Подставляя (2.70) в (2.69), мы получаем LDA функционал, который имеет локаль-
ную форму
E
xc
[ρ] =
Z
drρ(r)ε
xc
(ρ) (2.71)
где ε
xc
- обменная и корреляционная энергия на один электрон для взаимодейству-
ющего однородного электронного газа. Эта величина была численно рассчитана с
высокой точностью, причем имеются различные интерполяционные аналитические
формулы. Поэтому подход LDF позволяет конструировать различные локальные по-
тенциалы, учитывающие обмен и корреляцию. Самый простой обменный потенциал
дается xα-выражением (2.61). Это выражение может быть обобщено следующим об-
разом
V
xc
(r) = β(r
s
/a
B
)V
GKS
(r) (2.72)
Таким образом, xα-метод получает обоснование в теории функционала плотности,
причем параметр α зависит от электронной плотности. Значение α изменяется от
2/3 до 0.85, в то время как r
s
увеличивается от нуля (предел высокой плотно-
сти) до значений, которые являются типичными для металлов в межатомной об-
ласти (r
s
/a
B
= 4). Примером интерполяционного приближения является потенциал
Хедина-Лундквиста [73], которому соответствует
β
HL
(z) = 1 + 0.0316z ln(1 + 24.3/z) (2.73)
Приближение функционала локальной спиновой плотности (LSD), которое приме-
няется для рассмотрения магнитных переходных металлов, выглядит как
E
xc
[ρ
↑
, ρ
↓
] =
Z
drρ(r)ε
xc
(ρ
↑
(r), ρ
↓
(r)) (2.74)
Простой LSDA потенциал Барта-Хедина [74] в первом порядке по спиновой поляри-
зации m(r) = n
↑
(r) − n
↓
(r) имеет вид
V
σ
xc
(r) =
1
3
σδ(n)
m(r)
n(r)
V
GKS
(r) (2.75)
где n(r) = n
↑
(r) + n
↓
(r) и параметр δ учитывают эффекты корреляции. В пределе
высокой плотности δ = 1, и δ = 0.55 для r
s
= 4.
LD приближение переупрощает общий DF подход, который основан на теореме
Хоэнберга-Кона. В частности, LDA не принимает во внимание правильной зависимо-
сти ρ
xc
(r, r
0
) от ρ(r) в пустом пространстве (ср. (2.67) с (2.70)). Однако этот метод да-
ет хорошие результаты в случае медленно меняющейся плотности ρ(r). Кроме того,
приближение хорошо работает в пределе высокой плотности, так как оно включает
правильную кинетическую энергию системы в отсутствие взаимодействия.
В оригинальных статьях [70] были сделаны попытки принять во внимание неодно-
родные поправки к LDA, разлагая ρ
xc
по ρ(r). Однако такое разложение дает только
малые вклады и не работает в случае сильно неоднородных электронных систем
(например, для 4f-электронов в редкоземельных элементах и узких d-зон), и поэто-
му, строго говоря, неправомерно для ПM. Другие модификации LDA обсуждаются
в обзоре [72]. Проблема учета мультиплетной структуры в подходе функционала
плотности обсуждается в [75,76].
30