~4
Глава
4.
Физические свойства
нанотруб
Рис.
4.18. И
зображ ени
е
в
а
томно-силовом
микроскопе
(простукивающий
режим)
однослойной
нанотрубы
,
лежащ
ей
между
Pt
электродами
на
Si
/Si02
подложке
(4.42).
в
начале]
998
г.
эта
же
группа
описала
дальнейшее
исследование
одно
стенных
нан
отруб,
в
котором
трубы
были
протестированы
комбинацией
СТМ
и
сканирующей
туннельной
спектроскопией
(СТС).
Прямое
атом
ное
изображение
нанотруб
в
СТМ
показало
разнообразие
нанотрубных
структур
,
что
ранее
обсуждалось
в
Параграфе
3.6.2.
Было
обнаружено
много
хиральных
нан
отруб
и
в
малом
количестве
-
с
кресельной
или
зигзагной
структурами.
Применение
СТС
позволило
определить
одно
мерную
плотность
электронных
состояний
вдоль
трубной
оси
,
определя
емую
по
производной
В-А
кривой
.
Хиральные
трубы
обнаруживались
как
полупроводящими,
так
и
металлическими,
как
и
предсказывалось
теори
ей.
Электронные
свойства
кресельных
и
зиг
загных
труб
также
совпадали
с
теоретическими
предсказаниями,
хотя
для
получения
какого-либо
окончательного
вывода
т
ес
т
и
р
о
в
ал
и
с
ь
только
несколько
и
з э
т
их
структур.
В
том
же
выпуске
Nature
группа
ученых
из
Гарварда
описали
аналогичные
СТМ/СТС-исследования
одностенных"
нанотруб,
полученных
при
лазер
ном
испарении
(4.44).
Пока
эти
две
работы
представляют
собой
наиболее
детальное
исследование,
выполненное
по
электронным
свойствам
нанот
руб
,
и
дают
весьма
ясное
доказательство
того,
что эти свойства
зависят
от
структуры
нанотруб.
Совсем
недавно
появились
еще
две
статьи
по
«приборам»
,
основанным
на
нан
отрубах.
Дельфтская
группа
ученых
описала
полевой
транзистор,
~
4.3.
Электронны
е
свой
ства
нанотруб
165
"'"
~
СОСтоящий
из
одностенной
нанотрубы,
соединенной
с
двумя
электрода,
ми
(4.45).
Такая
нан
отруба
могла
переходить
и
з
проводящего
в
изолиро
ванное
СОСтояние
при
при
ложении
напряжения
к
затворному
электроду.
В
отличие
от
предыдущего
исследования
(4.42)
такое
поведение
наблю
далось
при
комнатной
температуре
.
Несколько
Отличный
тип
«
н
а
н
о
п
р и
бора
»
,
Состоящего
исключительно
из
одной
одностенной
нанотрубы,
не
давно
описан
совместно
группами
СМОЯЛИ
и
Зеттла
и
группой
Хироши
Бандо
и
з
Электротехнической
Лаборатории
Цукубы
в
Японии
(4.30).
В
этой
работе
острие
СТМ
двигал
ось
по
длине
отдельных
труб,
и
были
об
наружены
места
,
где
резко
менялось
поведение
прохождения
тока.
Фак
тически
такие
трубы
прово
дили
ток только
в
одном
направлении
.
Этот
эффект
может
быть
ре
зультатом
присутствия
пентагон-гептагонных
де
фектов,
как,
например
,
в
локтевых
соединених
.
Как
обсуждал
ось
в
4.2.4,
теоретики
предсказывали,
что
подобные
дсффекты
должны
давать
э
т о
т
эффект.
4.3.3.
Допироваяие
нанотрубных
пучков
в
Параграфе
4.] .2.
было
отмечено,
что
допирование
калием
графита
дейст
вует
как
сверхпроводящий
и
нт
е
р
каля
н
т,
а
допирование
твердого
С
6
о
ще
Л
О Ч
Н
Ы
М
и
Металлами
может
при
водить
к
температурам
свехпроводящего
перехода
выше
30
К
(4.]5).
Поэтому
можно
было
ожидать,
что
допирова
нные
пучки
однослойных
нанотруб
будут
обладать
интересными
электрон
ными
свойствами.
Некоторые
первоначальные
измерения
допированных
нанотрубных
жгутов
были
описаны
в
середин
е
1997
г
.
(4.46,4.47).
В
этих
экспериментах
применялись
методики
,
подобные
тем,
что
использовались
в
первых
экспериментах
по
сверхпроводимости
в
допированном
С
6
о
(4.48),
и
было
изучено
допирование
калием
и
бромом.
В
обоих
случаях
наблюда
лось
значительное
до
30
ра
з
понижение
сопротивления.
Также
расширялся
диапазон
положительного
значения
температурного
коэффициента
сопро
тивления
,
(обнаружившего
металлическое
поведение).
Эти
результаты
ин
терпретировались
в
терминах
добавки
(для
К)
или
удаления
(для
Br)
элек
тронной
плотности
в
ОСНОвном
углеродном
каркасе.
В
статье
(4.47)
были
опубликованы эксперименты
по
Раман
(комбина
ционному)
рассеянию
света
на
нан
отрубных
жгутах,
допированных
кали
ем,
рубидием,
йодом
и
бромом
.
Они
дали
дополнительные
доказательства
переноса
заряда
между
д
о п
а
н
т
а
м
и
и
нан
отрубами.