Лучинин В.В. Физика и технология микро

Подождите немного. Документ загружается.

220

Пасюта В. Технология пленок Ленгмюра–Блоджетт жесткоцеп-

ных полиимидов для устройств микросистемной техники.

Семенов А. Н. Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства кванто-

во-размерных гетероструктур на основе узкозонных соединений А

Посредник О. В. Политипизм карбида кремния: гетеропереходы и

барьеры Шоттки.

Ильвес А. Г. Исследование нестационарных процессов в p–i–n-

CdTe-детекторах рентгеновского и гамма излучения.

2006

Гамарц А. Е. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях

на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия.

Комков О. Е. Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиноч-

ных квантовых ям InGaAs/GaAs методами фото- и электроотражения.

Кощеев С. В. Активные элементы датчиков, использующих эф-

фект гигантского (усиленного поверхностью) комбинационного рас-

сеяния (ГКР).

Афанасьев П. В. Границы раздела в тонкопленочных структурах с

сегнетоэлектрическими слоями.

Александров С. А. Мощный полевой транзистор на основе гетеро-

структуры (Al,Ga)N/GaN.

Коровкина Н. М. Зондовая диагностика структур твердотельной

электроники и электрофизических параметров СБИС.

2007

Поляков Д. А. Моделирование динамических характеристик КМОП-

логических элементов для синтеза цифровых интегральных схем.

Кривошеева А. Н. Пассивные и активные мембраны для уст-

ройств микросистемной техники.

Трошин А. В. Влияние спонтанной поляризации на энергетические

характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния.

Шулгунова И. С. Определение энергетических и динамических

характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емко-

стной спектроскопии.

Ахмед Абдел Моез Абдел Рахмана Езза. Исследование фосфида

индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и

электроотражения.

221

Селюженок Н. А. Наноструктурированные пленки на основе

аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники.

Ахмеджанов А. Т. Получение и анализ газочувствительных и фо-

точувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогени-

дов и оксидов элементов 4 группы».

2008

Канагеева Ю. М. Анализ фотоприемных монокристаллических и

поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами

атомно-силовой микроскопии.

Петровская А. Н. Определение энергетического спектра гетеро-

структур с квантовыми ямами в системе In

1–x

As/GaAs по данным

спектроскопии адмиттанса.

Савенко А. Ю. Исследование процессов локально-селективной

обработки материалов и элементов электронной техники наноразмер-

ным ионным пучком.

Трушлякова В. В. Тополого-схемотехнический анализ кристаллов

интегральных микросхем при решении задач реинжениринга.

Матузов А. В. Технология структур «карбид кремния – кремний»

для приборов микроэлектроники и микросистемной техники.

2009

Грачева И. Е. Полупроводниковые сетчатые наноструктуриро-

ванные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель-

методом, для газовых сенсоров.

Спивак А. М. Получение и исследование тонких пленок нитрида

алюминия и фотоприемных структур на их основе.

Хосама Елдин Хелми Фатхалла Хегази. Собственное оптическое по-

глощение и люминесценция твердых растворов полупроводников А

Спицын А. С. Оптические свойства фотонных кристаллов и вол-

новедущих структур на их основе.

2010

Бохов О. С. Физико-технологические основы разработки тепло-

физических микросхем на основе периодических тепловых процессов.

Аньчков Д. Г. Влияние адсорбции газов на поверхностную элек-

тронную проводимость оксидных полупроводников.

222

2011

Усикова М. А. Методы сверхлокального и селективного препари-

рования кремниевых интегральных схем.

Докторские

Пасынков В. В. Некоторые вопросы электротехники, решаемые с

помощью полупроводников. 1955.

Холуянов Г. Ф. Электрические и оптические свойства электронно-

дырочных переходов и кристаллов карбида кремния и их применение в

полупроводниковых приборах. 1967.

Волокобинский Ю. М. Исследование физических процессов в ра-

диокерамике. 1970.

Яськов Д. А. Полупроводниковые материалы с широкой запре-

щенной зоной. 1973.

Таиров Ю. М. Получение, исследование и применение полупро-

водникового карбида кремния. 1975.

Пихтин А. Н. Оптические явления в полупроводниковых твердых

растворах А

. 1979.

Цветков В. Ф. Явление политипизма и физические принципы

создания новых полупроводников на основе управления политипной

структурой кристаллов. 1985.

Сорокин В. С. Термодинамика и кинетика жидкофазной гетеро-

эпитаксии твердых растворов А

. 1990.

Кузнецов В. В. Закономерности фазовых превращений при жид-

костной гетероэпитаксии многокомпонентных полупроводниковых

твердых растворов. 1994.

Глинский Г. Ф. Экситоны и поляритоны в многодолинных полу-

проводниках с вырожденными зонами. 1995.

Мошников В. А. Локальные энергетические воздействия в иссле-

довании и получении твердых растворов. 1997.

Афанасьев В. П. Структуры «сегнетоэлектрик – полупроводник»:

свойства, технология, применение. 1997.

223

Лучинин В. В. Структура и формообразование микро- и наноси-

стем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфиз-

мом. 1999.

Бестаев М. В. Халькогениды элементов четвертой группы: полу-

чение, исследование и применение. 1999.

Соломонов А. В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых

твердых растворов и квантово-размерных структур. 1999.

Зубков В. И. Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых на-

ногетероструктур. 2007.

Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристалличе-

ских пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структу-

рах на их основе. 2009.

Корляков А. В. Физико-технологические основы формирования

базовых элементов микросистемной техники. 2010.

224

«ЧЕЛОВЕЧЕСКИЙ КАПИТАЛ» КАФЕДРЫ

225

226

227

228

229

Лучинин В.В. Физика и технология микро - и наносистем

Подождите немного. Документ загружается.