Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов
Подождите немного. Документ загружается.
472
Список литературы
229.Shockley W. // Bell Syst. Techn. J. 1954. V.33. P. 799; Shock-
ley W. - US Patent 2,794,917 (1957), приоритет от 27 января
1953 г.
230. Read W. Т. - US Patent 2,899,652 (1959), приоритет от 24 июня
1954 г.; Read W. Т. 11 Bell Syst. Techn. J. 1958. V. 37. P. 401.
231. Тагер А.
С.,
Вальд-Перлов B.M. Лавинно-пролетные диоды и их
применение в технике СВЧ. — М.: Сов. радио, 1968. - 480 с.
232. Тагер А.С., Мельников A.M., Кобельков Г.П., Цебиев A.M. —
Диплом на открытие № 24, приоритет от 27 октября 1959 г.
233. Gilden M.
t
Hines М.Е. // IEEE Trans. Electron Devices. 1966
V. ED-13. P. 169.
234. Misawa T. // IEEE Trans. Electron Devices. 1966. V. ED-13. P. 137.
235. Misawa T. // IEEE Trans. Electron Devices. 1967. V. ED-14. P. 795.
236. Mishra J.K., Panda A.K., Dash G.N. // IEEE Trans, Electron De-
vices. 1997. V. ED-44. P. 2143,
237. Scharfetter D.L., Gummel H.K, // IEEE Trans. Electron Devices.
1969. V. ED-16. P. 64.
238. Seidel Т.Е. - US Patent 3,466,512 (1969), приоритет от 29 мая
1967 г.
239. Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды. Физика, техноло-
гия, применение. - М.: Радио и связь, 1997. - 208 с.
240. Vassilevski К. V., Zorenko А. V., Zekentes К. // Electron. Lett. 2001.
V. 37. P. 466.
241. Yuan L., Cooper J.A., Melloch M.R., Webb K.J. 11 IEEE Electron
Device Lett. 2001. V. 22. P. 266.
242. Culshaw B. // Electron. Lett., V. 10. P. 143 (1974).
243. Ino M., Jshibashi Т., Ohmori M. Ц Electron. Lett. 1976. V. 12.
P. 148.
244. Riiegg H. W. // IEEE Trans. Electron Devices. 1968. V. ED-15.
P. 577.
245. Wright G. Т. // Electron. Lett. 1968. V. 4. P. 543.
246. Coleman D.J., Sze S.M. // Bell Syst. Techn. J. 1971. V. 50. P. 1695.
247. Sze S.M., Coleman D.J., Loya A. // Solid-State Electron. 1971.
V. 14. P. 1209.
248. Chu J.L., Persky G., Sze S.M. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 3510.
249. Weller K.P. // RCA Review. 1971. V. 32. P. 372.
250. Sjolund A. // Solid-State Electron. 1973. V. 16. P. 559.
251. Prager
H. J.,
Chang К. K. N..
Weisbrod
S. // Proc. IEEE. 1967. V. 55.
P. 586.
252. Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах. — М.: Мир,
1972. - 382 с.
253. Аладинский В.К. // ФТП. 1968. Т. 2. С. 617.
254. Nishizawa J., Okabe Т., Okamoto К. - US Patent 3,602,840 (1971),
приоритет от 31 июля 1969 г.
473 Список литературы
255. Nishizawa J., Motoya К. - US Patent 4,745,374 (1988), приоритет
от 17 июня 1986 г.
256. Gribnikov Z.S., Vagidov N.Z., Mitin V. V., Haddad G.I. // J. Appl.
Phys. 2003. V. 93. P. 5435.
257., HvEisele. Haddad G.I // IEEE Trans. Microwave Theory Techn.
1995. V. 43. P. 210.
258. Plotka P., Nishizawa J., Kurabayashi Т., Makabe H. // IEEE Trans.
Electron Devices. 2003. V. 50. P. 867.
259. Kesan V.P., Neikirk D.P., Blakey
P.
A. et al. 11 IEEE Trans. Elec-
tron Devices. 1988. V. 35. P. 405.
260. Javalagi S., Reddy V., Gullapalli K., Neikirk D. // Electron, Lett.
1992. V. 28. P. 1699.
261. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектрони-
ка. Пер. с англ. — М.: Мир, 1976, — 432 с.
262. Хадсон Р. Инфракрасные системы. Пер. с англ. — М.: Мир,
1972. - 536 с.
263. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. Пер. с
нем. - М.: Мир, 1980, - 208 с.
264. Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics.
Vol. 98. Contributiobs by R.Dornhaus, G. Nimtz, B.Schllcht. -
Springer Verlag, Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo, 1983. -
309 p.
265. Kazanskii A.G., Richards P.L., Halter E.E. // Appl. Phys. Lett.
1977. V.31. P. 496.
266. Petrolf M.D., Stapelbroek M.G. - US Patent 4,568,960 (1986),
приоритет от 23 октября 1980 г.
267. Watson DM., Guptill M. Т., Huffman J.E. et al. 11 J. Appl. Phys.
1993. V. 74. P. 4199.
268. Cardozo B.L., Haller E.E., Reichertz L.A., Beeman J. W. // Appl.
Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 3990.
269. Haller E.E., Beeman J. W. 11 Proc. FIR, Submm, and mm Detector
Technology Workshop (Monterey, Apr. 2002), NASA/CP-211408.
2003. paper 2-06.
270. Petroff M.D., Stapelbroek M.G., Kleinhans W.A. // Appl. Phys.
Lett. 1987. V. 51. P. 406.
271. Levine B.F. // J. Appl. Phys. 1993 V. 74. №8, Rl.
272. Coon D.D., Karunasiri R.P.G. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45
P. 649.
273. Levine B.F., Bethea C.G., ChoiK.K. at al. //Appl. Phys. Lett. 1988
V. 53. P. 231.
274. Levine B.F., Bethea C.G., Hasnain G. et al. // Appl. Phys. Lett
1988. V. 53. P, 296,
275. Gunapala S.D., LevineB.F., ChandN.// J. Appl. Phys. 1991. V 70
P. 305.
474
Список литературы
276. Воробьев Л. Е., Данилов
С.
И., Зегря
Г. Г.
и др. Фотоэлектрические
явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах. -
СПб.: Наука, 2001. - 248 с.
277. Berryman K.W., Lyon S.A., Segev М. // Appl. Phys. Lett. 1997.
V. 70. P. 1861.
278. Liu Н С. // Opto-Electron. Rev. 2003. V. II. № 1.
279. Ryzhii V. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 759.
280. Bandara S. V., Gunapala S.D., Liu J.K. et al. 11 Appl. Phys. Letl.
1998. V. 72. P. 2427.
281. Mii Y.J., Karunasiri R.P.G., Wang K.L. et al. 11 Appl. Phys. Lett.
1990. V. 56. P. 1986.
282. Perera A.G. U., Shen W.Z., Matsik S.G. et al. // Appl. Phys. Lett.
1998. V. 72. P. 1596.
283. Perera A.G. U., Matsik S.G., Liu H.C. et al. 11 Appl. Phys. Lett.
2000. V. 77. P. 741.
284. Ehret S., Schneider H., Fleissner J., Koidl P. 11 Appl. Phys. Lett.
1997. V. 71. P. 641.
285. Perera A.
G.
V., Yuan
H.
X.,
Francombe
M.
H.
// J. Appl. Phys. 1995.
V. 77. P. 915.
286. Perera A.G. V., Matsik S.
G.,
Yaldiz B. et al. I I Appl. Phys. Lett.
2001. V. 78. P. 2241.
287. Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материа-
лы. Пер. с англ. — М.: Мир, 1981. — 736 с.
288. Kato К. // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 1999. V. 47.
P. 1265.
289. Campbell J.C., Demiguel S., Ma F. et al. 11 IEEE J. on Selected
Topics in Quantum Electronics. 2004. V. 10. P. 777.
290. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреоб-
разователи. — M.: Сов. радио, 1971. — 246 с.
291. Chapin D.M., Fuller C.S., Pearson G.L. // J. Appl. Phys. 1954.
V. 25. P. 676.
292. Reynolds D.C., Leies G., Antes L.L., Marburger R.E. 11 Phys. Rev.
1954. V. 96. P. 533.
293. Алфёров Ж.И., Андреев B.M., Румянцев В.Д. // ФТП. 2004.
Т. 38. С. 937.
294. Green М.А., Emery К., King D.L. et al. // Progr. in Photovoltaics:
Res. and Appl. 2003. V. 11. P. 347.
295. Pietruszko S.M. 11 Opto-Electron. Rev. 2004. V. 12, №7.
296. Вавилов В.
С.,
Крюкова
И. В.,
Чукичев
М. В.
// ФТТ. 1964. Т. 6.
С.2634.
297. Barnham К, Marques J.L., Hassard J., O'Brien P. // Appl. Phys.
Lett. 2000. V. 76. P. 1197.
298. M.van Sark W.G.J.
H.,
Meijerink A.,
Schropp
R.E.
I.
etal. // ФТП.
2004. T. 38. C. 1000.
299. Momm H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических
веществах. Изд. 2-е. В 2-х тт. Пер. с англ. — М.: Мир, 1982.
475 Список литературы
300. Pell Е.М. // J. Appl. Phys. 1960. V. 31. P. 291.
301. Акимов Ю.К., Игнатьев О.В., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф.
Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. —
М.: Энергоатомиздат, 1989. — 344 с.
302. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с ан-
гл. - М.: Мир, 1973. - 456 с.
303. van Roosbroeck W., Shockley W. // Phys. Rev. 1954. V. 94. P. 1558.
304. Берг А., Дин П. Светодиоды. Пер. с англ. — М.: Мир, 1979. —
688 с.
305. Data in Science and Technology. Semiconductors other than group
IV elements and III-V compounds. — Springer Verlag, Berlin, 1992.
306. Landolt-Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in
Science and Technology. New Series. Group III. Vol. 22a. — Springer
Verlag, Berlin, 1987.
307. Streubel K., Under N.. Wirth R., Jaeger A. 11 IEEE J. on Selected
Topics in Quantum Electronics. 2002. V. 8. P. 321.
308. Krames M.R.,
Ochiai-Holcomb
M., Hofler G.E. et al. 11 Appl. Phys.
Lett. 1999. V. 75. P. 2365.
309. Narukawa J., Narita J., Sakamoto T. et al. // Jap. J. Appl. Phys.
2006. V. 45. L1084.
310. Eason D.B., Yu Z., Hughes W.C. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995.
V. 66. P. 115.
311. Алфёров Ж.
И.,
Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. // Письма в
ЖТФ. 1977. Т.З. С. 657.
312. Mueller-Mach RMueller G O., Krames M.R., Trottier Т. // IEEE
J. on Selected Topics in Quantum Electronics. 2002. V. 8. P. 339.
313. Tang C. W., VanSlyke S.A. // Appi. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 913.
314.
Юрре
Т.А., Рудая ЛИ, Климова Н.В., Шаманин В В. // ФТП.
2003. Т. 37. С. 835.
315. Adachi С., Baldo М. A., Thompson М.Е., Forrest S.R. 11 J. Appl.
Phys. 2001. V. 90. P. 5048.
316. Baldo M.A., Lamansky S., Burrows P.E. et al. // Appl. Phys. Lett.
1999. V. 75. P. 4.
317. Einstein A. // Phys. Zs. 1917. V. 18. P. 121.
318. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. 11 ЖЭТФ. 1959. Т. 37. С. 587;
Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. // УФН. I960. Т. 72.
С. 161; Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. // ЖЭТФ. 1961.
Т. 40. С. 1879.
319. Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D. et al. // Phys. Rev. Lett.
1962. V. 9. P. 366.
320. Nathan M. I., Dumke
W.
P., Burns
G.
et al. // Appl. Phys. Lett. 1962.
V. 1. P. 62.
321. Quisi T.M., Rediker R.H., Keyes R.J. et al. // Appl. Phys. Lett.
1962. V. 1. P. 91.
322. Елисеев
П. Г.
11 Квантов, электрон. 2002. Т. 32. С. 1085.
476
Список литературы
323. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. — М.:
Наука, 1983. - 294 с.
324. Lasher G., Stern F. // Phys. Rev. 1964. V. A133. P. 553.
325. Алфёров Ж. И., Казаринов Р.Ф, - Авт. свид. № 181737 (1975),
приоритет от 30 марта 1963 г.
326. К roe те г И. // Proc. IEEE. 1963. V. 51. P. 1782.
327. Кейси XПаниш М. Лазеры на гетероструктурах. В 2-х тт. Пер.
с англ. — М.: Мир, 1981,
328. Алфёров Ж. И., Андреев В, М., ГарбузовД.З. и др. // ФТП. 1970.
Т. 4. С. 1826,
329. Hayashi I., Panish М.В„ Foy P. W., Sumski S. // Appl. Phys. Lett.
1970. V, 17. P. 109,
330. Lockwood H.F., Kressel H., Sommers H.S., Hawrylo F.Z. // Appl.
Phys. Lett. 1970. V. 17, P. 499; Kressel H., Lockwood H.F., Hawry-
lo F.Z. //Appl, Phys, Lett, 1971. V. 18. P. 43.
331. Dupuis R.D., Dapkus P.D., Holonyak N. et al. // Appl. Phys. Lett.
1978. V. 32. P. 295.
332. Wang C.A.,
Walpole
J.N., Missaggia L.J. et al. // Appl. Phys. Lett.
1991. V. 58. P. 2208.
333. Faist J., Capasso F., Sivco D.L. et al. // Science. 1994. V. 264.
P. 553.
334. Soda H., Iga K., Kitahara C., Suematsu Y. Ц Jap. J. Appl. Phys.
1979. V. 18. P. 2329.
335. Yang G.M., MacDougal M.H., Dapkus P.D. // Electron. Lett. 1995.
V. 31. P. 886.
336. Yang Y.J., Dziura T.G., Wang S.
C.
// Appl. Phys. Lett. 1990. V, 56.
P. 1839.
337. Yan C., Ning Y„ Qin L. et al. // Electron. Lett. 2004. V. 40. P. 872.
338. Асрян Л. В., Сурис P. A. 11 ФТП. 2004. Т. 38. №3.
339. Arakawa Y, Sakaki H. // Appl, Phys, Lett, 1982. V.40. P. 939.
340. Kapon £., Hwang D.M., Bhat R. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 63.
P. 430.
341. Chou S. Т., Cheng K. Y„ Chou L.J., Hsieh K.C. // Appl. Phys. Lett.
1995. V. 66. P. 2220.
342. Goldstein L., Glas F., Marzin J. Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985,
V. 47. P. 1099.
343. Leonard D., Krishnamurthy M., Reaves C.M. et al. 11 Appl. Phys,
Lett. 1993. V.63, P. 3203.
344. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Bimberg D. // Phys,
Rev. Lett. 1995, V. 75. P. 2968.
345. Леденцов H.H.,
Устинов
B.M., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998.
Т. 32. С. 385.
346. Леденцов Н.Н.,
Устинов
В.М., Егоров А.Ю. и др. // ФТП, 1994.
Т. 28. С. 1483.
477 Список литературы
347. Kirstaedter N.. Ledentsov N.N., Grundmann M. et al. // Electron.
Lett. 1994. V. 30. P. 1416.
348. Алфёров
Ж. И.,
Бимберг Д., Егоров А.Ю. и др. // УФН. 1995.
Т. 165. С. 224.
349. Вандышев Ю.В., Днепровский B.C., Климов В.И., Окоро-
ков Д. К. U Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 54. С. 441.
350. Eliseev P.G., Li H.
r
Stintz A. et al. 11 Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77.
P. 262.
351. Максимов M.B., Шерняков Ю.М.,
Крыжановская
H.B. и др. //
ФТП. 2004. Т. 38. С. 763.
352. Ckatten A.J., Barnham К. W.J., Buxton B.F. et al. I! ФТП. 2004.
T. 38. C. 949.
353. Якимов А.
И.,
Двуреченский А.
В.,
Кириенко
В. В.
и др. // ФТП.
2004. Т. 38. С. 1265.
354. Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 963.
355. Wong H.-S.P // IBM J. Res. Develop. 2002. V.46. P. 133.
356. Osburn C.M., Kim I., Han S.K. et al. // IBM J. Res. Develop. 2002.
V. 46. P. 299.
I
Предметный указатель
i
^-фотопроводимость, 383
^-параметры транзистора,
179-181
р-п-переход
— плавный, 17, 123
— резкий, 15, 122
— сверхрезкий, 125
В1В-фотоприемники, 394
DLTS-спектроскопия, 135-139
HIWIP-фотоприемники, 401
IGBT, 266
MODFET, 299
QWIP-фотоприемники, 397
Амбиполярная диффузия, 23
— коэффициент, 23, 36, 43
Амбиполярный дрейф, 23
База
—
диода, 16, 33, 60
—
транзистора, 141, 151, 154,
168, 176
Баллистический перенос, 174,
262, 378
Барьер Шоттки, 54, 83, 85, 86,
89, 95, 99, 123, 189, 240, 294,
296, 299, 300, 308, 318, 326,
368, 405, 408, 414, 424
— высота, 85-89, 93, 102, 300
— емкость, 123
— определение высоты, 92
Барьерная емкость, 106, 119,
121-124, 136, 167, 226, 408,
413
Биполярные транзисторы,
140-214
— с изолированным затвором
(IGBT), 266
Болометры, 382
— диодов, 132
— диодов Ганна, 345
—
диодов Шоттки, 92, 97
— лавинно-пролетных диодов,
366
— лавинных фотодиодов, 410
— резонансно-туннельных дио-
дов, 118
— светодиодов, 430
— тиристоров, 231
— транзисторов, 114, 145, 165,
171, 174, 188, 260, 261
—
туннельно-пролетных диодов,
378
— туннельных диодов, 79, 118,
133
— фотодиодов, 408
— фоторезисторов, 391, 400
Варакторы, 125, 135
— HBV, 126
Варизонные структуры, 102,
107, 108, 170, 173, 264
Варикапы, 125, 350
Вольт-ваттовая чувствитель-
ность, 389, 398
Время жизни, 21, 22, 28, 39, 83,
129, 132, 135, 152, 183, 189,
222, 233, 382, 388, 390, 391,
398, 403, 420
— излучательное, 430
—
определение, 128, 130
— фотопроводимости, 391
Время пролета, 38, 48, 167,
261
г
390, 408
Время релаксации
— импульса, 21, 117, 118, 262
-энергии, 21, 262, 336, 345,
346, 366, 384
Предметный указатель
479
Встроенный заряд в окисле, 54,
228, 241, 246, 247, 269, 270,
272
Встроенный потенциал, 13, 89,
297
Вторичный пробой, 58, 163, 164
Вынужденное излучение, 446
Высота барьера Шоттки, 85-89,
93, 102, 300
Генерационно-рекомбинационный
шум, 183, 402
Гетеропереходы, 83, 102-110,
126, 152, 153, 156, 170, 298,
300, 302, 361, 364, 401, 437,
440, 443, 449
Глубокие уровни, 28, 29, 36, 74,
132, 135, 189, 223, 314, 391
Горячие носители, 47, 120, 174,
176, 258, 285-288, 293, 336
Дебаевская длина экранирова-
ния, 16, 40, 152
Деградация
— ЛИЗМОП-структур, 287
— МОП-транзисторов, 248
— барьеров Шоттки, 88
— контактов, 103, 206
— светодиодов, 436
— солнечных элементов, 420,
422
— тиристоров, 235
— туннельных диодов, 78
— ячеек РПЗУ, 288
Детекторы ядерных излучений,
423-428
Динисторы, 216
Диоды
— QWITT, 379
— Ганна, см. Диоды Ганна
— Рида, 356
— инжекционно-пролетные, 368,
376
— лавинно-пролетные, 355, 368
— обращенные, 81-82
— опорные, 60
— резонансно-туннельные,
115-120, 379
— с барьером Шоттки, 83-99,
133, 189
— с накоплением заряда,
133-135
— с проколом, 368
— с тонкой базой, 25, 33, 99, 132
— светодиоды, 432-445
— со структурой р-г-п, 39-44,
133, 359, 376, 406, 422
— сплавные, 101
— точечные, 98
— туннельно-пролетные, 378
— туннельные, 62-81, 117, 133
получение, 76
— умножительные, 126
Диоды Ганна, 333-361
— гибридный режим, 350
— режим ОНОЗ, 352
— режим выделения гармоник,
353
— режим пролета домена, 349
— режим пролета обогащенного
слоя, 346
— режим с гашением, 351
— режим с запаздыванием, 351
Дифференциальное сопротивле-
ние
— отрицательное, 64, 79, 112,
117, 118, 333, 355, 368
— стабилитрона, 61
Диффузионная длина, 19, 23, 25,
30, 43, 127, 142, 143, 150,
152, 218, 222, 386
— амбиполярная, 36, 41
Диффузионная емкость, 126
Д иэ лектричес кая прон и цае •
мость, 14, 98, 105, 255, 278,
461
Длина свободного пробега, 47,
51, 57, 60, 90
Доменная неустойчивость, 341
Домены электрические, 341, 349
Дробовой шум, 182, 308, 330,
401
Емкостная спектроскопия, 123
Емкость
480
Предметный указатель 480
— барьера Шоттки, 123
-барьерная, 106, 119, 121-124,
136, 167, 226, 408, 413
— диффузионная, 126
Загонка примеси, 198, 204
Закон
— Мотта, 38
—
сохранения импульса, 68, 428
Запаздывание
— лавинное, 355, 362
— пролетное, 355, 362
Затвор, 249
— плавающий, 285, 286,
289-292, 321, 330
Избыточные токи, 74-77, 117
Избыточный шум, 182, 309, 411
Излучательная рекомбинация,
428
—
темп, 430
Изоляция
— окисная. 205, 207, 271, 272
— с помощью р-п-перехода, 207,
249
Изолланарный процесс, 208
Иммерсионная литография. 195
Инверсная населенность, 447
Инжекционно-пролетные диоды,
368, 376
Инжекционные лазеры, 445-460
— VCSEL, 455
— квантово-каскадные, 454
Инжекция
— в р-п-переходе, 20, 25, 449
— в гетеропереходе, 107, 153,
156, 170
— высокий уровень, 33, 39, 43,
222
Интегральные схемы
—
п-МОП, 271-279
-И
2
Л, 200, 210-214
— КМОП, 279-285
-ТТЛ, 189, 209, 214
— ТТЛШ, 190, 214
— ЭСЛ, 214
Ионная имплантация, 89, 101,
198, 205, 212, 248, 258,
270-272, 279, 280, 282, 292,
299, 319, 367
— метод РШ, 201
Ионная литография, 196
Исток, 249
КМОП-структуры, 279-285, 325
— эффект защелкивания, 281
Каналирование, 198
Квазиуровень Ферми, 21, 30,
139, 447
Квантовые нити, 112, 456-458
Квантовые точки, 112, 291, 400,
421, 442, 456, 457, 459, 460
Квантовые ямы, 110, 299, 300,
397, 437, 457
Квантовый выход
— люминесценции, 421, 432
— светодиода, 435-437, 439
— фотоионизации, 383, 385, 390
Коллектор, 141
Контакт
— металл-полупроводник, 84
— омический, 99-103
— точечный, 80, 98
Контактная разность потенциа-
лов, 13, 18, 25. 36, 41, 104,
123, 162, 170, 304, 419
Коэффициент
— амбиполярной диффузии, 23,
36, 43, 386
— вывода света. 438, 439
— инжекции эмиттера, 150, 153.
155, 173, 221
— качества, 59, 368
— оптического ограничения.
448, 452, 458
— переноса через базу, 154, 221
— поглощения, 381, 385, 388.
392, 394, 395.412,430
—
собирания носителей, 143,
147
— ударной ионизации, 47, 51,
120, 358. 361, 363, 410,411
—
умножения, 50. 220, 411
Предметный указатель
481
—
усиления транзистора, 142,
144, 148, 151, 152, 154. 155,
158, 176, 177
— усиления фототока, 390
— шума, 186, 302, 348, 361, 376
Критерий Крёмера, 341, 346, 349
Крутизна вольт-амперной харак-
теристики, 252, 254, 258
ЛИЗМОП-структуры, 248, 286
Лавинно-пролетные диоды, 355,
368
Лавинные фотодиоды, 53, 120,
410-414
Лавинный пробой, 45, 57, 160,
217, 230, 285, 355, 356, 364
Лазерный отжиг, 200
Лазеры, 446
Литография, 192
Люминесценция, 428
МНОП-структуры, 293
МОП-транзисторы, 240,
249-266, 308, 309, 320, 321
Максвелловское время релакса-
ции, 38, 98, 133, 353
— дифференциальное, 340
Максимальная рабочая темпера-
тура р-п-перехода, 25
Максимальная частота генера-
ции, 118, 168, 171, 172
Междолинное рассеяние, 172,
175, 338, 345, 346
Междолинный перенос, 333, 341
Меза-структура, 148, 354, 367
Микроплазмы, 55, 62
Мини-зона, 113, 399
Модель
—
Андерсона, 103
— термоэлектронной эмиссии,
90
—
управления зарядом, 250
Напряжение
—
Эрли, 160
— пороговое, 245, 248, 250, 256,
258, 269-271, 273, 286, 288
— пробоя, 44, 59, 160, 161, 217,
265
— прокола, 162, 217, 369
Напряженный кремний, 263
Непараболичность, 67, 68, 338
Обедненный слой, II, 13, 29, 85
-толщина, 15, 17, 18, 55, 89,
121, 136, 162, 167, 244, 294,
295, 297. 369, 424
Область безопасной работы, 164
Область пространственного за-
ряда, см^ Обедненный слой
Обнаружительная способность,
403
Обращенные диоды, 81-82
Оже-рекомбинация, 39, 152, 222,
391, 426
Окисная изоляция, см^ Изоля-
ция окисная
Омические контакты, 99-103
— гетеропереходные, 101
Оптотиристоры, 235, 432
Оптроны, 410, 432
Охранные кольца, 53, 99. 230
ПЗС, 311-331. 428
— с объемным каналом, 316-318
Плазменное легирование. 201
Плазменное травление, 202-203,
205, 209, 266
Плазмоны, 175
Планарная технология, 147,
191-209, 271, 456
Поверхностная рекомбинация,
см. Рекомбинация поверх-
ностная
Поверхностные состояния, 86,
99, 183, 239, 248, 309,
314-316
Поверхностный пробой. 54, 228
Поглощение света
— в полосе остаточных лучей,
384
— коэффициент, см. Коэффици-
ент поглощения
— на свободных носителях, 383,
401
—
примесное, 383
— собственное, 382
Ifi ЛИ ПоЛоЛАО