'
ц!/ае
Рис.
75.3ависиптость
толщинь|
силициднь|х
слоев
на
молибдене
от продол_
х{ительност"'дектРоли3|]{ь:[:#?;;1{
тока:
!
0'6{|':ь';|
^ -3лектроли3ное.силицирование
молибдена
в
расплаве
моно_
с|4ликата
натрия
(!3
вес.
0/9
)
и
фторис"о.о
н'три"
со7
й..
у';
при
температ'уре
1100
"с
и плотност}х
тока
бд|
ъ'';
{5''у}*'
:::':д9:з{и
авторь1
работьт
|444].
|1ри
ддительности нась1ще-
ния
|' ,5
и 4
час
получено
покрь1ти'е'
состоящ99-из
/[о5|:,
микро-
]|еРдч,
которого
изменяет!я
от
1349
до
976 кг|м}э"1э
глт-
оине.
!|ри
0-6-часовьтх
ре)кимах
нась|щения
образовалиёь
{!{}Фазньле
диффузионнь!е
слои
(}1о5!:,
-й'|з;'|,
й"?Ёй""р-
дость
которь]х
и3менялась
по
глубине
от
!2\4
!о
875
кгц)э'
|1ри
плотности
тока
0,3
а|
см2
за"ц
чБс
получен
слой
толщино:?
50
мк (рис.
75).
.'
[азовое
силицирование
тугоплавких
металлов
и
титана
осуществляют
в
смеси
паров
5!€1ц,
Б€1
или
€12
с
водородоп{'
а3отом'
аргоном
или
гелием
в
присутствии
поро1|]ка
кремния
прямоточнь1м
и
циркуляционнь1м
способами,
а
такх{е
Ё
''-'_
щем
ра3ряде.
|1о
данньтм
ФитшеРа
[446,
447]'
в.
н.
(онева
и
соавторов
{1{9],.
при
силициров6ний
молибдёна
в
газовой
смеси
5|€1ц
]{
'п2
п!и
малом
времени
нась|щения
образуется
слой
дисилици_
да'
процесс
подчиняется
параболическому
временному
закону,
в
то
время
как
при
длительном
процессе
нась|щения
|
д"ффй:
зионном
слое;_кроме
дисилицида,
о6нару>киваются
еще
силици_
дьт
.&1оь5!з
и !!1о3$|.
_ !р"
температурах
силицирова!тия
н-и>ке
1420
'€
(темпера-
:у.р'1_1]1^"-{""ия
кремния)
обы.нно
формируется
трёхфазнБЁ:
диФФу3ионньтй
слой,
вьт:шеэто_й
температуры
покрь]тие
состоит
из кремния
и
д}1силпцида
!4501
Авторьт
работъ:
[{{9]
йсслЁдовали
процесс
образования
д|4с|1лу\ц|1да
молибдеца
на
поверхности
металлов
"-сЁ.!"
51сг',
240
./!1о(1э
и Ё2 за
счет гетерогенной
химической
реакции'
происхо-
дящей
в пр'отонной
реакционной
камере:
$о€15
+
51с14
*
Ёэ
*
мо5|'
-.]-
нс1,
т919р^щ
1еРмодинамически
возмох(на
при
температуре
вь|1пе
1200"с.
Б
*ачестве
га3а_носителя
Аля
3|с1+
оь:й исйользован
аргон'
лля
}1о€15
*
гелий.
[азовому
силицированию
при 1050
"с
в
среде
51€|1
подвер-
гали
сплав
нпо6ня,
легированньтй молибденом
[460].
Ёа
по_
в9Рхности-обнару>кена
фаза,
близкая
по составу к
дисилициду
(}:}б'
!!1о) $'!2, пФ.(' которь|м
расп0лагался
двухфазнь:й
слой вьт-
сокодисперсного
А\1€1$у1:1\|1Аа
ът.но6ия
и
твердого
растйора
кремнйя
в ниобии, количество,которого
увеличивается
по
глу_
бине
слоя.
[азовое силицирование прямоточнь1м
спосо6ом
по3воляе.г
получать на поверхности тугоплавких металлов
силициднь]е
слои
достаточной
толщинь1 11а
и3дел'1ях любой
формьт.
Ёедо-
стдтками этого
способа силицирования
являются
невь|сокая
скорость
и
равномерность
нась1ще|{ия,
большой
расход
га3ов'
в3рывоопасность
ц
АР.
3начительно
лучшие
ре3ультать1
бь:ли
полунень|
при
испо'ль3овании
циркуляционного
спосо6а и
силицирования
в тлеющем
ра3ряде.
11,иркуляционнь|й способ
га3ового силицирования
тугоплав-
ких_металлов
разра6отан
и исследован
авторами
работ
[451_-
4б5]. в ос!'ове этого процесса
лежит явление переноса вещест-
ва в 3амкнутом
га3опроводе
при систематическом
восстановле-
нии
газоперевосчика 3а счет обратимьтх
реакций,
ход которь]х
регулируется
и3менением температрь|
в
различных
участках
га3опровода
[481].
€ушествует
несколько вариантов'еилицирования
циркуля-
щионньтм
м,етодом.
|1ервьлй
и3 них 3аключается в следу,ющем:
в вь|'сокотемпературную
3ону
устайов'ки
.помещают
!{Ф0Ф:1].|Ф](
кремния'
в
низкотемпературную
-
и3делие'
установку
3апол-
няют парами галогениАа
лиффундирующего
эле|мента, осевой
вентилятор
еоздает принудительнь:й газовь:й
пото'к,
не
нару_
тш{я
герм,етичности камерь1. газом-носителем
слу')кит арг,он.
|!ри взаимодей,ствии
51€1ц
и
кремния
образуются субхлоридьт
кремния
5!€1э
и
5|€1з:
51с14+51+25|€1,
351с|4*$!+45!с19,
которь|е
реагируют
с метал]юм с
о6разованием
дисилицида
по
реакциям:
.
4$1с1,
+
.!!1е
_>
2$!с14
+
ме$12,
8$1с|3
*
/'1е
-+
6$1€|д
+
м&91'.
16.
3ак. 16
241