Испаряющийся микрослой ^<идкости имел (в сечении) клиновидную
форму, причем в ряде случаев происходило полное испарение этого слоя
в районе центра парообразования. Исследования показали, что радиус
образующегося при этом «сухого» пятна приблизительно пропорциона-
лен корню квадратному из времени роста парового пузыря, причем наи-
более интенсивное утонение (за счет испарения) микрослоя происхо-
дит в сравнительно небольшой области, прилегающей к «сухому» пят-
ну. Толщины микрослоя вне этой области остаются во времени
практически постоянными, что может быть объяснено, очевидно,
эффектом подтекания жидкости от периферии к центру основания
пузыря.
Изучение испарения микрослоя ттод растущим пузырем с помощью
лазерной интерферометрии проведено в работе
[27]. Опытные данные по толщине испаряюще-
гося микрослоя получены авторами при кипении
дихлорметана на поверхности стеклянной пла-
стины, покрытой тонким слоем двуокиси олова.
Результаты [27] также подтверждают точку
зрения о преобладающем утонении микрослоя
в зоне, прилегающей к «сухому» пятну, хотя авто-
ры отрицают пропорциональность радиуса «сухо-
го» пятна радиусу парового пузыря.
Существование в основании парового пузыря
точек непосредственного контакта пара с грею- Характер изме-
г г нения температуры по-
щеи поверхностью подтверждается и косвенны- верхмости под паровым
ми измерениями М. Купера и А. Ллойда [270, пузырем согласно [270,
271]. М. Купер и А. Ллойд с помощью миниа- 271].
тюрных полупроводниковых термометров сопро-
тивления измерили профиль температур в четырех точках под расту-
щим паровым пузырем при кипении толуола на стеклянной поверх-
ности нагрева. Измерение температур было синхронизировано с вы-
сокоскоростной киносъемкой. Характерная температурная кривая, полу-
ченная на расстоянии приблизительно 1,2 мм от центра «пузыря, приве-
дена на рис. 2-2. Авторы следующим образом объясняют различные
участки 1кривой. Участок / — падение температуры поверхности за счет
интенсивного испарения микрослоя. В точке А микрослой испарился
полностью и на участке // происходит увеличение температуры ввиду
низкого значения коэффициента теплоотдачи к пару. Точка О соответ-
ствует моменту отрыва пузыря. Более «холодная» жидкость устрем-
ляется в освободивщееся пространство, понижая температуру поверх-
ности в данной точке (участок ///). На участке IV имеет место восста-
новление температуры поверхности и образование перегретого погра-
ничного слоя. В точках же, «более удаленных от центра пузыря, где за
время роста, как полагают авторы, микрослой не успевает испариться
полностью, повышение температуры поверхности начиналось лишь пос-
ле отрыва парового пузыря. Определяя начальные толщины микрослоя
(путем численного решения), М. Купер и А. Ллойд показали, что на-
чальная толщина микрослоя прямо пропорциональна расстоянию от
центра основания пузыря. Линейная зависимость начальной толщины
микрослоя от радиуса пузыря аналитически показана и в [141].
Наличие в основании парового пузыря «сухого» пятна подтвержда-
ет и проведенное нами кинематографическое изучение динамики роста
паровых пузырей азота, воды и этанола [38, 199], когда в режиме раз-
витого пузырькового кипения практически отсутствовал промежуток
69