Лучинин В.В. Физика и технология микро

Подождите немного. Документ загружается.

210

Гонсалес Масо Орландо Пуалино. Численное моделирование

МДП-транзисторов со встроенным каналом.

Мокроусов Н. Е. Физико-химический анализ твердых растворов

теллурида свинца – теллурида олова, полученных методом зонной

плавки.

Москвин П. П. Термодинамика и кинетика кристаллизации твер-

дых растворов Ga

1–x

1–y

Нойберт Ф. Изучение физико-технологических основ управле-

ния политипной структурой карбида кремния.

Садовски В. Термодинамические особенности жидкофазной гете-

роэпитаксии твердых растворов Al

1–x

1–y

1984

Головина Л. А. Получение и исследование электроадгезионных

соединений «полимер – металл» с целью использования их в электрет-

ных преобразователях.

Клот В. Люминесценция твердых растворов GaAs

l–x

:N (х ≥ 0,5),

выращенных методом газофазной эпитаксии.

Козлов С. Е. Гетероэпитаксиальные структуры системы «GaAs –

InP» для фотокатодов ФЭУ и усилителей яркости, чувствительных в

длинноволновой области спектра оптического диапазона.

Кузьмин Ю. И. Исследование процессов объемной и поверхност-

ной релаксации заряда в полимерных электретах.

Левчук Б. И. Дислокационная структура монокристаллов карбида

кремния в связи с условиями их роста.

Лукица Н. Д. Разработка порошковых электролюминесцентных

индикаторов на халькогенидной связке.

Потапов Е. Н. Фотолюминесценция карбида кремния, облучен-

ного быстрыми электронами.

1985

Аверин И. А. Исследование условий получения эпитаксиальных

структур на основе сульфида свинца и твердых растворов «сульфид

свинца – селенид свинца».

211

Бакин А. С. Газофазные методы выращивания кристаллов и эпи-

таксиальных структур твердых растворов теллурида свинца – теллури-

да олова.

Иванов Д. И. Получение р–п-структур на основе теллурида свин-

ца – теллурида олова методом вакуумной конденсации.

Карачинов В. А. Процессы роста и дефектообразования в моно-

кристаллах карбида кремния.

Логинова Т. Н. Экситоны, связанные на изоэлектронных приме-

сях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот

и висмут в GaР.

Нгуен Туан Ханг. Влияние электронного облучения и термообра-

ботки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида ин-

дия, легированного 3d-элементами.

Пак Чун Вэ. Оптическое поглощение на экситонах, связанных на

изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия.

Пастухов А. К. Исследование электромеханической устойчиво-

сти полупроводниковых кристаллов.

Чан Хи Бинь. Разработка физико-химических основ жидкофазной

эпитаксии полупроводниковых нитридов.

1986

Азарян В. А. Получение и исследование свойств поверхностно-

барьерных структур на основе фосфида индия.

Ефимов А. Н. Состав и структура эпитаксиальных композиций

«Нитриды типа А

на сапфире».

Ким Рен Сен. Поверхностное натяжение и диффузия в полупро-

водниковых расплавах In-As (Sb) и Pb (S)-Te.

Койнов З. Г. Микроскопическая теория экситонных поляритонов в

полупроводниках.

Никулин А. Н. Исследование электролюминесцентных структур

на основе неорганического связующего с целью создания фрагмента

матричного экрана с памятью.

Ольховик Я. Неравновесные явления при жидкофазной гетеро-

эпитаксии в системе «Ga – In – Р – As».

212

Петухова Н. Н. Диффузия примесей и свойства легированных

твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова.

Шахпаронян В. А. Исследование свойств структуры «сегнето-

электрик – полупроводник» с целью создания фоточувствительных

элементов с памятью.

1987

Блохин Ю. Н. Получение и свойства эпитаксиальных слоев и

структур на основе твердых растворов сульфида свинца – сульфида

кадмия.

Долотов Н. И. Разработка рентгеновских методик и исследование

дефектов структуры в монокристаллах карбида кремния.

Зубков В. И. Исследование глубоких центров в GaAs

1–х

мето-

дами нестационарной емкостной спектроскопии.

Зу Зун Ген. Спектроанализаторы сигналов звуковых частот на ос-

нове электролюминесцентных индикаторов.

Зятьков И. И. Электропроводность марганец-цинковых ферритов.

Коркоташвили Г. А. Оптические свойства широкозонных твер-

дых растворов AI

1–х

Лагкуев Д. Р. Послойная кристаллизация узкозонных полупро-

водниковых твердых paстворов.

Левия В. И. Методы получения легированных объемных моно-

кристаллов карбида кремния и их применение.

Тошев Р. А. Низкотемпературные методы получения теллуридов

свинца и олова и исследование их свойств.

1988

Гладкий С. В. Легирование пленок теллурида свинца – теллурида

олова индием в процессе роста и создание фоточувствительных струк-

тур на их основе.

Думченко С. Н. Структуро- и формообразование карбида кремния

на нитридной подложке.

Дышловенко П. Е. Длинноволновая Фурье-спетроскопия акцеп-

торных состояний в антимониде галлия.

Коновалов Д. В. Разработка методов электризации пьезокерамиче-

ских материалов системы ЦТС с учетом роли пространственного заряда.

213

Лазарева Н. П. Разработка и исследование полицветных электро-

люминесцентных устройств для систем контроля и управления.

Пак Чжон Ун. Легирование теллурида свинца индием при полу-

чении из газовой фазы.

Парфенова И. И. Влияние эффектов разупорядочения на оптиче-

ские свойства связанных экситонов в твердых растворах GaAs

1–х

GaIn

1–х

Пщелко Н. С. Разработка моделей и методик расчета электроадге-

зии в системе «металл (полупроводник) – диэлектрик».

Томаев В. В. Физико-химические закономерности кристаллизации

твердых растворов селенида свинца – селенида олова из паровой фазы.

Чан Ким Лан. Закономерности кристаллизации эпитаксиальных

слоев теллурида свинца – теллурида олова из газовой фазы.

Шольц А. Получение и исследование пироэлектретов.

1989

Гожеляк Т. Свободные и связанные экситоны в кубических полу-

проводниках А

. Энергетические состояния и оптические переходы.

Корляков А. В. Ростовые фазовые политипные превращения при

эпитаксии карбида кремния и нитрида алюминия.

Лебедев А. О. Эпитаксиальный рост нитрида алюминия на ино-

родных подложках.

Минина Е. В. Электрические и фотоэлектрические свойства

МДП-структур с активными диэлектриками.

Пецольдт И. Неравновесные политипные фазовые переходы в

карбиде кремния.

Пэжиньска К. Исследование влияния катионного состава и ва-

лентности ионов на диэлектрическую проницаемость поликристалли-

ческих магнитомягких ферритов.

1990

Адель Ашира Салех. Получение и исследование четырехкомпо-

нентных твepдых растворов Al

1–х

1–y

Васильев В. А. Длинноволновая Фурье-спектрография эпитаксиаль-

ных слоев In

1–х

1–y

и Ge

1–х

214

Джазовский О. Н. Пленочные электро- и катодолюминесцентные

структуры на основе соединений А

для устройств отображения ин-

формации.

Куликова Н. А. Кристаллы аналогов фосфолипидов. Синтез и иссле-

дование свойств.

Махин А. В. Физико-химические закономерности кристаллизации

слоев Pb

1–х

Se и РЬТе, легированных галлием.

Олеск С. А. Оптические свойства и особенности зонной структу-

ры селенида свинца и твердых растворов селенида свинца – селенида

кадмия.

Пряжкин В. Б. Технология получения и свойства объемных и пле-

ночных высокотемпературных сверхпроводящих материалов систем

«Y–Ba–Cu–O» и «Bi/(Pb)–Sr–Ca–Cu–O».

Щенсна Э. Исследование стабильности электретов в связи с их элек-

тропроводностью.

Яременко И. Е. Фотоэлектрические свойства карбида кремния в

длинноволновой области спектра.

1991

Абрамишвили А. А. Кристаллизация твердых растворов селенида

свинца – селенида олова из паровой фазы под воздействием лазерного

излучения.

Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсе-

нида галлия, легированных изоэлектронными примесями.

Велинова Ю. Г. Эллипсометрические исследования тонких пле-

нок аморфного гидрогенезированного кремния.

Ким Мен Хо. Выращивание объемных монокристаллов p-SiС

(AI,N) для электролюминесцентных источников света.

Ким Ха Ен. Исследование уширения глубоких уровней в полу-

проводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии.

Пятко С. Н. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на

основе карбида кремния.

Авров Д. Д. Процессы спекания и электропроводность карбидо-

кремниевой керамики.

215

Ганиев М. X. Гидрогенизированные аморфные полупроводники

α–Si

1–х

: Н. Получение и свойства.

Дегоев М. А. Послойная кристаллизация халькогенидов свинца –

олова из расплава и газовой фазы.

Джон Сен Хо. Получение аморфных пленок α-Si

1–х

:Н и иссле-

дование их электрофизических свойств.

Мдоир Иод. Длинноволновая отражательная спектроскопия эпи-

таксиальных слоев твердых растворов бинарных халькогенидных по-

лупроводников.

Мельник Ю. В. Разработка методики легирования эпитаксиальных

слоев нитрида алюминия и твердых растворов на его основе и исследова-

ние свойств легированных слоев.

Панов М. Ф. Исследование собственного электронного спектра по-

лупроводниковых твердых растворов Si

1–х

и Ga

1–х

As методами фо-

тоэлектрической спектроскопии.

Тодоров М. Т. Фотоотражение GaAs и InP.

Чу Чор. Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка,

индия) в твердых растворах теллурида свинца – теллурида олова.

Шакмаев А. А. Оптические свойства и энергетический спектр

примесных состояний в твердых растворах Ge

1–х

и GaAs

1–х

Юнис М. С. Влияние связанных экситонов на фотоэлектрические

свойства фосфида галлия, легированного азотом.

Якупова А. Ю. Механизмы потерь в магнитомягких ферритах в

зависимости от их состава и технологии изготовления.

1993

Богачев С. В. Микроволновая спектроскопия высокотемператур-

ных сверхпроводящих металлооксидов.

Гареев Г. З. Исследование физических процессов, определяющих

основные рабочие параметры фотоприемников на основе легированно-

го кремния.

Диалло Тьерво Ибрагим. Моделиpoвание физических и физико-

химических процессов, происходящих при изготовлении и деградации

изделий из поликристаллического карбида кремния.

216

Дорожкин С. И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния.

Казак-Казакевич А. З. Структурный анализ некристаллического

вещества в системе «кремний – углерод».

Мадисон А. Е. Габитус политипов карбида кремния.

Никольская Т. С. Акустическая эмиссия электроизоляционной и

токопроводящей керамики.

Разафандразака Т. М. Разработка количественного термозондо-

вого метода анализа твердых растворов теллурида свинца – теллурида

олова.

Растегаев В. П. Карбид кремния, легированный алюминием, и

его использование в высокотемпературных полупроводниковых при-

борах и керамических нагревательных элементах.

Рубин Е. Г. Методика оценки электроакустических характеристик

электретных преобразователей с учетом их конструктивных особенностей.

Чжан Хай-Ин. Физико-технологические основы ионно-плазмен-

ного травления карбида кремния.

1994

Вълков И. Ц. Аппаратура и методы электронно-зондового тести-

рования интегральных микросхем в режиме вторичной электронной

эмиссии.

Зильберман А. Б. Закономерности формирования и свойства газо-

чувствительных элементов на основе диоксида олова.

Карагеоргиева В. В. Пленки Ленгмюра–Блоджетт аналогов фос-

фолипидов.

Рубцов Э. Р. Особенности фазовых превращений в системах

твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью.

1995

Во Тан Лонг. Количественный рентгеноспектральный микроана-

лиз полупроводниковых материалов.

Ганенков Н. А. Разработка методов расчета и исследование электро-

акустических преобразователей на основе пленочных пьеэоэлектриков.

Карагеоргиев П. П. Переходные слои в мультислойных молеку-

лярных нанокомпозициях на основе амфифильных веществ.

217

Коняев М. В. Исследование гетеропереходов и квантоворазмер-

ных структур методом фотоотражения.

Нгуен Нгок Чунг. Рентгеноспектральный микроанализ эпитакси-

альных слоев и гетероструктур на основе халькогенидов свинца – олова.

Холодилов А. Н. Инфракрасная Фурье-спектроскопия полупровод-

никовых структур с тонкими слоями (In

1–х

As/GaAs, Pb

1–х

Se/BaF

пористый кремний).

1997

Тер-Мартиросян А. Л. Исследование излучательных характери-

стик мощных полупроводниковых лазеров, лазерных линеек и форми-

рования лазерных решеток.

Кустов Т. В. Разработка технологии материалов и позисторов на

их основе для защиты от электронных перегрузок.

Костромин С. В. Низкотемпературная технология получения

эпитаксиальных структур карбида кремния на изоляторе на основе

композиции «SiC-AlN».

Ильинский С. Ю. Применение метода потенциала нулевого ра-

диуса для исследования сложных дефектов в полупроводниках.

Малеев Н. А. Методы обработки емкостных характеристик для

определения параметров арсенидогаллиевых микроструктур с барье-

ром Шоттки.

Комарова О. Л. Динамика решетки полупроводников со структу-

рой сфалерита.

1998

Димитров Д. Ц. Физико-химические методы управления структу-

рой и свойствами газочувствительных слоев на основе диоксида олова.

Кириллов Б. А. Получение монокристаллов карбида кремния: мо-

делирование как метод совершенствования технологии.

Горелик А. Ф. Исследование неоднородностей в ограненных мо-

нокристаллах халькогенидов свинца – олова.

Ивкин А. Н. Исследования полупроводниковых эпитаксиальных

слоев и квантоворазмерных структур в системах «Ga – In – As» и «Al –

Ga – As» методами фотоотражения.

218

1999

Зубко С. П. Моделирование свойств виртуальных сегнетоэлек-

триков, входящих в состав узкозонных композитов.

Бондоков Р. Ц. Формирование и свойства границ раздела фото-

чувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца.

Румянцева А. И. Рентгеноспектральный микроанализ оксидов и

халькогенидов элементов II и IV группы.

Лютецкая И. Г. Микропрофилирование композиции методом ре-

активного ионно-плазменного травления.

Лазаренкова О. Л. Моделирование спектров фотопропускания и

фотоотражения квантово-размерных гетероструктур.

Кравченко К. О. Развитие метода эффективной массы для анализа

электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах.

Растегаева М. Г. Омические контакты «металл – карбид кремния».

Орлова Т. А. Исследование контактов «металл – фосфид галлия»

и разработка фотоприемников на их основе.

Афанасьев А. В. Термически- и радиационностойкие контакты

«металл – карбид кремния» для приборов экстремальной электроники.

2000

Решанов С. А. Получение и исследование полуизолирующего мо-

нокристалла карбида кремния.

Богданов А. А. Фотоприемные структуры на основе аморфного

гидрогенизированного кремния.

Четвергов М. В. Структурно-морфологические особенности нит-

рида алюминия в зависимости от условий получения.

2001

Васильева О. В. Получение и исследование высокоиндукционных

магнитодиэлектрических материалов и радиокомпонентов на их основе.

Сысоев А. А. Процессы обработки затравки для выращивания со-

вершенных монокристаллов полупроводникового карбида кремния ме-

тодом ЛЭТИ.

Райская Е. К. Исследование предельных режимов возбуждения

поликристаллических электролюминесцентных излучающих структур.

219

Черемухина И. А. Анализ областей несмешиваемости квазиби-

нарных твердых растворов III-V и II-VI групп.

Тарасов С. А. Исследование фотодиодных структур на основе

фосфида галлия и твердых растворов А

для селективных фотопри-

емников.

2002

Козодаев Д. А. Электретный эффект в структурах «Si – SiO

» и «Si –

SiO

– Si

».

Никитин И. В. Теплофизические свойства микросистем на основе

структур карбида кремния на изоляторе.

Гудовских А. С. Формирование и свойства полупроводниковых

пленок и структур для приемников УФ-излучения.

Писаревский М. С. Влияние процессов фазообразования на фото-

электрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца.

Панкрашкин А. В. Технология и исследование конденсаторных

структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата – титаната

свинца.

2003

Цвелев Е. О. Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs

методом стационарной емкостной спектроскопии.

2004

Иванов А. В. Сегнетоэлектрические тонкопленочные элементы

для электрически управляемых СВЧ-устройств.

Кайгородов В. А. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных

гетероструктур A

/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона.

2005

Голубченко Н. В. Влияние примесей на кинетику и механизмы

процессов окисления слоев селенида свинца при формировании фото-

чувствительных структур.

Максимов А. И. Газочувствительные полупроводнковые нано-

композиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-

гель-технологии.

Лучинин В.В. Физика и технология микро - и наносистем

Подождите немного. Документ загружается.