Fallstudie 12: zu Kapitel 11 Wärmeleitungsprobleme
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Die Verlustleistung im Transistor wird im FE-Modell durch eine Wärmequelle mit konstant
abgegebener Energiemenge an vier Oberflächenknoten des Kühlkörpers simuliert. Es ergibt
sich mit diesen Randbedingungen ein wie im Bild 12.2
dargestellter stationärer Temperatur-
verlauf im Kühlkörper.
4.65E+02
4.62E+02
4.57E+02
4.52E+02
4.49E+02
4.46E+02
4.44E+02
4.42E+02
4.41E+02
4.39E+02
4.38E+02
Bild 12.2: Stationäre Temperaturverteilung im Kühlkörper
Eine Temperatur von 465 °C ist sicher zu hoch für jeden Halbleiter. Sowohl für den Her-
steller als auch für den Anwender ist es aber von großem Interesse abzuschätzen, wie lange
in dem Transistor die in Wärme umgesetzte elektrische Verlustleistung erzeugt werden kann,
bis die für das Halbleitermaterial höchstzulässige Temperatur von 200 °C überschritten und
das elektronische Bauteil zerstört wird.
Daher ist eine zeitabhängige Erwärmung, wie sie im Bild 12.3 dargestellt ist, zu bestimmen.
Zu diesem Zweck ist eine Serie von FE-Rechnungen mit zeitinkrementeller Abstufung
durchzuführen.
Als berechneter Temperaturwert ist jeweils die Temperatur an den Knoten, an denen die
Wärme in den Kühlkörper eingeleitet worden ist, als Referenzwert angenommen worden.
Dabei wird jedoch der Rücken des Transistors betrachtet. Die eigentliche Temperatur im
Inneren des Halbleiters ist jedoch in Wirklichkeit noch ein wenig höher als in Bild 12.3 dar-
gestellt. Dieses gilt insbesondere bei stufenartig einsetzenden Überlasten, wie sie z. B. im
Fall eines Kurzschlusses auftreten würden. Für derartige Fälle wäre es ratsam, den Transistor
ebenfalls im FE-Modell mitzumodellieren.