Можно предположить, что различные значения температурных напоров, опреде-
ляющих начало кипения жидкостей на разных металлах, вызваны следующим меха-
низмом:
при одинаковых перегревах стенки АГ вероятность появления паровых зародышей
на поверхностях нагрева, выполненных из различных металлов, очевидно, одинакова.
Однако дальнейшая судьба зародышей должна быть, с нашей точки зрения, различ-
ной. Известно, что спустя несколько миллисекунд после появления зародыша скорость
роста парового пузыря не зависит от динамических эффектов, определяемых уравне-
нием Релея [451], а определяется интенсивностью подвода теплоты к поверхности
пузыря.
Поступление теплоты в пузырь возможно двумя путями: от теплоотдающей стен-
ки и перегретой жидкости. Если предположить, что вершина пузыря может находиться
в жидкости, имеющей температуру ниже температуры пара в пузыре, то на части по-
верхности пузыря будет происходить конденсация пара. Очевидно, что в этих условиях
«судьба» пузыря будет определяться соотношением интенсивностей подвода и отвода
теплоты от поверхности раздела фаз. Чем выше коэффициент аккумуляции теплоты
материала теплоотдающей поверхности при прочих равных условиях, тем выше вероят-
ность закипания. Для материалов с низкой аккумулирующей способностью закипание
может произойти лишь при более высоком температурном напоре. Подобное объясне-
ние безусловно является приближенным, однако, с нашей точки зрения, правильно
отражает физическую картину явления и дает возможность качественно оценить по-
лученные результаты.
Следует отметить весьма своеобразное закипание гелия на всех
исследуемых поверхностях нагрева. Визуальные наблюдения за процес-
сом показали, что в момент закипания гелия на поверхности нагрева
появлялись отдельные пятна центров парообразования, которые быстро
покрывали всю поверхность даже при незначительном увеличении теп-
лового потока.
Дальнейшее повышение тепловой нагрузки не приводило к росту
числа действующих центров парообразования; увеличивались в разме-
рах лишь отдельные из большого числа паровых пузырей, поднимаю-
щихся от поверхности нагрева. Иначе говоря, плотность центров паро-
образования достигала своего насыщения практически в момент
закипания; увеличение теплосъема с единицы поверхности (при повыше-
нии тепловой нагрузки) происходило, очевидно, лишь за счет воз-
растания скорости роста паровых пузырей при неизменности их обще-
го числа.
Опыты показали, что температурный напор, соответствующий пер-
вому кризису кипения на поверхности из меди, значительно ниже, чем
для других исследуемых металлов. Так, при кипении гелия на медной
поверхности ЛГкр1^0,17 К, а для бронзы, никеля и нержавеющей стали
лежит в пределах 0,32—0,38 К. Эти значения критических температурных
напоров согласуются с результатами, полученными в работах [92, 403],
и значительно ниже, чем в работе [283]. Значения АГкр! из последней
работы, лежащие в пределах 0,95—1,37 К, очевидно, можно считать
ошибочными, так как значение максимально возможного перегрева для
жидкого гелия при давлении ЫО® Па, рассчитанное по уравнению
Ван-дер-Ваальса, равно приблизительно 0,47 К-
Анализ значений первой критической плотности теплового потока
(см. табл. 1-5 и рис. 1-25—1-28) показывает, что как при кипении азота
и гелия в большом объеме, так и в пленке, эти значения снижаются по
мере ухудшения теплофизических характеристик материала теплоотдаю-
щей поверхности.
Следует заметить, что первые критические плотности тепловых по-
токов для гелия, полученные в наших опытах, были несколько ниже,
чем в работах [92, 283, 403]. По-видимому, использованные нами тех-
нические материалы имели более низкие значения теплофизических
свойств, входящих в комплекс 1/Хср.
37