пеньку,
длина
которой
будет
соответствовать
длине
пробега
дислuкации
(рис.
23,6).
Конечно,
увидеть
ступеньку,
образующуюся
в
результате
выхода
на
пов~рхность
олной
дислокации,
очень
трудно.
Но
когда
при
скольжении
в
одной
плоскости
на
поверхность
выходит
несколько
дислокаций
и
высота
ступеньки
h
достигает
- -1
нм
и
более,
их
уже
можно
наблюдать
при
элеКТРClННО-МИКl'vскопическом
анализе
реплик
1
с
предварительно
отполированной
поверхности
деформированного
образ
ца.
После
значительной
деформации
высота
ступенек
.:тановится
настолько
боль
шой,
что
их
можно
выявлять
и
под
световым
микроскопом.
Анализируя
расположение
линий
скольжения,
расстояние
между
ними,
их
высоту,
можно
составить
не
только
качественное,
но
и
количественное
представле
ние
о
картине
и
величине
пластической
деформации.
Узнав
с
помощью
рентгено
структурного
анализа
кристаллографическую
ориентировку
анализируемой
повер
хности
образца,
по
направлению
линий
скольжения определяют
плоскости и
на
правления
скольжения.
Метод
дифракционной
электронной
микроскопии
позволяет
непосредственно
наблюдать
отдельные
дислокации,
определять
их
вектор
Бюргерса
и
кристаллогра
фию
скольжения,
оценивать
характеристики
дислокационной
структуры
на
разных
стадиях
деформации.
Оба
указанных
метода
имеют
свои
достоинства
и
недостатки
и
взаимно
допол
няют
друг
друга.
Метод
линий
скольжения
значительно
проще,
особенно
при
ис
пользовании
светового
микроскопа,
и
дает
более
интегральную
информацию.
Од
нако
с
его
помощью
изучают
только
структуру
поверхности
и,
косвенно,
движе
ние
дислокаций
в
приповерхностных
слоях,
которое
имеет
здесь
некоторые
специ
фические
особенности.
Второй
метод
лучще
во
МНОПIХ
оnюшениях,
но
дислокационная
структура
(суб
структура)
фольги
в
общем
случае
отличается
от
структуры
массивного
образца,
из
которого
ее
вырезают.
Неизбежная
перестройка
субструктуры
фольги
в
процессе
ее
утонения
обусловлена
уходом
части
дислокации
на
поверхность.
Степень
перестройки
Т
а
б
л
и ц
а
6.
Кристаллоrpафические
плоскости
и
направления
преимуществен
HOro
скольжении
Тип
Направление
Плоскость
кристаллической
скольжения
скольжения
Металл
рещетки
г. ц.
к.
<110>
{1II}
Cu,
AI,
Ni
г. п.
< 1120 >
{0001}
Zn
(с/а
= 1,856), Mg
(с/а
=
1,624),
Ве
(с/а
= 1,59)
{IIOO}
Ti
(с/а
= 1,587)
{1011}
Ti
< 1213 >
{1122}
Ti
о.
ц. к.
<111>
{1I0}
a-Fe,
Мо,
Nb
{211}
Та,
W,
a-Fe
{321}
Сг,
a-Fe
I
Реплики
-
это
тонкие,
прозрачные
для
электронов
пленки
(например,
уголь
ные),
наносимые
на
поверхность
образца
и
очень
точно
копирующие
ее
рельеф.
48