
§ 4.5. Кодирование внутренних состояний 301
ох собственно семантической таблицы расположим таблицу ци
клов четной длины. Согласно структуре запрещенных фигур вло
жения графа в гиперкуб для соседнего кодирования внутренних
состояний автомата необходимо, чтобы покрытие семантической
таблицы было сформировано с учетом принципа четности: каждое
покрытие включает четное число ребер, принадлежащих каждому
циклу четной длины и нечетное число ребер, принадлежащих ка
ждому циклу нечетной длины. Эта таблица имеет 28 покрытий:
(а + Ь + с) • (d + е + к) ■ (д + А; + т) • (а + b + d + / + д) х
х (a + b + e + f + m)-(c + d + f + k + m)-(c + d + e + f + g + m) —
= adg + bdg + cgdf + aegf + begf + ceg + akc + adk + ake +
-f- akg + акт -f akf + bck + bdk + bek -f bkg -f bkm + bkf -f deck +
-f- dmck -f ckf -f ckgm + adm -f bdm -f- cdm + aem -f bem -f cemf.
Оценим покрытия. Первому покрытию {a, d, д} соответствует
указываю-
0 2 2 2
fi
1 1 1 3 1 1 2вектор
щий частоту вхождения элементов покрытия в разрешенные и
запрещенные фигуры.
Спектр частот удовлетворяет критерию вложимости графа в
гиперкуб. Следовательно, первое покрытие порождает граф
(рис. 4.27,6), гомеоморфный заданному, вложимый в гиперкуб и
имеющий на три вершины больше, чем исходный граф переходов.
Аналогичная проверка остальных 27 покрытий не улучшает реше
ние, полученное по первому покрытию. Следовательно, введение
трех неустойчивых состояний, Sa, Sp, Sy, на переходах Si —> S2,
S2 —> S4, S4 —> Ss позволяет закодировать граф переходов сосед
ними кодами минимальным образом:
Si — 10 10 , S2 — 0000, S3 — 00 10, S4 — 0101, Ss — 0 110 ,
S6 — 0100, Sa — 1000, Sp — 00 01, Ry — 0111.
Граф, гомеоморфный графу переходов (рис. 4.27, а) с введен
ными неустойчивыми состояниями и соседними кодами, предста
влен на рис. 4.27, в.
П ример 4.5. Рассмотрим соседнее кодирование еще одного автомата, за
данного графом переходов G (рис. 4.28, а). Удаляя веса иа дугах и петли, снимая
ориентацию дуг, объединяя параллельные ребра (рис. 4.29, а), находим, что граф
содержит запрещенные фигуры Qi и Qi (рис. 4.29, б)\
Qi(Vu Ux), Vi = {Si/ i = 1, 2, ..., 9},
Ui — {{Si, S3}, {Si, Ss}, {Si, S»}, {Sa, S3}, {Sa, S6}, {Sj, S7},
{S3, Se}, {S<, S5}, {S*, S«}, {S4, S7}, {S«, Sg}, {Sa, Sg}};
Qa(Va, U2), Fa = {Si, S3, S5, S«, Se},
u2 = {{St, S3}, {Si, Ss}, {Si, S.}, {S3, Sg}, {Ss, Se}, {Sg, Sg}}.