§4.7. Синтез логических структур в топологических базисах 339
Этот функционал показывает удаленность элементов покрытия
от условий взвешивания этими элементами яруса синтезируемого
графа Н согласно (4.13).
С учетом такой модификации п. 1 алгоритма поиска оптималь
ного структурного графа среди 15 графов заменяется на поиск
среди трех графов, которым соответствуют покрытия с минималь
ным значением (4.19). Этими покрытиями являются покрытия
{ i l l ®1, * 4 } i { х2, *3, 13)1 ( l4 ) х5, Хб}
с оценкой функциойала, равной нулю.
Последние два покрытия порождают абсолютно минимальные
структурные графы (рис. 4.46,6).
Переход Н —► S от структурного графа Н к переключательной
схеме S в базисах первого и третьего топологических классов осу
ществляется тривиально: заменой вершин на ключевые элементы,
дуг — на соединительные каналы с односторонней проводимостью
и включением выходного сопротивления в эмиттерную цепь. За
метим, что включение этого сопротивления в коллекторную цепь
соответствует реализации отрицания заданной булевой функции.
При преобразовании Н S в базисах второго топологического
класса возможно появление лишних путей из-за двусторонней про
водимости соединительных кана
лов, если структурный граф Н со
держит подграф Qb, изображен
ный на рис. 4.47, а. При снятии
ориентации дуг (рис. 4.47,6) не
сравнимые элементы становятся
сравнимыми и появляется лиш
ний путь, что выводит граф из класса эквивалентных в смысле
реализации заданной функции графов. Для ликвидации лишних
путей необходимо ориентировать диагональное ребро, помещая на
него развязывающий диод (рис. 4.47, в).
Утверждение. Граф Q в (рис. 4.47, а) является запрещен
ной фигурой преобразования Н S в базисах второго тополо
гического класса.
Следовательно, минимизация развязывающих диодов сводится
к покрытию семантической таблицы, в которой запрещенными
фигурами являются подграфы Qb, а их компонентами — диаго
нальные ребра, в которые помещаются развязывающие диоды.
Переход Н —► S в базисах второго топологического класса осу
ществляется, как и в базисах первого класса, ориентацией диа
гональных ребер в запрещенных фигурах Qb- Например, пе
реключательная схема, реализованная на МОП-транзисторах по
структурному графу Н (рис. 4.46,6), соответствующему покрытию
{2Г4, 15, 15}, имеет вид, изображенный на рис. 4.48, а.
При преобразовании Н S в базисах этого класса абстрак
цией переключательной схемы (рис. 4.48, а) является линейный
а б в
Рис. 4.47