Марголин В.И. Основы нанотехнологии

Подождите немного. Документ загружается.

леева. В идеале необходимо сверхчистое вещество проверить на всю таблицу плюс

изотопы. В СССР особо чистые образцы проверяли на 73 элемента, что было суще-

ственно лучше, чем на Западе, но это были ужасающие времена тоталитарной нау-

ки, в отличие от науки истинно демократической. Так что определение чистоты ма-

териала далеко не

такая тривиальная задача, как может показаться.

Мировой приоритет в этом направлении принадлежит нижегородской научной

школе академика Девятых Г. Г., хотя степень чистоты отечественных промышлен-

ных образцов ниже, чем у соответствующих образцов западных фирм (как обычно

- научный уровень существенно выше, а производство отстает). Под его руково-

дством в 1974 г. создана Выставка

-коллекция веществ особой чистоты, вообще не

имеющая каких-либо аналогов в мировой практике. Основными задачами этой вы-

ставки являются сбор и анализ образцов наиболее чистых веществ, получаемых в

исследовательских организациях и на промышленных предприятиях и их аттеста-

ция. В коллекции представлено более 600 образцов наиболее чистых веществ и ма-

териалов, произведенных

в нашей стране. Теоретическим и прикладным фунда-

ментом этой дисциплины являются многие разделы физической химии и химиче-

ской технологии. На первый взгляд одним из наиболее важных и фундаментальных

должно быть определение понятия об "абсолютно чистом веществе" - АЧВ. Однако

парадокс заключается в том, что дать строгое определение этому понятию, по-

видимому, вообще

невозможно. При этом, конечно, не следует принимать во вни-

мание такие, ранее даваемые лапидарные определения как; "АЧВ - это такое, кото-

рое не содержит никаких примесей" или "... содержит молекулы (атомы) вещества

одного сорта и ничего более" и т. п. Эти определения не работоспособны и по сво-

ей сути бессмысленны (как, например, "

демократия"). Ситуация здесь принципи-

ально отличается от таких классических предельных понятий как: "идеальный газ";

"материальная точка" (в механике); или "абсолютно упругое тело". Значительно

продуктивнее оказалось представление о целевой чистоте, выражаемое понятием о

"веществах (материалах) особой чистоты - ВОЧ". Этот подход базируется на том,

что вклад различных индивидуальных примесей в изменение электрофизических

свойств полупроводниковых веществ может отличаться на много порядков. Осо-

бенно сильное влияние оказывают так называемые электрически активные приме-

си, являющиеся в полупроводниках донорами и акцепторами электронов.

Существенное различие вклада отдельных примесей в свойства матрицы на-

блюдается также для материалов, используемых в оптоэлектронике. Так, стеклооб-

разный диоксид кремния высокой чистоты имеет

очень низкое собственное погло-

щение и суммарные потери света порядка 0,2 дБ/км при длине волны 900—800 нм.

Наличие таких примесей, как фосфор, германий и бор в виде их высших оксидов

(Pb

, GeO

, B

) практически не изменяет спектральных характеристик стекла

на основе SiO

. Мало того, эти оксиды сами входят в качестве основных компонен-

тов в рецептуру некоторых силикатных стекол, используемых в волоконной опти-

ке. В то же время многие тяжелые переходные металлы и медь образуют в сили-

катных стеклах группу так называемых "красящих" примесей с исключительно вы-

сокими коэффициентами поглощения в рабочей области длин волн — 800 нм.

Можно сказать, что в работе с высокочистыми веществами то в большинстве слу-

чаев необходима целевая, а не

общая суммарная чистота материалов. Это значи-

тельно облегчает сложную задачу глубокой очистки веществ.

Понятие о "примесночувствительном свойстве" — ПЧС, одно из основных для

химии, технологии получения и применения высокочистых веществ. Оно непо-

средственно связано с представлениями о целевой чистоте. Несмотря на то, что на

интуитивном уровне считается очевидным что понимать под

примесночувстви-

тельным свойством, этому понятию нет строгого определения. В то же время име-

ются значительные разделы техники и научных дисциплин, которые практически

полностью основываются па эксплуатации примесночувствительных свойств (по-

лупроводниковая электроника, некоторые виды катализа, аналитическая химия вы-

сокочистых веществ, активация люминофоров и ряд других). Попытка дать опре-

деление понятию — примесночувствительное

свойство вещества - наталкивается

на многие принципиальные и практические трудности. Начнем с того, что нет

строгого определения самого понятия "свойство, а есть опять же его интуитивное

понятие. Вторая сложность вопроса связана с чрезвычайным многообразием

свойств. Это делает практически невозможным дать достаточно глубокий и квали-

фицированный анализ проблемы по всем конкретным свойствам. Обычно

к при-

месночувствительным свойствам F относят те, для которых сильно выражена их

зависимость α от концентрации примеси х. Можно принять значение a = dF/dx,

выше которого считать данное свойство примесночувстиительным, а ниже - не-

примесночувствительным. И возникает вопрос: можно ли найти естественную (на-

туральную) границу между этими группами свойств? По характеру концентраци-

онной зависимости основные

физические, физико-химические и химические при-

месночувствительные свойства могут быть разбиты на три основных группы.

К первой группе отнесены свойства, численная характеристика которых с хо-

рошим приближением линейно зависит от концентрации примеси. Для этих

свойств в широкой области малых концентраций примеси:

пр

оснпросн

FaxFF +=+=

(1)

где F

ОСН

- значение свойства чистого вещества основы; х

пр

- концентрация при-

меси. Для примесночувствительных свойств этой группы с хорошим приближени-

ем a=dF/dx

пр

=const. Примером примесночувствительных свойств первой группы

могут быть свойства, связанные с поглощением веществом электромагнитного из-

лучения или некоторых элементарных частиц. Различие в поглощающей способно-

сти света и сечении захвата тепловых нейтронов для некоторых матриц и примесей

в них может превышать 10

—10

и более раз. В достаточно широком диапазоне

малых концентраций примесей, к данной группе относятся некоторые электрофи-

зические характеристики полупроводниковых материалов.

Для второй группы α≠const в уравнении (1). В этом случае могут наблюдаться

логарифмическая, степенная и более сложные зависимости характеристик свойств

в широкой области малых концентрации примесей. Например, удельная электро-

проводность растворов слабых электролитов проходит через экстремальное значе-

ние при определенной концентрации. В то же время, так называемая эквивалентная

электропроводность, являющаяся расчетной парциальной величиной, монотонно

растет до своего предельного значения с уменьшением концентрации слабого элек-

тролита. Первая и вторая группы примесночувствительных свойств обратимы по

концентрации. Это означает, что их количественная характеристика будет одина-

ковой при заданной концентрации примеси независимо

от того, переходим ли мы

от большей концентрации к меньшей (разбавление) или двигаемся в противопо-

ложном направлении.

К третьей группе относятся свойства (явления, процессы), для которых их кон-

центрационная зависимость определяется направлением изменения концентрации

примеси. Для многих из этих свойств характерен механизм "спускового крючка" и,

соответственно, пороговые значения концентрации примеси.

Характерный пример

- каталитические эффекты в цепных реакциях.

Вообще с философской (в хорошем смысле этого слова) точки зрения к идее

высокочистого вещества можно подойти двумя принципиально различными спосо-

бами. Первый состоит в уменьшении концентрации примесного компонента. Это

обычный путь очистки от примеси. Второй заключается во все большем сближении

свойств компонентов, т.

е. матрицы и примеси, полагая, что их различие можно

сделать исчезающе малым. Специальным подбором молекул можно получить

очень близкие по свойствам соединения с одинаковой молекулярной массой. При

этом возникают нетривиальные вопросы. Можно ли считать чистым вещество, про

которое заведомо известно, что оно состоит из частиц разных веществ, но для ко-

торых

различие в их свойствах столь мало, что не имеется способов доказать это

различие? Существует ли квант различия, меньше которого частицы должны счи-

таться строго идентичными? Еще один яркий пример, поясняющий обсуждаемую

проблему. Известно явление ядерной изомерии. В этом случае ядра элементов

имеют одинаковые массы и заряд. Различие между ними только

в характере радио-

химических превращений. По-видимому, ничто не ограничивает нас в том, что мо-

гут быть два ядерных изомера с очень большими временами периодов полураспада.

Следует ли считать смесь из этих неотличимых, но разных атомов (одного и того

же элемента, однако) за чистое вещество? В чем природа скачкообразного измене-

ния

энтропии при смешивании компонентов, образуемых этими атомами?

По большому счету на парадоксы в физике есть несколько точек зрения. По-

видимому, крайние из них сводятся к следующему. Парадоксов, как таковых, нет, а

есть только недостаточный уровень знания проникновения в суть вещей. В соот-

ветствии с другой точкой зрения есть также истинные, неустранимые парадоксы.

Последние надо принимать как таковые, поскольку "они разрывы или складки в

формальной логике наших представлений о природе". Вернемся, однако, из мира

парадоксов в суровые трудовые будни.

Высокочистые вещества и

материалы можно получать самыми различными ме-

тодами. К основным методам (но далеко не полным) следует отнести: дистилляци-

онные, связанные с перегонкой вещества и известные из глубочайшей древности в

связи с необходимостью как повышения концентрации этанола в исходном про-

дукте, так и в удалении из водно-спиртовой композиции вредных примесей. Кри-

сталлизационные методы, связанные с полупроводниковой техникой и ювелирной

промышленностью (получение искусственных, или, как их называют, плавленых,

драгоценных и полудрагоценных камней). Важные проблемы в этой области - это

кинетика роста кристаллической фазы из расплава, испарение примеси из расплава,

поступление примеси из контейнера, рафинирование, противоточная кристаллиза-

ция и прочее. Химическое осаждение из паровой фазы

или иначе - CVD метод, ко-

торый наиболее хорошо разработан в связи с потребностями полупроводниковой

микротехнологии. Физические методы, такие, как термовакуумное напыление,

ионное, ионно-плазменное и магнетронное распыление также имеют неплохую

практическую и теоретическую базу. Также это очистка из взвешенных, в том чис-

ле и ультрадисперсных частиц; мембранные методы; методы и процессы

с химиче-

скими превращениями.

При всем этом мало получить хорошую наноразмерную пленку или конгломе-

рат наночастиц. Необходимо во время процесса роста оградить их от воздействия

внешней среды, что является далеко не простой задачей. Поверхность пленки на-

носимого материала непрерывно поглощает атомы остаточного газа. В связи с этим

она по своей структуре

и химическому составу отличается от монолитного мате-

риала. Например, после адсорбции кислорода напыляемыми пленками алюминия

наблюдается эффект уменьшения толщины пленки металла, поскольку поверхно-

стные атомы металла теряют свой металлический характер под влиянием хемо-

сорбции. Концентрация адсорбированных остаточных газов в напыляемой пленке

получается тем меньше, чем больше скорость напыления, но чем

выше скорость

напыления - тем дефектнее получаемая пленка.

Важнейшим фактором, от которого зависит чистота напыленной пленки, явля-

ются материалы, из которых изготовлены подколпачные устройства и оснастка,

используемая при напылении. Практика подтверждает прямую зависимость каче-

ства получаемых пленок от чистоты внутренних поверхностей вакуумной камеры.

Во всех методах необходимо учитывать поступление примесей из аппаратуры

. По-

скольку основные процессы нанотехнологии протекают пока на поверхности под-

ложки, рассмотрим их отдельно, но не поверхностно.

Глава II. Раздел 2. Проблема чистоты поверхности.

Поскольку поверхность находится в непосредственном контакте с внешней

средой, то она естественным образом подвергается различным воздействиям со

стороны этой среды, особенно если эта среда агрессивная или высокозагрязненная

(малозагрязненная среда, кстати, тоже не подарок). Загрязняющие посторонние

атомы и частицы различного размера могут осаждаться (и осаждаются, к

сожале-

нию) на поверхности образца (адсорбция) и могут затем проникать в его объемную

часть (абсорбция). Вопрос весь в том, как быстро и насколько интенсивно проис-

ходит этот процесс и что на самом деле мы исследуем - идеально чистую поверх-

ность образца или кучу грязи на ней.

При разработках того или иного микротехнологического

процесса обработки

поверхности кристалла (диффузии, окисления, эпитаксии, травления, напыления)

предполагается, что поверхность кристалла свободна от посторонних примесей или

имеет концентрацию их, определяемую составом исходных материалов (монокри-

сталлов полупроводника, легирующих добавок). Однако при рассмотрении и ана-

лизе поверхности кристаллов, подготовленных к технологическим операциям, вы-

являются большие отличия, действительной, реальной поверхности от

идеальной

модели, построенной на сведениях о кристаллическом строении идеальной решет-

ки полупроводников. Причиной такого отличия является неизбежная адсорбция

молекул газов окружающей среды на поверхности при любой обработке кристал-

лов.

Идеально чистой поверхностью полупроводникового кристалла считается по-

верхность, на которой полностью отсутствуют чужеродные атомы или молекулы.

Совершенно очевидно, что это полная утопия

и необходимо подходить к этому во-

просу по крайней мере с позиций здравого смысла. Прежде всего нало иметь в ви-

ду, что свойства областей полупроводника, непосредственно прилегающих к по-

верхности, существенно отличаются от объемных свойств образца. Поверхностные

атомы, образующие границу кристаллической решетки, имеют ненасыщенные свя-

зи, поэтому вся поверхность обладает

высокой химической активностью. При на-

личии в окружающем пространстве молекул или атомов газов, паров различных

веществ, они адсорбируются на поверхности и прочно связываются с ее атомами.

Идеально чистую поверхность можно получить и сохранить только в условиях

идеального вакуума. В практике эксперимента имеется несколько способов полу-

чения кристаллов с чистой поверхностью: дробление

и раскол поверхности веще-

ства в высоком вакууме, бомбардировка поверхности атомами инертных газов с

последующим отжигом образца, прогрев поверхности в вакууме и др.

Различают два вида адсорбции молекул газов на поверхности: физическую и

химическую - хемосорбцию. При физической адсорбции слой молекул связан с

атомами поверхностного слоя силами Ван-дер-Ваальса, а

при химической адсорб-

ции - силами химического взаимодействия. Понятие монослойного покрытия имеет

различный смысл при обоих видах адсорбции. При хемосорбции число адсорбиро-

ванных атомов в одном монослое равно числу поверхностных атомов подложки

(кремния или германия в микроэлектронике). Поскольку у монокристаллов обычно

число атомов в различных плоскостях кристаллической решетки различно, то будет

различно и число атомов в одном адсорбированном монослое. Число атомов

крем-

ния, к примеру, на площади 1 см

в плоскости [111] составляет 7,84⋅10

, в плоско-

сти [101] оно равно 9,58⋅10

, в плоскости [100] 6,78⋅10

ат/см

. Из этого сравнения

видно, что в плоскости [100] может хемосорбироваться наименьшее количество

атомов в одном монослое.

Число атомов в одном монослое при физической адсорбции зависит от разме-

ров адсорбированных молекул, находящихся на поверхности в жидких или твер-

дых фазах. Таким образом, количество адсорбированных молекул при физической

адсорбции не зависит от природы

вещества поверхности, а зависит только от пло-

щади поверхности и размеров посадочных площадей молекул. У различных газов

различны посадочные площади молекул. Например, посадочная площадь молекулы

азота равна 0,162 нм

, криптона 0,192 нм

, аргона 0,146 нм

. Исходя из практиче-

ских представлений достаточно чистой поверхностью полупроводникового или

другого кристалла считается та, химический состав которой однороден со вторым

внутренним слоем атомов и которая покрыта не более одной сотой монослоя чуже-

родных атомов.

Возникает, естественно, вопрос о том, что понимать под идеально чистой по-

верхностью. Совершенно очевидно, что идеально

чистой будет только что образо-

вавшаяся, так называемая ювенильная поверхность, получаемая раскалыванием

образца в вакууме или каким либо другим способом, например, отщеплением пла-

стинки слюды от цельного конгломерата. Возникает сразу же следующий законо-

мерный вопрос, а какое время такая поверхность будет оставаться ювенильной?

Необходимо если не прекратить, то максимально уменьшить поступление

инород-

ных атомов, молекул и частиц из окружающей атмосферы. Можно считать разум-

ным приближением, если за час времени число атомов, адсорбировавшихся на по-

верхности подложки (адатомов) составит не более нескольких процентов монослоя,

т.е. на поверхности еще не образуется сплошная пленка толщиной в один атом, а

будет иметь место островковая

структура, занимающая площадь поверхности в не-

сколько процентов. Исходя из кинетической теории газов скорость поступления

атомов или молекул r из газа с концентрацией n и средней скоростью с

равна:

r =

тогда как, приравнивая кинетическую энергию частицы массой m со средней

квадратичной скоростью с

ср.кв.

ее тепловой энергии, определяемой абсолютной

температурой Т и постоянной Больцмана К

получаем:

К3c

.кв.ср

и окончательно, используя соотношение между двумя этими скоростями:

.кв.ср

2/1

с учетом того факта, что давление Р определяется, как:

TnKP

можно получить выражение для скорости поступления частиц к поверхности под-

ложки:

2/1

TmK2

⎥

⎦

⎤

⎢

⎣

⎡

В более привычном виде, в котором давление Р выражено в миллиметрах ртут-

ного столба, температура Т в градусах Кельвина, а масса m заменена молекулярной

массой М это выражение примет вид:

2/1

)TM(

P1051,3r ⋅=

где r имеет размерность молекула⋅см

-2

⋅с

-1

. Для молекулы азота (М=28), к при-

меру, при комнатной температуре (Т=293 К) и давлении 1 Торр (мм.рт.ст.) скорость

подвода равна 3,88⋅10

молекула⋅см

-2

⋅с

-1

Для практических целей самым удобным будет привести в соответствие ско-

рость образования монослоя и величину давления в камере, чтобы осмысленно

подходить к выбору технологических параметров. Если посчитать, что атомный

монослой содержит примерно 10

- 2⋅10

атом/см

и что все молекулы, поступаю-

щие к поверхности остаются на ней (полностью отсутствует явление десорбции),

то при вакууме 1 торр и комнатной температуре время образования на поверхности

одного монослоя из адсорбированных газов составляет всего 3⋅10

-6

сек, а при ва-

кууме 10

-6

торр (довольно неплохой вакуум для большинства технологических и

исследовательских установок, используемых в микроэлектронике) - 3 сек соответ-

ственно. Это время полного зарастания подложки грязью! Для того, чтобы иметь

более или менее приемлемое время для оперирования с ювенильной подложкой

(хотя бы один час, к примеру) - а для этого необходимо ограничить ее загрязнение

хотя

бы несколькими процентами монослоя, необходим вакуум в установке 10

-10

торр.

При изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов и монолитных

ИС кристаллы невозможно защитить от адсорбции молекул или атомов газа той

атмосферы, в которой они находятся. В связи с этим понятие чистой поверхности

кристаллов имеет относительный характер. Технологически чистой поверхностью

можно считать такую, которая имеет поверхностную концентрацию примесей, по-

зволяющую воспроизводимо получать

нужные электрические параметры поверх-

ностных и глубинных слоев обрабатываемых кристаллов. При контакте незащи-

щенных полупроводниковых кристаллов с атмосферным воздухом на их поверхно-

стях адсорбируются в основном молекулы воды и кислорода, а также молекулы

других газов, аэрозоли различного происхождения, продукты химических реакций,

примеси химреактивов и моющих составов. Удаление этих загрязнений с поверх-

ности пластин представляет значительные трудности.

Заключительным этапом в длительном процессе очистки поверхности

пластин

в микротехнологии перед напылением является удаление молекул адсорбирован-

ных веществ во время откачки воздуха из рабочего объема. Очистка изделий на

этом этапе зависит от величины остаточного давления воздуха в откачиваемом

объеме и температуры размещенных в нем подложек. При откачке молекулы газов

десорбируются с поверхности пластин и удаляются насосом. Десорбция

паров во-

ды с поверхности кремния даже в вакууме очень затруднительна: при температуре

подложки, равной 200—300 °С, и имеющемся при этом вакууме в 10-

- 10-

мм. рт.

ст. на поверхности пластины остается как минимум два монослоя молекул воды.

Оставшиеся на поверхности кремниевой пластины молекулы воды способны взаи-

модействовать с напыляемой пленкой, образуя окиси и высвобождая при этом во-

дород. Применение самых современных методов очистки подложек - обработка

ионными пучками, снимающими слой загрязнений вместе с поверхностным слоем

подложки, требует в итоге соблюдения тех же технологических параметров по ве-

личине остаточного вакуума.

Глава II. Раздел 3 Проблема чистоты производственных помещений.

Эксплуатация столь совершенного технологического оборудования, работаю-

щего с вакуумом порядка 10

-9

Торр и лучше невозможна в обычных помещениях, а

может производиться только в специальных, так называемых "чистых комнатах",

"чистых производственных помещениях" или гермозонах. Степень чистоты возду-

ха в рабочих помещениях зависит от многих факторов, в том числе и от содержа-

ния пыли в забираемом атмосферном воздухе, поскольку больше ему взяться неот

куда, а дышать обслуживающий персонал все-таки должен, поскольку без зарплаты

жить можно долго, а без воздуха нет. Чем выше концентрация пыли в очищаемом

воздухе, тем больше может быть просачивание пыли через систему очищающих

фильтров. Атмосферный воздух городских районов содержит от 1 0,2 до 15 мг пы-

ли в 1 м

, а вблизи промышленных предприятий имеет еще большую запыленность

ввиду недостаточной фильтрации различного рода газовых и воздушных выбросов.

Состав пыли в воздухе различных районов может существенно отличаться. Более

всего в воздухе содержится волокон различного происхождения, минеральных час-

тиц, продуктов биологическом происхождения и пыли, выделяющейся при обра-

ботке изделий на промышленных предприятиях.

Процентное содержание этих составных частей в воздухе различно в зависимо-

сти от местных условий. Большинство взвешенных в воздухе частиц имеют размер

от 0,1 до 1 мкм. На частицы этих размеров приходится менее 1,5% массы всей пы-

ли, но количество их в литре воздуха исчисляется тысячами. Зависимость количе-

ства пылинок в атмосферном воздухе от

их размера приводится в таблице 2.3.1.

Несмотря на возможные отклонения на частицы размером до 0,5 мкм приходится

свыше 80% общего числа частиц. Частицы с размером до

0,5 мкм, проникающие в производственные помещения и

рабочие объемы, и являются весьма опасны-

ми источниками загрязнения изделий. При

больших концентрациях таких частиц возрас-

тает вероятность их взаимного сцепления

возникновения частиц с большими размера-

ми, т. е. происходит процесс укрупнения час-

тиц. Такие агрегаты уже абсолютно недопус-

тимы в микротехнологии, не говоря уже о

нанотехнологии. Поэтому наряду с очисткой

воздуха, подаваемого в чистые помещения

извне, абсолютно необходима фильтрация и

рециркуляционного воздуха. Она доводится в случае, если схемы воздухообеспе-

чения

предусматривают неоднократное использование воздуха чистых помещений.

Даже в самых чистых производственных помещениях неизбежно проходят процес-

Табли

а 2.3.1.

Размер пыли-

нок, мкм

Кол-во пылинок

в 1 л воздуха,

тысяч

0,32 - 0,40 90

0,40 - 0,50 50

0,50 - 0,64 20

0,64 - 0,80 5

более 0,8 2

сы пылеобразования как в результате проведения технологических процессов, так

и в результате присутствия и деятельности людей.

Требования к чистоте атмосферы в таких чистых помещениях отличаются не-

обычайной суровостью. До середины восьмидесятых годов требования, по совре-

менным понятиям, были необычайно мягкими. Все помещения для технологиче-

ских операций делились на 5 классов. Требования

к самому жесткому классу пре-

дусматривали содержание в атмосфере чистой комнаты не более 4 пылинок разме-

ром более 0,5 мкм в 1 литре воздуха. Содержание более мелких пылинок вообще не

учитывалось! Безусловно, для микроэлектроники, освоившей размеры элементов

порядка 0,1 мкм это абсолютно не приемлемо, не говоря уже о нанотехнологии.

По принятой сейчас классификации класс

чистоты определяется числом пыли-

нок размером менее 0,5 мкм (более крупных там просто не может быть в принципе)

в одном кубическом футе воздуха. Например, класс чистоты 100 означает, что в

атмосфере гермозоны концентрация пылинок размером менее 0,5 мкм не превыша-

ет 100 на кубический фут. Наш соотечественник не привык разбираться в этих фу-

тах (обычная

мера литр или в крайнем случае пол-литра). Поэтому мы меряем чис-

ло пылинок в литре, но не в одном, а в 30 (знай наших!), что вообще-то не соответ-

ствует кубическому футу. Обеспечить такую чистоту можно, беспрерывно прока-

чивая и прецизионно очищая весь воздух в помещении через систему мощных и

высококачественных фильтров 120 раз в минуту, поскольку обычный человек (вот

несовершенное создание - то) выделяет в минуту 1,5 миллиона таких частиц, даже

если он абсолютно голый. Данные по пылеотделению от спецодежды для гермозон

и загрязнению атмосферы человеком частицами аэрозолей в одну минуту в зависи-

мости от вида деятельности представлены в таблице 2.3.2., причем для частиц

размерами более 0,5 мкм.

Таблица 2.3.2

Вид деятельности Число частиц в минуту

Неподвижность 100 000

Легкие движения руками или головой 500 000

Энергичные движения 1 000 000

Вставание с места 2 500 000

Ходьба со скоростью 3 км/час 5 000 000

Ходьба со скоростью 6 км/час 7 000 000

Ходьба со скоростью 9 км/час 10 000 000

Подъем по лестнице 10 000 000

Вольные движения или игра

(15 - 30)⋅10

Пыль, кстати, не самое неприятное. Площадь поверхности человеческого тела

составляет примерно 1 м

, и с этой поверхности через кожу в окружающее про-

странство выделяются пары солей, воды, органических кислот, кожного жира и це-

лой гаммы различной органики. Происходит постоянное отшелушивание отмер-