Учебно-методический материал по программе повышения квалификации
«Новые материалы электроники и оптоэлектроники для
информационно-телекомуникационных систем». - Нижний Новгород, ННГУ,
2006. - 83 с.
Проанализированы и обобщены результаты современных исследований, посвященных изучению свойств наноструктур на основе полупроводниковых (Si, Ge) включений в оксидных материалах. Наибольшее внимание уделено процессам формирования нанокластеров и нанокристаллов Si в матрице SiO2 (при окислении пористого и осажденного кремния, высокотемпературном отжиге слоев твердого раствора SiO2:Si, формируемых путем осаждения SiOx или имплантации Si+ в SiO2), обсуждению возможных механизмов и моделей люминесценции. Рассмотрен вопрос управления эффективностью люминесценции путем легирования системы SiO2:nc-Si различными примесными элементами. Описаны достигнутые результаты по формированию и свойствам нанокристаллов Si, Ge и SiGe в оксидах Si1-xGexO2 и Al2O 3 Обсуждаются проблемы применения наноструктур в оптоэлектронных устройствах и различные пути их решения.
Проанализированы и обобщены результаты современных исследований, посвященных изучению свойств наноструктур на основе полупроводниковых (Si, Ge) включений в оксидных материалах. Наибольшее внимание уделено процессам формирования нанокластеров и нанокристаллов Si в матрице SiO2 (при окислении пористого и осажденного кремния, высокотемпературном отжиге слоев твердого раствора SiO2:Si, формируемых путем осаждения SiOx или имплантации Si+ в SiO2), обсуждению возможных механизмов и моделей люминесценции. Рассмотрен вопрос управления эффективностью люминесценции путем легирования системы SiO2:nc-Si различными примесными элементами. Описаны достигнутые результаты по формированию и свойствам нанокристаллов Si, Ge и SiGe в оксидах Si1-xGexO2 и Al2O 3 Обсуждаются проблемы применения наноструктур в оптоэлектронных устройствах и различные пути их решения.