 72.
199. Tiwari S., Rana F., Hanafi H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V, 68.
P. 1377.
200. Dimitrakis P., Kapetanakis E., Tsoukalas D. et al. // Solid-State
Electron. 2004, V. 48. P. 1511.
201. Banks G.J. // US Patent 5,218,569 (1993), приоритет от 8 февраля
1991 г.
202. R. Wegener H.A., Lincoln A.
J.,
Pao H.C. et al. // IEDM-1967,
Abstracts, p. 58; R. Wegener H.A. - US Patent 3,590,337 (1971),
приоритет от 14 октября 1968 г.; Frohman-Bentchkowsky D. Ц
Proc, IEEE, 1970. V, 58. P. 1207.
203. Kahng D., Sundburg W.J., Boutin D.M., Ligenza J.R. 11 Bell Syst.
Techn. J. 1974. V. 53, P. 1723.
204. Shockley W. 11 Proc. IRE. 1952. V. 40. P. 1365.
205. Hooper W. W., Lehrer W.l. 11 Proc. IEEE. 1967, V. 55, P. 1237.
471 Список литературы
206. Mimura Т., Hiyamizu S., Fujii Т., Nanbu К. // Jap. J. Appl. Phys.
1980. V. 19. L225.
207. Skealy J.R., Kaper V., Tilak V. et al. // J. Phys.: Condens. Matter.
2002. V. 14. P. 3499.
208. Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K. et al. // IEEE Electron
Device Letters. 2002. V. 23. P. 573.
209. Zeng A., Jackson M.K., van
Hove
M., DeRaedt W. // Appl. Phys.
Lett. 1995. V. 67. P. 262.
210. ZuleegR., Hinkle V.O. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. 1245; TesznerS.,
Gicquel R. Ц Proc. IEEE. 1964. V. 52. 1502; Nishizawa J., Terasa-
ki Т., Shibata J. 11 IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. ED-22.
P. 185.
211. Bozler C.O., Alley G.D. // Proc. IEEE. 1982. V, 70. P. 46.
212. Секен К., Томпсет M. Приборы с переносом заряда. Пер. с ан-
гл. - М.: Мир, 1978. - 327 с.
213. Носов Ю.Р., Шилин В. А. Полупроводниковые приборы с зарядо-
вой связью. М., Сов. радио, 1976, 144 с; Носов Ю.Р., Шилин В.А.
Основы физики работы приборов с зарядовой связью. — М.: Нау-
ка, 1986. - 318 с.
214. Boyle W.S., Smith G.E. // Bell Syst. Techn. J. 1970. V. 49. P. 587.
215. Boyle W.S., Smith G.E. - US Patent 3,792,322 (1974), приоритет
от 19 апреля 1973 г.
216. Барб Д.Ф., Кэмпана С. — В сб.: Достижения в технике передачи
и воспроизведения изображений. Т. 3. Под ред. Б.Кейзана. Пер.
с англ. - М.: Мир, 1980. - С. 180-305.
217. Пресс
Ф. П.
Фоточувствительные приборы с зарядовой связью. —
М.: Радио и связь, 1991. — 264 с.
218. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. —
М.: Сов. радио, 1975. - 288 с.
219. Ridley В.К., Watkins Т.В. // Proc. Phys. Soc. 1961. V. 78. P. 293.
220. Hilsum C. // Proc. IRE. 1962. V. 50. P. 185.
221. Gunn J.B. 11 Solid State Commun. 1963. V. 1. P. 88; Gunn J.B. //
IBM J. Res. Develop. 1964. V. 8. P. 141; Gunn J.B. - US Patent
3,365,583 (1968), приоритет от 12 июня 1964 г.
222. Kroemer Н. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. P. 1736.
223. Alekseev E., Pavlidis D. 11 Solid-State Electron. 2000. V. 44. P. 941.
224. HauserJ.R., Glisson Т.Н., Littlejohn M.A. // Solid-State Electron.
1979. V. 22. P. 487.
225. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин
И.
П., Миронов А.
Г.
Доменная элек-
трическая неустойчивость в полупроводниках. — М.: Наука,
1972. - 414 с.
226. Copeland
J.
А. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 1479; Copeland
J.
A. //
J. Appl. Phys. 1967. V. 38. P. 3096.
227. Eisele H. // Electron. Lett. 1998. V.34. P. 2412.
228. Llewellyn F.B., Bowen A.E. // Bell Syst. Techn. J. 1939. V. 18.
P. 280.