всего
одной
-
базисной
-
плоскости
преимущественного
сколь
жения
{0001}.
Плотность
упаковки
атомов
в
этой
плоскости
зна
чительно
больше,
чем
в
любых
других,
и
поэтому
скольжение
в
небазисных
плоскостях
затруднено
и
идет
только
под действием
высоких
напряжений
на
поздних
стадиях
деформации.
В
г.
ц.
к.
ре
шетке
имеется
тоже
один
тип
плоскости
преимущественного
скольжения
- {l11},
но
всего
таких
по-разно~
орие.!::!тирова..!:'
ных
в
пространстве
плоскостей
четыре:
(111), (111), (111), (111).
При
отношении
с/а,
значительно
меньшем
идеального,
напри
мер
в
титане,
где
с/а
=1,587,
наиболее
'плотно
упакованы
плоско
сти
{loTo},
и
здесь
базисное
скольжение
не
должно
быть
преиму
щественным.
В
результате,
при
благоприятной
для
базисного
скольжения
ориентировке
монокристаллов
с
с/а
~
1,633
стадия
легкого
сколь
жения
в
них
простирается
до
очень
больших
степеней
деформа
ции
-
часто
более
100%
(рис.
33),
когда
достигаются
достаточно
высокие
напряжения.
Коэффициент
деформационного
упрочне
ния
здесь
того
же
порядка,
что
и
в
г.
ц.
к.
металлах
(10-4
G).
II
стадия,
где
идет
множественное
скольжение,
также
характеризу
ется
близкими
к
Г.Ц.к.
металлам
коэфФициентом
упрочнения.
Раз
рушение
г.п.
кристалла
может
произойти
на
II
стадии,
как
у кад
мия
(см.
рис.
33).
В
некоторых
случаях
до
разрушения
фиксируется
r,/1Па
20
,-----------.--,
75
70
5
О
100 2(}(}
З(}(}
!J,
%
1,1100
'1
],5
3
2,5
1
1,5
1
Рис.
33.
Кривые
деформационного
упрочнения
монокристаллов кадмия
(с/о
= 1,886)
благоприятной
(!)
и
произвольной
ориентировок
(2)
при
77
К
(Дэвис)
О.
5
Рис.
34.
Ориентационная
зависимость
напряжения
начала
пластической
деформации
кристаллов
чистого
цинка
(Джилсон)
70
о
t
Kp
=o,18'1/100
\
~
-~
~
1'00..
~
0.'
0.2
0.3
О.
'1
0,5
СО$'
е
.
COS
l'