Назад
ловле
на
сильной
структурной
неоднородностью,
например
в
се
ром
чyryне
из-за
наличия
графитных
включений.
Не
меньший
интерес
вызывает
внутреннее
трение
как
метод
исследования
тонкой
структуры
металлов
и
сплавов.
Особенно
ценную
информацию
этот
метод
дает о
концентрации
и
подвиж
ности
точечных
дефектов,
дислокационной
структуре,
кинетике
начальных
стадий
старения,
в
том
числе
деформационного
и
т.
д.
Для
экспериментальной
оценки
величины
внутреннего
тре
ния
необходимо
знать
связь
между
напряжением
и
деформацией
при
нагружении
и
разгрузке
(см.
рис.
15).
В
принципе
эту
связь
можно
найти
в
результате
простых
статических
испытаний.
Но
из-за
малых
абсолютных
значений
деформации
в
упругой
области
сделать это
с
достаточной
точностью
довольно
сложно.
Поэтому
на
практике
обычно
используют
динамические методы
с
перио
дическим
изменением
нагрузки,
например
по
синусоидальному
закону.
Такому
изменению
нагрузки
будет соответствовать и
пе
риодическое
изменение
деформации,
но
из-за
явления
неупру
гости
деформация
неизбежно
будет
отставать
от
напряжения
по
фазе
на
какой-то
угол
<р.
Величина
tg<p
-
одна
из
характеристик
рассеяния
энергии
колебаний,
Т.е.
внутреннего
трения.
Другую
характеристику
можно
получить,
оценив
плошадь
петли,
кото
рая
пропорциональна
величине
потерь
Д
W
энергии
колебаний
за
один
цикл.
За
меру
внутреннего
трения
принимают
величину
Д
W/2тt
W,
где
W -
полная
энергия
деформации.
Еще
одна
из
характеристик
внутреннего
трения
-
логариф
мический
декремент
затухания
амплитуды
колебаний
у.
Он
равен
натуральному
логарифму
отношения
предьщущего
максимально
го
отклонения
колеблющегося
образца
к
последующему.
Названные
характеристики
внутреннего
трения
связаны
меж
ду
собой:
tg<p
~
у/л
~
д
W/2л
W=
(LI,
(21)
где
(LI
-
широко
используемое
обозначение
внутреннего
тре
ния.
Равенство
(21)
обычно хорошо
выполняется
при
(LI
<
0,1
и
справедливо
для
большинства
реальных
случаев.
Все
рассмотренные
характеристики
внутреннего
трения
явля
ются
разновидностям~
наиболее
важного
для
металлов
релакса
ционного
внутреннего
трения,
которое
связано
с
так
называе
мым
динамическим
гистерезисом.
Он
возникает
в
тех
случаях,
40
когда
под
действием
приложенного
напряжения
в
материале
про
исходят
какие-то
перестройки,
требующие
времени.
Неупругая
деформация
при
упругом
последействии
-
типичный
для
метал
лов
при
мер
протекающего
во
времени
релаксационного
процесса.
Для
релаксационного
внутреннего
трения
характерны
зависимость
от
частоты
колебаний
и
температуры
и
независимость
от
ампли
туды
колебаний.
Наиболее
важна
температурная
зависимость
релаксационного
внутреннего
трения
Q-;=
cr,,~oxsech[(H/~R)(1/T
-1/~l1ах)J,
где
Q-;
и
cr"~,,
-
внутреннее
трение
при
заданной
температуре
Т
и
~l1ax;
Н
-
энтальпия
активации
(как
в
любом
термически
акти
вируемом
процессе);
~
-
коэффициент.
Зависимость
Q-I
от
обратной
температуры
должна
иметь
вид
симметричной
кривой
с
максимумом
при
I/~l1ax'
По
эксперимен
тальным
данным,
в
области
температур)
от
нескольких
градусов
Кельвина
до
0,5-0,6
Т
,
величина
Q-I
монотонно
и
почти
ли-
пл
нейно
возрастает, а
при
дальнейшем
повышении
температуры
Q-I
растет
экспоненциально.
Во
многих
случаях
на
монотонно
возрастающий
фон
накладываются·пики,
каждый
из
которых
имеет
свою
природу
(рис.
16). '
Помимо
релаксационного
различают
еще
гистерезисное
и
ре
зонансное
внутреннее
трение.
Гистерезисное
внутреннее
трение
связано
со
статическим
гистерезисом,
когда
форма
и
плошадь
его
петли
(см.
рис.
15)
не
связаны
с
временными
(релаксацион
ными)
процессами
и
поэтому
не
ме-
няются
В
зависимости
от
частоты
на
гружения,
но
сильно
зависят
от
амп
литуды.
Гистерезисные
потери
энергии
при
колебании
вызываются
различны
ми
перестройками
структуры
металла
дислокационной
и
иногда
магнитной
природы.
Рассеяние
энергии
за
счет
внутреннего
трения
происходит при
частоте
вынуждающей
силы,
близкой
к
частоте
собственных
колебаний.
Ис
точником
этой
разновидности
внутрен
него
трения
в
металлах
могут
быть
зак
репленные
в
каких-то
точках
дислока-
Q-r.lO
J
~5Г----------------'
700
75
50
25
о
250 500
750
ТООО
т,к
Рис.16.
Температурная
зависи
мость
внутреннего
трения никеля
(в.с.
Постников)
41
ции,
колеблющиеся
под
действием
внешних
сил
в
вязкой
среде.
Резонансное
внутреннее
трение
проявляется
только
при
больших
частотах
нагружения
-
в
районе
мегагерцевого
диапазона.
от
ам
плитуды
колебаний
оно,
как
и
релаксационное
внутреннее
тре
ние,
не
зависит.
Из
эксперименталJ;>НЫХ
методов
исследования
внутреннего
трения
наиболее
распространен
метод
крутильного
маятника.
В прямом
крутильном
маятнике
(рис.
17.
а)
образец
в
виде
проволоки
или
ленты
используется
в
качестве
упругого
под
веса,
к
нижнему
концу
которого
крепится
инерционная
масса,
снижающая
частоту
крутильных
колебаний
до
-1
Гц.
это
позволяет
регистрировать
колебания
визуаль
но,
наблюдая
за
перемещением
светового зайчика,
отраженного
от
закрепленного
на
маятнике
зеркала.
Инсрционная
масса
в
прямом
маятнике
может
вызывать
за
метные
растягивающие
напряжения
в
образце,
что
искажает
результаты
опытов.
Тогда
используют
другую
конструкцию
-
перевернутый
крутильный
маятник
(см.
рис.
17,
6).
Здесь
нижний
конец
образца
закрепляется
неподвижно,
а
инерционная
масса
крепится
к
верхнему
концу
и
поддерживается
подвесом
из
материала
с
ма
лым
затуханием.
Возбуждение
образца
сводится
к
его
закручиванию
на
определенный
угол
а
=
2/1r/Gd,
где
/ -
длина;
d -
диаметр;
G -
модуль
сдвига
образца;
10
-
исходное
максималь
ное
напряжение
сдвига
на
его
поверхности.
Возбуждение
производится
обычно
внешними
электромагнитами
или
устрой
ством,
работающим
по
принципу
гальванометра,
рамка
которого
жестко
скрепле
на со
скручивающей
системой.
Непосредственно
в
результате
эксперимента
на установках
типа
крутильного
маятника
определяют
начальную
Ао
и
какую-то
конечную
амплитуду
n-ного
коле
бания
А.,
а
также
время
Т.'
необходимое
для
такого
уменьшения
амплитуды.
По
результатам
этих
замеров
рассчитывают
логарифмический
декремент
затухания
42
у
= In(Ar/A.)/(roT.),
2
1
7
J
J
/'
/'
tf
2
а.
Рис.
17.
Схема
прямоro
(о)
и
перевернyroro
(6)
кругильным
маятников:
J -
образец;
2 -
инерционная
масса;
3 -
захваты
А
А
тах
Рис.
18.
Зависимость
амплитуды
от
частоты
вынужденных
коле
баний
где
00
-
используемая
частота
колебаний.
Определенную
величину
у
можно
пере
считать
в
CГI
по
формуле
(21).
Помимо
методов
свободных
колебаний,
к
которым
относится
рассмотренный
выше,
для
измерения
внутреннего
трения
используют
также
метод
вынужденных
колебаний
и
ультразвуковые
методы.
Вынужденные
колебания
возбуждают
в
системе образец
-
маятник.
При
этом
частота
колебаний
00
должна
быть
близка
к
резонансной.
Варьируя
00,
строят
резо
нансную
кривую
-
зависимость
амплитуды
вынужденных
колебаний
от
частоты
(рис.
18).
Величина
затухания
по
теории
пропорциональна
ширине
резонансного
максимума.
Величина
внутреннего
трения
70
71
9
8.
76
17
(22)
19
о
25
Рис.
19.
Блок-схема
резонансной
низкочастотной
установки
для
измерения
внутреннего
трения
(М.
А.
Кришгал,
С.
А.
Головин):
1 -
фотодиод;
2 -
переходная
втулка;
3 -
транзисторный
усилитель;
4 -
микровыключатель;
5 -
осветитель;
6 -
редуктор;
7-
низкочастотный
генератор;
8,
1/
-
цанговые
зажимы;
9 -
образец;
10
-
выпрямитель;
12
-
электропечь;
13
-
батарея
конденсаторов;
14
-
выпрямитель;
15
-
терморегулятор;
16
-
термопара;
17-
соленоид;
18-
ЛАТР;
19
-
реле;
20 -
штанга;
21
-
сферическое
зеркальце;
22 -
магнит;
23 -
рамка;
24 -
демпфер;
25 -
осциллограф;
26
-
полупрозрачная
шкала;
27 -
транзисторный
усилитель
43
Этот
метод
рекомендуют
применять при
исследовании
материалов
с
высоким
Q-'.
Для
них
резонансный
максимум
достаТО'IНО
широк
и
величина
dw
может
быть
измерена
достаточно
точно.
В
методе
свободных
колебаний
частоту
колебаний
можно
менять
в
диапазоне
10-'-102
Гц.
В
резонансных
методах
вынужденных
колебаний
частота
колебаний
достигает
сотен
килогерц.
В
мегагерцевом
диапазоне
частот
используют
ультразву
ковые
методы
определения
внутреннего
трения.
Например,
в
импульсном
ультра
звуковом
методе
измеряется
уменьшение
амплитуды
импульса
при
прохождении
его
через
образец.
Внутреннее
трение
Q-' =
л.а/п,
где
а
-
коэффициент
поглоще
ния,
характеризующий
ослабление
ультразвукового
импульса
в
образце;
л.
-
длина
волны
импульса.
Современные
экспериментальные
установки
по
измерению
внутреннего
тре
ния
-
это
сложные,
в
ряде
случаев
полностью
автоматизированные
устройства,
работающие
совместно
с
ЭВМ.
На
этих
установках
параллельно
с
внутренним
тре
нием
могут
измеряться
и
модули
упругости.
На
рис.
19
в
качестве
примера
показана
блок-схема
резонансной
установки,
позволяющая
проводить
измерения
на
прово
лочных
образцах
диаметром
0,8
и
длиной
120
мм.
Частота
колебаний
может
менять
ся в
диапазоне
1-100
Гц,
а
амплитуда
деформации
l'
10-7-5'
10-].
В
установке
используется
схема
прямого
маятника,
вынужденные
колебания
которого
возбуж
даются
электромагнитной
системой.
Она
же
регистрирует
резонансные
частоты
об
разца
9.
Последний
помещается
внутрь
трубчатой
электропечи
12
и
соленоида
17
с
водяной
рубашкой.
Образец
крепится
в
цанговых
зажимах
11.
Нижний
зажим
через
переходную
втулку
2
связан
с
верхней
полуосью
рамки
23.
Нижняя
полуось
рамки
опущена
в
масляный
демпфер
24.
Рамка
с
полуосями
находится
в
зазоре
полюсных
наконеч
ников
сильного
подковообразного
магнита
22.
С
помощью
этой
системы
и
сообща
ются
образцу
крутильные
колебания.
Оптическая
часть
установки
состоит
из
осветителя
5,
сферического
зеркальца
21,
закрепленного
на
верхней
полуоси
рамки,
и
полупрозрачной
шкалы
26.
Величину
внутреннего
трения
рассчитывают
по
формуле
(22).
Для
измерения
резонансной
частоты
используют
набор
штанг
20
разной
длины,
которые
крепятся
в
переходной
втулке
при
одной
и
той
же
рамке.
В
результате
меняется
момент
инерции
системы.
Резонансная
частота
фиксируется
на
шкале
генератора,
что
по
ВЫШ[lет
точность
определения
внутреннего
трения.
г
л
а
в
а
111
ПЛАСТИЧЕСКАЯ
ДЕФОРМАЦИЯ
И
ДЕФОРМАЦИОННОЕ
УПРОЧНЕНИЕ
Пластическая
деформация
является
результатом
необратимых
смешений
атомов.
В
кристаллах
эти
смешения
атомов
в
большин
стве
случаев
происходят
путем
движения
дислокаций,
что явля
ется
основным'
атомным
механизмом
пластической
деформации.
Движение
дислокаций
может
вызывать
макропластическую
де-
,
Другие
механизмы
пластической
деформации
-
диффузионный
массопере
нос
и
зернограничное
скольжение
-
будут
рассмотрены
в
гл.
VIII.
44
ДВОЙНИКИ
б
Рис.
20.
Схемы
пластической
деформации
скольжением
(о)
и
двойникованием
(6)
формацию
образца
путем
либо
скольжения,
либо
двоЙнuкования.
Конечным
итогом
такого
движения
является
сдвиг
одних
отдель
ных
частей
кристалла
относительно
других
(рис.
20,
а)
или
сдвиг
и
поворот
атомных
рядов
в
отдельных
участках
образца
под
неко
торым
углом
к
направлению
сдвига
(рис.
20,
б).
Иногда
эти
два
способа
формоизменения
рассматривают
как
механизм
пласти
ческой
деформации,
хотя
на
самом'
деле
и
при
скольжении,
и
при
двойниковании
механизмом
деформации
остается
переме
щение
дислокаций.
И
все
же
микро-
и
макрокартины
пластичес
кой
деформации
скольжением
и
двойникованием
существенно
различаются
и
их
анализируют
отдельно.
В
большинстве
случаев
металлы
и
сплавы
деформируются
пу
тем
скольжения.
Поэтому
деформация
скольжения
будет
рассмот
рена
в
первую
очередь
и
наиболее
подробно.
LЗВВ
Рис.
21.
Схема
сдвига
верхней
половины
кристалла
относительно
нижней
в
результате
пробега
через
него
краевой
дислокации
Рис.
22.
Схема
к
выводу
уравнения
связи
сдвиговой
деформации
с
длиной
пробега
дислокации
45
1.
Низкотемпературная
пластическая
деформация
металлов
скольжением
и
деформационное
упрочнение
Картина
пластической
деформации
Классическая
схема
деформаuии
скольжением
при
растяже
нии
(см.
рис.
20,
а)
напоминает
сдвиг
карт
в
колоде.
«Карты»
здесь
-
это
отдельные
участки
образuа
(группы
атомных
плоскостей).
В
элементарном
виде
механизм
сдвига
одной
ч'асти
кристалла
от
носительно
другой
можно
представить
как
результат
пробе
га
че
рез
него
дислокации,
например
краевой,
длиной,
равной
шири
не
кристалла
(рис.
21).
Чем
больше
количество
движущихся
дис
локаций
и
длиннее
суммарный
путь
их
перемещений,
тем
боль
ше
величина
макропластической
деформации.
Продемонстриру
ем
это
на
следующем
при
мере.
Предположим,
что
деформаuия
скольжением
осуществляется
только
за
счет
движения
краевых
дислокаций.
Рассмотрим
обра
зец
-
кристалл
(рис.
22),
в
котором
краевая
дислокация
АВ
при
своем
скольжении
на
длину
/
в
плоскости
CDAB
произвела
час
тичный
сдвиг
верхней
половины
кристалла
относительно
ниж
ней.
Величина
относительного
сдвига
g
составит
где
х
-
среднее
относительное
смещение
частей
кристалла,
вы
раженное
в
долях
от
вектора
Бюргерса
Ь:
х
=
(S/So)b.
Здесь
S =
/L
з
-
площадь
участка
плоскости
скольжения,
про
черченноro
дислокацией;
So
=
L/
з
-
вся
возможная
площадь
плос
кости
скольжения
в
пределах
образца.
Следовательно,
х
=
(l/L.)b,
а
g =
(1/
L.L
2
)b.
Если
в
рассматриваемой
плоскости
скольжения
путь
/
пройдут
N
аналогичных
дислокаций,
то
46
g =
(lN/L.L
2
)b.
Умножим
числитель
и
знаменатель
на
L
з
,
получим
g =
(/L
з
N/L.L
2
L
з
)Ь,
ВUОСООКУ
h
ь
ттт
а
Рис.
23.
Образование
ступенек
при
выходе
на
поверхность
краевых
(а)
и
ВИНТОВblХ
(6)
дислокаций
где
LзN
-
суммарная
длина
всех
дислокаций,
L)L
2
L
з
-
объем
кристалла,
а
отношение
этих
величин
есть
плотность
дислокаций
р.
Теперь
можно
дать
конечную
формулу,
связывающую
величину
макроскопической
деформации
сдвига
с
плотностью
дислокаций,
длиной
их
пробега
и
вектором
Бюргерса:
g=pbl.
(23)
Аналогичное
выражение
получается
и
при
анализе
перемеще
ния
винтовых
и
смешанных
дислокаций.
В
реальных
металлах
и
сплавах,
как
правило,
еще
до
начала
деформации
имеется
много
дислокаций
разных
типов.
Под
дей
ствием
приложенных
напряжений
начинают
работать
различные
их
источники,
порождающие
новые
дислокации.
Движущиеся
дислокации
выходят
на
поверхность
образца,
взаимодействуют
внутри
него
друг
с
другом:
вступают
в
реакции,
тормозятся,
ан
нигилируют,
образуют
сплетения
и
т.д.
Поэтому
реальная
карти
на
пластической
деформации
металлических
материалов
сложна
и
во
многих
случаях
еще
далеко
не
ясна.
Она
определяется
струк
турой,
составом
материала
и
условиями
его
деформации.
Картину
пластической
деформации
экспериментально
изучают
в
основном
двумя
методами:
1)
микроскопическим
анализом
полированной
поверхности
образцов,
на
которой
в
результате
деформации
появляюгся
особые
«линии»
и
~полосы
сколь
жения»
и
2)
методом
дифракционной
электронной
микроскопии
тонких
фольг,
вырезанных
из
деформированных
образцов.
Линии
скольжения
-
это
ступеньки,
образуюшиеся
на
поверхности
в
результа
те
выхода
дислокаций.
Действительно,
когда,
например,
краевая
дислокация
(см.
рис.
21)
выйдет
на
левую
грань
кристалла,
то
на
поверхности
этой
грани
образуется
ступенька,
равная
по
высоте
h
вектору
Бюргерса
в
дислокации.
При
этом
длина
ступеньки,
т.
е.
линии
скольжения,
будет
равна
длине
вышедшей
на
поверхность
краевой
дислокации
(рис.
23,
а).
Легко
представить
себе,
что
вышедшая
одним
кон
цом
на
поверхность
винтовая
дислокация
при
своем
движении
также
образует
сту-
47
пеньку,
длина
которой
будет
соответствовать
длине
пробега
дислuкации
(рис.
23,6).
Конечно,
увидеть
ступеньку,
образующуюся
в
результате
выхода
на
пов~рхность
олной
дислокации,
очень
трудно.
Но
когда
при
скольжении
в
одной
плоскости
на
поверхность
выходит
несколько
дислокаций
и
высота
ступеньки
h
достигает
- -1
нм
и
более,
их
уже
можно
наблюдать
при
элеКТРClННО-МИКl'vскопическом
анализе
реплик
1
с
предварительно
отполированной
поверхности
деформированного
образ
ца.
После
значительной
деформации
высота
ступенек
.:тановится
настолько
боль
шой,
что
их
можно
выявлять
и
под
световым
микроскопом.
Анализируя
расположение
линий
скольжения,
расстояние
между
ними,
их
высоту,
можно
составить
не
только
качественное,
но
и
количественное
представле
ние
о
картине
и
величине
пластической
деформации.
Узнав
с
помощью
рентгено
структурного
анализа
кристаллографическую
ориентировку
анализируемой
повер
хности
образца,
по
направлению
линий
скольжения определяют
плоскости и
на
правления
скольжения.
Метод
дифракционной
электронной
микроскопии
позволяет
непосредственно
наблюдать
отдельные
дислокации,
определять
их
вектор
Бюргерса
и
кристаллогра
фию
скольжения,
оценивать
характеристики
дислокационной
структуры
на
разных
стадиях
деформации.
Оба
указанных
метода
имеют
свои
достоинства
и
недостатки
и
взаимно
допол
няют
друг
друга.
Метод
линий
скольжения
значительно
проще,
особенно
при
ис
пользовании
светового
микроскопа,
и
дает
более
интегральную
информацию.
Од
нако
с
его
помощью
изучают
только
структуру
поверхности
и,
косвенно,
движе
ние
дислокаций
в
приповерхностных
слоях,
которое
имеет
здесь
некоторые
специ
фические
особенности.
Второй
метод
лучще
во
МНОПIХ
оnюшениях,
но
дислокационная
структура
(суб
структура)
фольги
в
общем
случае
отличается
от
структуры
массивного
образца,
из
которого
ее
вырезают.
Неизбежная
перестройка
субструктуры
фольги
в
процессе
ее
утонения
обусловлена
уходом
части
дислокации
на
поверхность.
Степень
перестройки
Т
а
б
л
и ц
а
6.
Кристаллоrpафические
плоскости
и
направления
преимуществен
HOro
скольжении
Тип
Направление
Плоскость
кристаллической
скольжения
скольжения
Металл
рещетки
г. ц.
к.
<110>
{1II}
Cu,
AI,
Ni
г. п.
< 1120 >
{0001}
Zn
(с/а
= 1,856), Mg
(с/а
=
1,624),
Ве
(с/а
= 1,59)
{IIOO}
Ti
(с/а
= 1,587)
{1011}
Ti
< 1213 >
{1122}
Ti
о.
ц. к.
<111>
{1I0}
a-Fe,
Мо,
Nb
{211}
Та,
W,
a-Fe
{321}
Сг,
a-Fe
I
Реплики
-
это
тонкие,
прозрачные
для
электронов
пленки
(например,
уголь
ные),
наносимые
на
поверхность
образца
и
очень
точно
копирующие
ее
рельеф.
48
(OOOJ)
(!ТО)
[ф]
Рис.
24.
Примеры
плоскостей
и
напрамений
плотнейшей
установки
в
типичных
м~таллических
решетках:
а-г.
Ц.
к.;
б-г.
п.;
в-о.
Ц.
к.
определяется
величиной
деформации,
толщиной
фольги
и
природой
материала.
Перед
вырезкой
фольги, образец
можно
подвергнуть
обработке,
способствующей
закреплению
дислокаций
(например,
старению
или
облучению
элементарными
частицами).
Метод
линий
скольжения
известен
и
используется
достаточно
давно.
При
его
помощи
бьUIО
установлено,
что
скольжение
и
сдвиги
в
кристаллах
при
низкотемпературной
деформации
идут
вдоль
определенных
для
каждого
типа
решетки
кристаллографических
плоскостей
и
направлений.
Направление
скольжения
всегда
ле
жит
в
своей
плоскости
скольжения.
Их
совокупность
есть
система
скольжения.
В
металлах
может
действовать
одна
или
одновремен
но
несколько
систем
скольжения,
но
все
эти
системы
относятся
обычно
к
одной-двум
кристаллографическим
ориентациям,
ха
рактерным
для
каждого
металла
и
определяемым
типом
его ре
шетки.
В
табл.
6
приведены
плоскости
и
направления
преимуще
ственного
скольжения
в
металлах
с
наиболее
распространенны
ми
кристаллическими
решетками:
гранецентрированной
кубичес
кой
(г.
ц.
к.),
гексагональной
плотно-упакованной
(г.
п.)
и
объем
ноцентрированной
кубической
(о.
ц.
к.).
Легко
убедиться,
что
направления
и
плоскости
преимуществен
ного
скольжения
(см.
табл.
6)
являются
наиболее
плотноупако
ванными
в
каждой
решетке
(рис.
24).
Плоскости
с
максимальной
атомной
плотностью
отличаются
наибольшим
межплоскостным
расстоянием.
Поэтому
сдвиг
вдоль
них
идет
особенно
легко.
На
правления
скольжения
соответствуют
направлению
вектора
Бюр
герса
характерных
для
каждой
решетки
единичных
дислокаций,
что
также
вполне
естественно.
49