и
применении А|1я
силицирования
реторты
с
внутренней о6ли-
цовкой
и3
х{елеза
или малоуглеродистой
сталп.
1аким
образом,
анали3
литературных
даннь|х
свидетель-
ствует
о
том'
что механизм
реакший
газового
силицирования
в
среде 5!€1ц ну>клается в
дальнейгцем
теоретическом
и
экспе_
риментальном
уточнении.
Ёи:ке
приведень1
некоторь]е
конкретнь1е
данные
о влиянии
температурь1'
времени
и состава газовой
фазь:
на кинетищг
формирования
силицированного
слоя. Б
табл. 19 представлены
ре3ультать1
силицирования
технически
чистого >келеза в
среде
5|с14+н2
по
данньтм
работьт
[229].
3ависимость
толщиг!ы
силицированного
слоя
на }келе3е от
температурь|
при
различнь1х
га3овьтх
силицирующих
смесях'
по
даннь1м
м. и. 1униной и Ё.
[.
(люнников
а
|2\7)'
приве_
дена
на
рис.
38.
Баибольтпая толщина
слоя при температурах
800-1100
"с
бьтла полунена при силицировании в среде
5!€1+
и 11э в присутствии кремния; несколько ме}{ь1шая при нась1ще-
нии в среде
5|€1+
и Ё2] минимальная
толщина слоя получена
лр|4 силицировании
в среде
5!€1+
и Аг в присутствии кремния.
1акой характер
зависимости толщины силицированного слоя1
от температурь|
и состава силицирующей смеси подтвер'(дает;
таблица 1$,
д
о
^Ф
*о
!
2
3
4
5
6
51с14+н2+5|
в квар:{евой
реторте
5|с14+н2+ферросилиший
в кварт{евой
реторте
5|с|4+н?+5|
в
реторте
из
х<ароупорной стали
с внутренней флицов_
кой
из
технически чис-
того )келеза
|1окрьлтие нъравномерное
5о-70
ю-70
50-80
|1окрытие
неравномерное
||осле
первого опь1та покрь|тие
неравномерное'
после
второ.
го и
третьего
равномер[{ое-
50-80 лк
||осле первого
опь|та
покрь|тие
неравномерное' после вто_
рого
и третьего
равномер-
ное
-
50_80 л:!'''
900
900
950
1000
1050
1050
900
2
2
1
0,5
0'б
!
2
900
|!римечание.
|1ервьте
опь:ть:1,7 и8-й серий
проводились
тортах
остальнь|е
_
в бывших в
употреблении
ретортах
без
нок
от осадков продуктов
реакт|ий.
\28
{
(
!
ре-{
сте-;
[остав насыщающей среды
800
900
/000
Рис. 38.
3ависимость
глубиньп слоя
о1
состава
атмосферы и
те'мператур.ь[
|уу7:
т
--:-5!(1ц
п
Ё:
в
присутствии-за;
э
^-51(11
и
||,э;3-
$!€1ц
и
Аг
.в
присутствии 5|
:
участие
водорода
и элементарного
кремния
в процессах
сили_
цирования.
^н.
с.
[орбуновь:м
и
А. €.
Акопд>каняном-
[218]
бь:л
разра_
ботан
хлорнцй
способ
га3ового
силицирования,
при котором
реакционное
пространство
печи
3аполняют
хлором
при
ком_
натной
температуре,
бе3 пропускания
га3а
через
печь
во
!Ремя
процесса.
[айе
при таком
способе
следует
избегать
и3бь1тка
хлора'
который
приводит
к
разруц]ению
насыщаемого
метал_
ла. Фптийа]тьная
концентрация
хлора
в
реакционноц
камере
|-2 мл
на \
см2 поверхности
нась1щаемого
металла.
нась1ща_
емь1е
изделия
находятся
в
контакте
с поро1|]кообразнь1м
крем_
нием.
Р езул
ьтатьт исследова
н ия кинетики
силициров^а\1|1я
х(елез
а
Армко,
по
даннь|м
[202],
приведень|
на
рис.
39.
Ф^птимальнь:м
ийтервалом
температур
силицирования
является
950-1
100
'€,
@брйзуются
диффузионнь!е
слои
кремнистого
феррита
доста-
точной
толщинь[
и плотности.
глубина
сдоя
за 4
цас
насыще-
ния
при
температурах 950,
1000,
1050
и
1100"с
находится
в пре'елах
около
150,
215, 270 п'360
лк.
Ёа сталях
при
таких
условиях
образуются
слои
мень!]]ей
глубины.
|{ри газовом
силицировании
с непрерь1внь|м
пропусканием
хлора или
хлористого
водорода
через
реакционную
камеру
с
деталями
и
ферросилицием
|1л|1
кар6|4дом
кремния
зась1пка
деталей
ферроёиййцием
или
карбидом кремния
необя3ательна'
ЁеконтайтЁ6е
располо}к9ние
йзделий
и
ферросилиция
\'\л\,
карбида
кремнйя
дает
во3мо>кность
получения
луншей
чистоть|
в
новь|х
очистки
9.
3ак- !6
129