356
ширины ∆T
фп
температуры (энергии dE
фп
) опреде-
ляемого перехода
dРпогл
.(Т1с – Т2с)
= ½ω(χ˝
Т1с
- χ˝
Т2с
)Н
1
2
,
(10)
и на идентифицирующей частоте будет наблюдаться
резонансный процесс производства потока тепла
(энтропии) для фазового перехода II-го рода и флук-
туационный процесс для фазовых переходов I-го
рода. Если фазовый переход осуществляется за счёт
изменения числа частиц только одной группы степе-
ней свободы, термодинамическая энтропия S пред-
ставляется функцией точных значений энергий её
частей и имеет вид ∆- функции. В общем случае
функция энтропии представляется любым сочетани-
ем групп степеней свободы, и наблюдаемый резо-
нансный спектр функции энтропии может уширять-
ся, а его структура усложняться.
Эксперимент
Для осуществления методики разработан способ
[3,8] измерения скорости формирования сигнала
микроволнового поглощения в диэлектрической сре-
де в процессе его теплового (инерционного) возбу-
ждения. Сигнал формируется ИММ диэлектрика в
СВЧ-поле резонатора, выполняющего функцию тер-
мостата, с собственной частотой (≈9,3 ГГц), соизме-
римой с частотой прецессии квазисвободного элек-
тронного спина, на которой регистрируется их мак-
симальная концентрация. Способ реализуется с по-
мощью релаксометра [4] тепловых потерь мощности,
отличительными чертами которого являются ис-
пользование в качестве датчика объёмного СВЧ-
резонатора с температурным блоком, совмещение
импульсного генератора с приёмником, отсутствие
постоянного магнита и новая схема обратной связи.
Измерения проводятся бесконтактным способом,
масса образца ≈ 200 мг, мощность излучения внутри
измерительной камеры ≤100 мквт. Фиксация сигнала
требует выполнения двух условий: 1-связь СВЧ-
резонатора с приводящим трактом всегда меньше
критической, 2- добротность нагруженного резона-
тора меньше добротности пустого резонатора. Воз-
мущение нагруженного СВЧ-резонатора пропорцио-
нально реальной части магнитной проницаемости
образца. Величина амплитуды измеряемого сигнала
в резонаторе при возбуждении вынужденных коле-
баний пропорциональна добротности и обратно про-
порциональна мнимой части комплексной магнитной
проницаемости. Амплитуда сигнала поглощения пу-
стого СВЧ-резонатора, возбуждённого на частоте
собственного резонанса материала образца, меняется
при помещении образца в пучность переменного
магнитного поля СВЧ-резонатора. Ввод в полость
резонатора источника тепла, изменяющего темпера-
туру образца, приводит к деформации резонансной
кривой во времени. Сигнал регистрируется в форме
относительных потерь мощности СВЧ-резонатора в
виде Q(τ) = Ах\Ао(τ)(Дб), где Ах и Ао - амплитуды
сигнала поглощения нагруженного и пустого резона-
тора соответственно, t - время наблюдения спектра.
Результаты и их обсуждение
Предельный фазовый переход изучался на при-
мере фазового сверхпроводящего (СП) перехода,
обусловленного только электронной группой степе-
ней свободы. Ожидалось, что идентифицирующий
его спектр должен иметь вид ∆- функции, поэтому
были проведены измерения на образцах сверхпрово-
дящих и несверхпроводящих составов в системах
иттриевых и висмутовых оксидов меди. Также изме-
рения проведены в металлическом галлии Ga (Тпл.
308 К) с линейной температурной зависимостью
проводимости σ(Τ) по постоянному току и в вана-
диевых бронзах с линейной зависимостью σ(Т) или
скачками проводимости в области 90 К. Измерения
выполнены в интервале температуры 77-310 К.
Установлено [5,7], что в образцах диэлектри-
ков, охарактеризованных по данным σ(Τ)
как сверх-
проводники наблюдается поглощение, сопровож-
дающееся изменением знака производной dQ/dt. Оно
характеризуется 4 параметрами фазового перехода:
амплитудами начального (Ан), конечного (Асп) и
переходного (Ам) состояний и временем наблюдения
t. Для образцов, которые теряют сверхпроводящие
свойства, наблюдается лишь возрастающая ветвь
резонансной кривой. Восстановление СП-свойств
диэлектрика при термической обработке, изменении
состава шихты или легировании, убывающая ветвь
резонансной кривой восстанавливается. Обычно
Ан≠Асп, что вызывается необратимыми тепловыми
потерями при фазовом СП-переходе, они количест-
венно характеризуются величиной ∆А = Ан – Асп.
Параметры поглощения связаны с макроскопически-
ми характеристиками СП-перехода– Тс, ∆Тс и кри-
тической плотностью керамики, необходимой для
наблюдения поглощения. При выполнении условия
Ан ≅ Асп [8] выявлена температурная зависимость
частоты ω
рез
микроволнового поглощения при фазо-
вом СП-переходе в Y-керамике.
∆ ω
рез
≅ (ω
н,рез
– ω
сп. рез
).
(11)
Форма зависимостей динамического микровол-
нового поглощения тождественно представляют вид
зависимости σ(Т)
в
среде: при температурных скач-
ках функции σ(Т) кривая поглощения имеет вид раз-
мытого резонанса [6], а при структурном фазовом
переходе поглощение носит флуктуационный харак-
тер [9].
Идея эксперимента обусловлена особенностью
микроэлектроники диэлектриков, заключающаяся в
том, что линейные размеры аппаратуры сопоставимы
с величиной скин-слоя δ в диэлектриках. Это приво-
дит к относительности деления их характеристик и
свойств на поверхностные и объемные, что важно
при изучении взаимосвязи электромагнитных и теп-
ловых потерь при изменении величины распростра-
нения скорости υ света в диэлектриках, (υ = с⁄√εµ).
Уменьшение её величины по сравнению со значени-
ем скорости распространения света в вакууме приво-
дит к тому, что электромагнитные потери увеличи-