Лучинин В.В. Физика и технология микро

Подождите немного. Документ загружается.

200

ДИССЕРТАЦИИ, ВЫПОЛНЕННЫЕ

НА КАФЕДРЕ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Кандидатские

1952

Воробей З. Ф. Исследование электрических свойств карбида кремния.

1954

Холуянов Г. Ф. Разработка СВЧ-поглотителей из карбида кремния.

Яськов Д. А. Игнитронные поджигатели на основе карбида кремния.

1955

Курлин М. В. Исследование электрических свойств трансформа-

торного масла.

1958

Панова Я. И. Разработка волноводных поглощающих нагрузок.

Чиркин Л. К. Нелинейные полупроводниковые сопротивления и

их применение.

1962

Харламова Т. Е. Мощные выпрямительные диоды.

1963

Байорд Дьердь. Исследование фотопроводимости карбида кремния

α-модификации.

Е Лян Сю. Исследование электрических свойств карбида кремния

α-модификации.

Таиров Ю. М. Выращивание кристаллов карбида кремния мето-

дом сублимации.

1964

Басили Рифат Ризк. Исследование электрических свойств оки-

слов редкоземельных металлов.

Савельев Г. А. Плоские многоэлементные электролюминесцент-

ные устройства с наружной связью между элементами.

Фридель Иохен. Эмиссия горячих электронов из р–п-переходов в

карбиде кремния.

Ильин Ю. Л. Разработка технологии получения фосфида галлия

для электронной техники.

201

1965

Пичугин И. Г. Разработка методов легирования карбида кремния

в процессе роста.

Шинков А. Д. Исследование полупроводниковых приборов методом

моделирования.

Окунев Ю. Т. Разработка и исследование полупроводниковых не-

линейных шунтов.

1966

Виолина Г. Н. Исследование электрических и оптических свойств

карбида с целью его применения в резисторах и счетчиках.

Гампер И. Г. Разработка и изготовление кремниевых терморези-

сторов.

Джавалекар Шрикришна Рамчандра. Исследование физических

процессов в тонких пленках окиси иттербия.

Лизец М. Исследование фото- и электролюминесценции фосфида

галлия в красной и инфракрасной областях спектра.

Савельев Б. Е Исследование роли объемной и поверхностной ре-

комбинации в транзисторах методом электрического моделирования.

Цзян Цзе Цзян. Исследование ионизационного старения полиэти-

лена высокого давления.

Годау И. Получение и исследование теллурида цинка

Тесс Д. Получение и исследование сульфида кадмия.

1967

Виолин Э. Е. Диффузионные р–п-переходы в карбиде кремния и

электролюминесцентные источники света на их основе.

Бусловский О. Е. Разработка и исследование преобразователя

«частота – координата».

Головкина Э. Д. Низковольтные электролюминесцентные элемен-

ты постоянного тока на основе сублиматфосфора.

Лотоцкий В. Ю. Тонкопленочные и керамические негисторы.

Саморуков Б. Е. Разработка методов получения пленок фосфида

галлия и исследование их свойств.

202

1968

Басецкий В. Я. Исследование влияния примесей и условий синтеза на

рекомбинационное излучение фосфида галлия в видимой области спектра.

Кальнин А. А. Карбид кремния, легированный бериллием, и элек-

тролюминесцентные приборы на его основе.

Пихтин А. Н. Исследование оптических свойств фосфида галлия.

Сорокин В. С. Разработка методики выращивания монокристал-

лов фосфида галлия и исследование их свойств.

1969

Антипов Б. Л. Электролюминесцентные устройства с распреде-

ленными параметрами и управляемым изображением.

Изумрудов О. А. Разработка твердотельного экрана с оптическим

управлением для отображения информации в многоканальных системах.

Луцкая О. Ф. Исследование влияния термодинамических условий

синтеза при отсутствии и в присутствии кислорода на некоторые элек-

трофизические свойства монокристаллов сульфида кадмия.

Миронов В. А. Моделирование процессов в планарных транзисторах.

1970

Вахнер X. Получение и исследование карбида кремния, легиро-

ванного скандием.

Веревкин Ю. Н. Исследование процессов старения в электролюми-

несцентных конденсаторах на основе цинк-сульфидных люминофоров.

Дмитриев В. А. Исследование кристаллической структуры тонких

слоев полупроводниковых соединений А

Мохаммед Камаль Хасан Эль-Саид. Расчет канальных транзисто-

ров методом моделирования.

Омар Абдель-Халим Омар. Исследование фотоэлектрических

свойств фосфида галлия и разработка малоинерционных приемников

лазерного излучения на его основе.

Печерский В. П. Получение и исследование свойств тонких пле-

нок из титансодержащих материалов.

203

Таиров С. М. Синтез и исследование полупроводниковых систем

«теллурид олова – теллурид кадмия» и «теллурид олова – теллурид

свинца».

Хопф Л. Исследование электрических свойств тонких пленок

фторидов редких элементов.

1971

Кованько В. В. Исследование р–п-переходов в карбиде кремния

как детекторов сильноионизирующих излучений.

Косогова Н. П. Исследование сил притяжения в электростатиче-

ских крепежных устройствах.

Mигунов В. А. Исследование фото- и электролюминесценции кар-

бида кремния, легированного алюминием или галлием.

Милославов С. Л. Применение эффекта Холла как метода фазово-

го анализа полупроводниковых соединений переменного состава.

Рудницкая М. З. Математическая модель мембраны органа слуха.

Смирнова Н. А. Получение монокристаллов карбида кремния, ле-

гированных бериллием в процессе выращивания, и исследование их

свойств.

1972

Глинский Г. Ф. Электрооптические свойства фосфида галлия.

Коровушкина Р. М. Исследование структур «металл – сегнетоэлек-

трик – полупроводник» с целью построения на их основе ячеек памяти с

неразрушающим считыванием.

Сейсян Е. Л. Образование электретного состояния в тонких орга-

нических полимерных пленках и его техническое применение.

Солодовникова Е. Л. Разработка методики изготовления и иссле-

дование свойств эпитаксиальных электролюминесцентных источников

света на основе фосфида галлия, полученного бестигельной зонной

плавкой.

Разбегаев В. Н. Оптические свойства арсенид – фосфида галлия,

полученного методом бестигельной зонной плавки.

Юрченко Е. П. Разработка полупроводниковых структур для це-

лей газового анализа.

204

1973

Лобушкин В. Н. Исследование электретного эффекта в тонких

пленках неорганических диэлектриков.

Махер Атта Абдель Моэз Афифи. Исследование переключающих

свойств и эффекта памяти тонких слоев полупроводниковых стекол.

Митюрева И. А. Химическая связь и поляризация в рутиле.

Печерская Р. М. Нелинейные полупроводниковые сопротивления

для вычислительной техники.

Попов А. С. Выращивание монокристаллов фосфида галлия мето-

дом бестигельной зонной плавки и создание эпитаксиальных источни-

ков света на их основе.

Селезнев Б. И. Люминесцентные, оптические и фотоэлектрические

свойства карбида кремния, легированного различными примесями.

Хлебников И. И. Карбид кремния, легированный скандием, как

материал для светодиодных элементов.

Цветков В. Ф. Легирование карбида кремния кислородом.

Чаплинский В. В. Исследование возможности применения ферри-

тов на участке разночастотной дисперсии магнитной проницаемости.

Якимова Р. Т. Изучение эпитаксиального роста карбида кремния

из растворов в системе «кремний – скандий – углерод».

1974

Марасина Л. А. Получение и исследование эпитаксиальных пле-

нок и нитевидных кристаллов нитрида галлия.

Сату Aли Эль-Гизири. Катодолюминесценция широкозонных полу-

проводников А

Санжмятавин Доржханд. Разработка методики легирования кри-

сталлов фосфида галлия акцепторными примесями в процессе бестигель-

ной зонной плавки и исследование их электрофизических свойств.

Смирнов Н. Д. Исследование электрофизических свойств МДП-

систем на основе кремния и антимонида индия со фторидами редкозе-

мельных металлов в качестве диэлектриков.

Тонкий А. В. Исследование электроадгезионного контакта и воз-

можностей его применения в технологии полупроводниковых прибо-

ров и микросхем.

205

Фаянс О. А. Электролюминесцентные приборы на основе эпитак-

сиальных пленок карбида кремния.

Хомылев А. Ф. Исследование механизма закрепления бумаги в

электростатических крепежных устройствах и выбор оптимальных па-

раметров их конструкции.

Юдаков Ю. В. Диффузия лития в карбид кремния.

1975

Андреев А. П. Исследование люминесцентных свойств карбида

кремния.

Воронков А. В. Исследование возможности создания пленочных

оптоэлектронных устройств постоянного тока.

Горанова Е. А. Фотоэлектрические свойства карбида кремния.

Дишков П. С. Получение и исследование свойств тонких пленок

из цирконата-титаната свинца.

Копылов А. А. Оптическое поглощение и структура примесных

состояний в фосфиде галлия.

Лилов С. Выращивание и свойства эпитаксиальных слоев карбида

кремния.

Сафаралиев Г. К. Исследование процессов роста и легирования

карбида кремния при выращивании кристаллов из газовой фазы.

1976

Батов И. П. Гетерофазные равновесия в системах «индий – гал-

лий – фосфор» и «галлий – алюминий – фосфор» при жидкостной эпи-

таксии.

Закржевский В. И. Исследование процессов получения в непре-

рывном режиме и характеристик термо- и короноэлектретов из поли-

мерных пленок.

Кобзев Ю. В. Полупроводниковые тензопреобразователи равно-

мерно распределенной нагрузки.

Петков М. Д. Разработка методов управляемого легирования в

технологии изготовления эффективных светодиодов из фосфида гал-

лия с красным излучением.

Тлачала М. Разработка методов получения и исследование основ-

ных свойств эпитаксиальных слоев нитридов галлия и индия.

206

Чернов М. А. Исследование политипизма и совершенства структуры

монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния в связи с усло-

виями кристаллообразования.

Чеснокова Д. Б. Исследование электрофизических свойств теллу-

рида цинка контролируемого состава.

1977

Агеева О. С. Исследование возможности создания электролюминес-

центных устройств с сорбционными функциональными элементами.

Афанасьев В. П. Исследование структуры «сегнетоэлектрик – по-

лупроводник» с целью создания на ее основе управляемых тонкопле-

ночных резисторов с памятью.

Камчатка М. И. Исследование зависимости некоторых свойств

двуокиси ванадия от термодинамических условий синтеза.

Лаухе Юрген. Применение метода эллипсометрии при исследова-

нии физико-химических процессов на поверхности карбида кремния.

Савельев В. Д. Полупроводниковый карбид кремния, легирован-

ный ионным внедрением.

Соломонов А. В. Излучательная рекомбинация в нитриде галлия и

твердых растворах фосфида галлия – фосфида индия.

Шпак А. Электролюминесцентные измерительные устройства.

1978

Берндт В. Р. Оптическое поглощение и структура примесных

центров в твердых растворах на основе фосфида галлия.

Земсков А. П. Получение и исследование электретов для исполь-

зования в электретном электромеханическом преобразователе.

Лукица И. Г. Разработка неразрушающих методов контроля каче-

ства порошковых ЭЛИ на основе информативных параметров.

Лучинин В. В. Гетероэпитаксия и микропрофилирование в техно-

логии карбида кремния.

Панек Марек. Исследование условий кристаллизации нитрида

галлия в системах с участием жидкой фазы.

Саенко И. В. Исследование процессов получения и легирования

монокристаллов фосфида галлия при выращивании из расплава мето-

дом бестигельной зонной плавки.

207

Семенов Н. Н. Исследование процессов старения и разработка

индикаторных устройств повышенной стабильности на основе пленоч-

ных электролюминесцентных элементов постоянного тока.

Таранец В. А. Исследование процессов кристаллизации эпитакси-

альных слоев карбида кремния в вакууме.

Шамрай В. Б. Исследование физико-химических закономерно-

стей легирования фосфида галлия, люминесцирующего в зеленой об-

ласти спектра.

Яськов А. Д. Исследование явления рефракции света в алмазопо-

добных полупроводниках.

1979

Бенавидес Леонард А. Р. Влияние электрического поля на экси-

тонные состояния в полупроводниках со структурой алмаза и цинко-

вой обманки.

Добринска Н. И. Исследование влияния объемного заряда на пье-

зоэффект в диэлектриках.

Кузнецов В. В. Исследование процессов эпитаксии фосфида гал-

лия и твердых растворов на его основе с использованием изовалентных

растворителей.

Кульков В. П. Исследование пленочной электролюминесцентной

структуры «медь – сульфид цинка» с целью создания на ее основе много-

элементных индикаторных устройств.

Медведев С. П. Влияние внешнего электрического поля на опти-

ческие свойства фосфида галлия.

Мирошкин В. П. Исследование радиочастотной дисперсии магнит-

ной и диэлектрической проницаемостей марганец-цинковых ферритов.

Пеев Н. С. Карбид кремния, выращенный из растворов-распла-

вов, и его электрофизические харктеристики.

Приходченко В. А. Исследование электроадгезивного контакта и

возможностей его практического использования.

Траваджан М. Г. Исследование процессов роста и разработка ме-

тодов получения монокристаллов карбида кремния из газовой фазы

Шек С. М. Получение и исследование электретов для технологи-

ческой оснастки в производстве полупроводниковых приборов и инте-

гральных микросхем.

208

1980

Демьяненко П. А. Исследование деградации цинк-сульфидных

электролюминофоров и разработка новых методов возбуждения и

управления многоэлементных ЭЛИ.

Касаткин В. А. Разработка и исследование карбидокремниевых

приборов для записи информации.

Малиновский В. В. Исследование возможности получения люми-

несцентных материалов на основе нитрида галлия.

Миропольский М. С. Исследование МДП-транзисторов с инверс-

ным каналом методом моделирования.

Петров А. С. Разработка методики получения эпитаксиальных

слоев в твердых растворах систем «фосфид галлия – фосфид индия»,

«фосфид галлия – фосфид алюминия» и исследование их свойств.

Соколова И. М. Исследование процессов зарядки и характеристик

электретов, полученных в системе жидкостных контактов.

Фролова Т. Н. Исследование приповерхностных слоев кремния,

легированных с целью повышения радиационной стойкости полупро-

водниковых структур.

1981

Асатрян Г. Г. Исследование поверхностных характеристик полу-

проводников в связи с технологическими условиями обработки.

Балландович В. С. Исследование неравновесных процессов в кар-

биде кремния.

Ильин В. А. Исследование точечных термических дефектов в мо-

нокристаллах карбида кремния методом ЭПР.

Крамар Г. П. Влияние внешних факторов на высокочастотные

свойства марганец-цинковых ферритов, используемых в широкополос-

ных радиоэлектронных устройствах.

Лагкуев Д. X. Исследование термодиффузии и электропереноса

примесей в теллуриде германия и свинца.

Лупал М. В. Край собственного поглощения фосфида галлия и

твердых растворов на его основе.

Мекишев Г. А. Исследование влияния свободных зарядов на элек-

третный эффект в диэлектриках.

209

Мошников В. А. Исследование неоднородностей в твердых рас-

творах теллурида свинца – теллурида олова.

Саунин И. В. Получение и исследование пленок твердых раство-

ров теллурида свинца – теллурида олова.

Удальцов В. Е. Влияние физико-технологических факторов на

люминесцентные свойства карбида кремния.

1982

Айзенблеттер Г. Получение и исследование электретов в мат-

ричном исполнении.

Иванов Е. Г. Исследование процессов ростового микропрофили-

рования карбида кремния.

Кротов В. А. Исследование многофункциональных структур

«сегнетоэлектрик – полупроводник».

Кюнстлер В. Получение и исследование электретных элементов

для микрофонов.

Попов В. А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и твер-

дых растворов на его основе в области экситонных переходов.

Райхель Ф. Процессы массопереноса и кинетики роста при выра-

щивании монокристаллов карбида кремния из паровой фазы.

Саунина Т. В. Исследование условий образования и диффузии

электрически активных собственных дефектов в кристаллах твердых

растворов теллурида свинца – теллурида олова.

Смирнов В. И. Оптическая спектроскопия примесных центров в

арсенид – фосфиде галлия.

Царегородцев А. М. Исследование условий получения и свойств

твердых растворов нитридов металлов III подгруппы периодической

системы.

Шериф Г. Исследование процесса жидкофазной эпитаксии фос-

фида галлия и разработка мезаструктур на его основе.

1983

Александрова О. А. Исследование условий получения из жидкой

фазы эпитаксиальных структур на основе твердых растворов теллурида

свинца – теллурида олова.

Лучинин В.В. Физика и технология микро - и наносистем

Подождите немного. Документ загружается.