248
лагается использовать в качестве подзатворного диэлектрика, должны
удовлетворять определённым требованиям.
В данной работе проводится многоуровневое исследование процесса
роста диэлектрической пленки методом послойного химического осажде-
ния на примере пленок ZrO
2
(HfO
2
,
Al
2
O
3
), обладающими высокими коэф-
фициентами диэлектрической постоянной. Полученные результаты ис-
пользуются для построения интерфейса пленки с различными металлами
для изучения стабильности и электрических свойств интерфейса.
С использованием широкого спектра квантово-химических методов
были рассчитаны свойства поверхностных реакций и диффузия, происхо-
дящие в процессе осаждения пленок [1, 2, 3]. На основе этих расчетов
созданы химические
механизмы роста пленок [1], верифицированные со-
ответствующими экспериментами. Для расчета констант скоростей гете-
рогенных процессов и кинетики роста плёнки использовалась программа
“Khimera” и модели ALD-реакторов в вычислительной среде “Chemical
WorkBench” [2]. Моделирование роста пленок производилось с помощью
метода кинетического Монте-Карло и позволило получить состав и струк-
туру растущей пленки [3]. Для последующего напыления металла на
ди-
электрическую пленку требуется хорошее качество поверхности. Поэтому
был определен оптимальный диапазон условий роста пленки, в котором
возможно выращивание достаточно гладкой пленки (шероховатость – до 1
атомного слоя).
С использованием полученных в процессе роста результатов были по-
строены интерфейсы пленок с различными металлами. С помощью перво-
принципного моделирования были исследованы стабильность и
электри-
ческие свойства этих интерфейсов. Показано, что интерфейс с polySi по-
казывает нежелательные электрические свойства, поэтому были предло-
жены другие металлы [4]. Для интерфейсов с Mo [5] и WC [6] показано,
что они обладают нужными свойствами и продемонстрирована важность
контроля за атмосферой напыления, во многом определяющей состав, а,
значит, и свойства интерфейса.
Список литературы
1. Deminsky M.A., Knizhnik A.A., Belov I.V., Umanskii S.Ya., Rykova E.A., Bagatur’yants
A.A., Potapkin B.V., Korkin A A. // Surface Science, v. 549, p. 67 (2004).
2. Iskandarova I.M., Knizhnik A.A., Rykova E.A., Bagatur'yants A.A., Potapkin B.V., Korkin
A.A. First-principles investigation of the hydroxylation of zirconia and hafnia surfaces // Micro-
electronic Engineering, v. 69 p. 587 (2003).
3. Iskandarova I.M., Knizhnik A.A., Bagatur'yants A.A., Potapkin B.V., Korkin A.A. First
principles calculations of interactions of ZrCl4 precursors with the bare and hydroxylated ZrO2
surfaces // Proceedings of SPIE Volume: 5401 «Micro- and Nanoelectronics 2003», 457.
4. Deminsky M., Chorkov V., Belov G., Cheshigin I., Knizhnik A., Shulakova E., Shulakov
M., Iskandarova I., Alexandrov V., Petrusev A., Kirillov I., Strelkova M., Umanski S., Potapkin B.