
Одними из простейших дефектов кристаллической решетки являются: вакансия,
образующаяся при уходе атома из узла кристаллической решетки, и межузельный
атом, то есть лишний атом, для которого не нашлось свободного узла. Эти и
подобные им дефекты называются точечными.
К линейным дефектам относятся дислокации. которые неизбежно образуются в
процессе кристаллизации металла. Если слои атомов в кристалле представить себе
страницами книги, то дислокация — это край незавершенного листа, вставленного
между страницами книги.
На границе ″лишнего″ слоя, называемого экстраплоскостью, атомы сдвинуты на
угол, примерно соответствующий теоретической прочности на сдвиг, то есть в этих
зонах кристалл почти разрушен.
Дислокации являются подвижными. Достаточно небольшой сдвиговой нагрузки,
чтобы разорвать всю линию сильно натянутых связей и передвинуть дислокацию.
16.4. Виды дислокаций
Существуют два вида дислокаций: краевая и винтовая, которые только вместе и
могут вызвать пластическую деформацию кристаллов. В реальных условиях
дислокации бывают, как правило, криволинейными, то есть смешанными.
Краевая дислокация — дефект, образованный лишней атомной полуплоскостью,
вставленной в кристалл. Это край лишней полуплоскости (отсюда название краевая),
который вместе с прилегающими атомами имеет вид шнура. Поперечное сечение
шнура близко к 4-м межатомным расстояниям, (
7
10
∼ см). Длина края атомной
полуплоскости, называемой экстраплоскостью, составляет от 10
-3
до 10
-4
см в
поликристаллах с примерно таким же размером зерна. Такая дислокация — это
линейный дефект.
Дислокация вызывает внутренние напряжения в кристаллической решетке
1 r
≈ ,
где — расстояние от оси дислокации.
r
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 4 5
1 2 4 5
а)
Q
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 4 5
б)
Q
1 2 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 4 5
в)
Q
1 2 4 5
Рис. 16.4 Движение краевой дислокации
Рассмотрим движение дислокации. На рисунке 16.4, а цифрами 1,2,3,4,5 отмечены
атомы пяти атомных плоскостей, цифрой 3 — экстраплоскость с краевой
дислокацией.
Под действием сдвигающей нагрузки Q разрываются связи в слое атомов 4, так как
они уже испытывали высокие напряжения от искажения кристаллической решетки.
Атомы слоя 4 переходят в слой 3, образуя новую бездефектную плоскость.
Экстраплоскостью с краевой дислокацией становится оставшаяся часть слоя
атомов 4. В результате дислокация сместилась на одно межатомное расстояние
(рис. 16.4, б).
При дальнейшем приложении нагрузки Q дислокация перемещается на край
кристалла, образуя на его поверхности ступеньку, (рис. 16.4, в).
При движении дислокации ни один атом не смещается от своего исходного
положения более, чем на одно межатомное расстояние (~10
-10
м).
Линейная (краевая) дислокация движется в направлении, перпендикулярном к
экстраплоскости.
Винтовая дислокация — это закручивание одной атомной плоскости относительно
другой (рис. 16.5, а).
А
B
D
С
а)
D
С
б)
в)