Статья
  • формат pdf
  • размер 617.05 КБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
Лыньков Л.М. и др. Легированные оксиды титана и циркония в технологии формирования защитных покрытий
Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84
Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздействиям высокой температуры плазмы, коррозионных сред, медленных нейтронов, в качестве материала твердотельных электролитов и др. Наиболее перспективными для получения защитных покрытий являются оксиды титана и циркония.
В настоящее время в литературе имеется много сообщений о способах получения пленок диоксида циркония и титана. Многообразие методов нанесения объясняется различием химической природы исходных пленкообразующих веществ, материала тех изделий, на которые должны быть нанесены пленки, а также различным назначением пленок и разнообразными условиями их использования. Нанесение пленок может осуществляться так называемыми физическими (или вакуумными) и химическими методами при использовании различных химических реакций или физико-химических процессов, происходящих на поверхности твердого тела.
Смотрите также

Башарин А.А. Искусственные магнитодиэлектрики и метаматериалы и их применение в целях улучшения распределения полей в рабочей зоне коллиматора

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 1.1 МБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Автореферат кандидатской диссертации. Специальности 01.04.13 — Электрофизика, электрофизические установки, 05.12.07 — Антенны, СВЧ устройства и их технологии. Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН. Москва 2010 г.

Березин В.М. Методы формирования тонкоплёночных структур

  • формат pdf
  • размер 1.27 МБ
  • добавлен 18 августа 2011 г.
Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся тонкоплёночными технологиями.

Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.41 МБ
  • добавлен 28 марта 2009 г.
Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение

  • формат djvu
  • размер 6.28 МБ
  • добавлен 18 февраля 2011 г.
М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

Гудкова С.А. Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 608.31 КБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с. Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет). Целью работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов TixAl1-xO...

Ежовский Ю.К., Денисова О.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов

  • формат pdf
  • размер 973.23 КБ
  • добавлен 24 января 2011 г.
СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с. Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология электронных средств") и направлению подготовки бакалавра 551100 - "Проектирова...

Лабораторная работа - Физико-химические основы технологии электронных средств. Часть 1

Лабораторная
  • формат pdf
  • размер 430.06 КБ
  • добавлен 20 июня 2011 г.
Шелохвостов В. П., Баршутин С. Н. -Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. Ч. 1. 32 с. Представлены лабораторные работы по основным физико-химическим процессам в технологии электронных средств: элементы, компоненты и топология интегральных средств, влияние температуры на скорость химической реакции, электролиз, химическое травление, очистка подложек, окисление кремния. Предназначены для студентов 3 и 4 курсов дневной и заочной форм обучения...

Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 30 января 2012 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А

  • формат pdf
  • размер 11.54 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

Практикум
  • формат pdf
  • размер 593.7 КБ
  • добавлен 26 января 2012 г.
СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...