параметры а
М
= 2а
О
и с
М
= с
О
при Т ≤ 450 К и по вкладу в ядерные рефлексы
при 450≤Т≤820 К, когда а
М
= а
О
и с
М
= с
О
, дали приблизительно одинаковые
значения ~ 3,4 μ
В
и ~ 3,2 μ
В
. Тот факт, что выше и ниже температуры ~ 450 К
по результатам нейтронографических исследований получены почти
одинаковые величины магнитных моментов говорит о наличии в CrS
магнитного фазового перехода типа «магнитный порядок I – магнитный
порядок II » в области этой температуры. Результаты исследований магнитной
восприимчивости моносульфида хрома разными авторами (рис.2.4.1.),
эффективных магнитных полей методом эффекта Мессбауэра и магнитной
нейтронографии указывают на то, что температура фазового превращения
«магнитный порядок – магнитный беспорядок» в образцах, наиболее близких к
стехиометрическому составу CrS, имеет величину Т
N
~ 820K.
Изучение температурных зависимостей удельной проводимости
показало на наличие у моносульфида хрома в области температур Т ≤ 200 К
свойств полупроводника n-типа с электропроводностью ~ 1,0 Ом
-1
∙ см
-1
[99].
Установлено также, что в интервале температур 200 ≤ Т ≤ 600 К моносульфид
хрома является полупроводником p-типа. Электропроводность в указанном
температурном интервале увеличивается с ростом температуры, энергия
активации при этом имеет величину ΔЕ ~ 0,15 эВ. При дальнейшем нагревании
в области температур Т
С
~ 600 ~ 870 К в моносульфиде хрома разные авторы
наблюдали изменение типа проводимости от р – полупроводникового для Т<
Т
С
к металлическому при Т > Т
С
[ 99, 104-106 ].
2.5. Кристаллическая структура и электрические свойства VS
Кроме стехиометрического соединения VS в системе V - S синтезированы
соединения следующих составов: V
3
S, V
5
S
4
, V
2
S
3
, VS
2
, VS
3
, VS
4
, обладающих
свойственным только им кристаллическим упорядочением. Состав VS
5
представляет собой аморфную фазу.
Стехиометрическое соединение VS и составы V
x
S (0.92 ≤ x ≤ 1.16) могут
кристаллизоваться в трех модификациях [107-108]. При низких температурах
выявлена β-фаза VS с орторомбической решеткой типа MnP и параметрами
элементарной кристаллической ячейки а = 3,305 Å, b = 5.83 Å, c = 5,856 Å
пространственной группы Pmcn. В высокотемпературной области определены
две модификации: гексагональная α-фаза со структурой типа NiAs и
тригональная α
/
-фаза VS со структурой типа Cd(OH)
2
. Температура
кристаллического перехода в VS из структуры MnP в структуру типа NiAs
очень чувствительна к малейшим отклонениям от состава. Так для V
1,00
S
структурный переход происходит при 823 К, для V
1,01
S при 839 К, у состава
V
0,95
S при 623 К [107]. На рис.2.5.1. приведены концентрационные зависимости
параметров элементарной ячейки сульфида ванадия из работы [108].
На рис 2.5.2. изображены позиции ионов для плоскости (010) структур MnP и
NiAs моносульфида ванадия из этой же работы.