Учебно-методический материал по программе повышения квалификации
«Новые подходы в исследованиях и разработках
информационно-телекоммуникационных систем и технологий». - Нижний
Новгород, ННГУ, 2007. - 61 с.
Проанализированы и обобщены результаты современных исследований, посвященных применению, изучению и модификации свойств многослойных нанопериодических структур на основе кремния и диэлектрических материалов. Наибольшее внимание уделено процессам формирования наноразмерных кристаллов Si путем кристаллизации слоев аморфного кремния и восстановления кремния из слоев SiOx помещенных между чередующимися слоями оксида (SiO2). Рассматриваются особенности целенаправленной модификации наноструктур путем вариации геометрических параметров многослойных структур, условий их термообработки и легирования. Обсуждаются проблемы применения многослойных наноструктур на основе кремния в таких устройствах опто- и наноэлектроники, как источники когерентного излучения, солнечные элементы третьего поколения, а также элементы флэш-памяти.
Проанализированы и обобщены результаты современных исследований, посвященных применению, изучению и модификации свойств многослойных нанопериодических структур на основе кремния и диэлектрических материалов. Наибольшее внимание уделено процессам формирования наноразмерных кристаллов Si путем кристаллизации слоев аморфного кремния и восстановления кремния из слоев SiOx помещенных между чередующимися слоями оксида (SiO2). Рассматриваются особенности целенаправленной модификации наноструктур путем вариации геометрических параметров многослойных структур, условий их термообработки и легирования. Обсуждаются проблемы применения многослойных наноструктур на основе кремния в таких устройствах опто- и наноэлектроники, как источники когерентного излучения, солнечные элементы третьего поколения, а также элементы флэш-памяти.