Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна

формат djvu
размер 4.16 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

М.: Сов. радио. 1975г - 285с.
Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятилетие в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду
новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объёмному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможности использования многочисленных приборов на основе эффекта Ганна: генераторов и усилителей СВЧ, аналоговых приборов, логических схем, оптоэлектронных устройств.
Монография рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Смотрите также

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

формат pdf
размер 39.39 МБ
добавлен 26 марта 2011 г.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Левинштейн М. Пожела Ю. Эффект Ганна

формат djvu
размер 5.56 МБ
добавлен 21 января 2010 г.

Издательство "Сов. радио", 1975 288 страниц Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможност...

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Статья

формат doc
размер 11.07 МБ
добавлен 22 февраля 2011 г.

109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В

pottee

формат doc
размер 3.82 МБ
добавлен 21 июня 2009 г.

Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинет...

Реферат - Акустические свойства полупроводников

Реферат

формат rtf, html
размер 31.71 КБ
добавлен 11 июля 2010 г.

Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Заключение.

Реферат - Магниторезистивный эффект - магниторезисторы

Реферат

формат docx
размер 634.74 КБ
добавлен 29 июня 2009 г.

В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры, характеристики, классификация, а также область их применения и перспективы...

Сенигов П.Н., Галишников Ю.П., Беглецов Н.Н. Руководство по выполнению базовых экспериментов Электронные приборы и устройства

формат doc
размер 21.96 МБ
добавлен 22 октября 2011 г.

Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам «Теоретические основы электротехники», «Электротехника и основы электроники», «Осно...

Шпоры по ФОЭ

pottee

формат doc
размер 77.35 КБ
добавлен 28 сентября 2006 г.

Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности. Конденсаторы. Классификация конденсаторов. Конденсаторы с неорганическим диэл...

Шпоры по ФОЭ

pottee

формат doc
размер 539.83 КБ
добавлен 29 сентября 2006 г.

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

формат pdf
размер 1.43 МБ
добавлен 19 сентября 2011 г.

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...