Дисертация
  • формат pdf
  • размер 10.36 МБ
  • добавлен 30 июля 2011 г.
Утас Т.В. Количественный анализ атомной структуры поверхности фаз на кремнии с помощью сканирующей туннельной микроскопии
Диссертация. кандидата физико-математических наук (
01.04.07. - физика конденсированного состояния). - Владивосток, 2006. - 166 с.: ил.

Научная новизна работы. Работа содержит новые экспериментальные и методические результаты, наиболее важные из которых следующие:
1, Разработана методика определения плотности атомов кремния в верхнем атомном слое поверхностных структур. Определены условия, при которых данная методика дает результаты с минимальной ошибкой.
2. Получена информация о составе и структуре поверхности гамма-фазы Аl / Si(111). Для нее предложена атомная модель несоразмерной структуры с доменными границами.
3. Определены положения атомов в поверхностной фазе Si(111) и предложена ее атомная модель.
4. Исследован механизм образования упорядоченного массива магических нанокластеров Аl Si на поверхности. Показано, что структурная модель, предложенная для нанокластеров металлов III группы In и Ga, подходит и для Аl.
о. Определен состав магических нанокластеров InSi на Si(100) и подтверждена ранее предложенная атомная модель кластера In6Si
7. Обнаружена возможность легирования нанокластера с изменением его электронных свойств от полупроводниковых к металлическим.
Похожие разделы
Смотрите также

Вайнштейн Б.К. Электронная микроскопия атомного разрешения

Статья
  • формат pdf
  • размер 2.99 МБ
  • добавлен 04 ноября 2011 г.
Статья. Опубликована в Успехах Физических Наук (Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН) - 1987 г. Май. - Том 152, вып. 1 - с. 75-122 УДК 537.533.35 Электронно микроскопическое изображение. Рассеяние электронов объектом. Кинематическое приближение. Дифракция от кристалла. Функция прохождения. Изображение. Фазовый и амплитудный контраст. Передаточная функция. Светлопольное изображение. Темнопольное изображение. Микродифракция. Просве...

Гоулдстейн Дж., Яковица Х. Практическая растровая электронная микроскопия

  • формат pdf
  • размер 36.5 МБ
  • добавлен 20 мая 2010 г.
М: Мир, 1978, 656 с. В книге подробно изложены различные аспекты растровой электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа. Рассмотрены электронная оптика приборов, взаимодействие электронов с твердым телом, формирование изображения и контраст, проблема разрешения, рентгеновские спектры и количественный микроанализ, методы приготовления образцов, а также ряд более специальных вопросов. Книга представляет интерес для материаловедов, химиков...

Китайгородский А.И. Как измеряются расстояния между атомами в кристаллах

Статья
  • формат rtf
  • размер 105.1 КБ
  • добавлен 31 января 2011 г.
Статья из журнала "Квант" №2, 1978 О рентгеноструктурном анализе атомной структуры кристаллов. В этой статье речь пойдет об атомной структуре кристаллов, под которой понимается узор, создаваемый центрами атомов. Задача этой статьи заключается в том, чтобы познакомить читателя с основными идеями рентгеноструктурного анализа и дать представление о дороге, следуя которой, можно определить структуру кристалла: измерить расстояния между атомами, дать...

Круглов А.В., Голубок А.О. Сканирующая зондовая, спектроскопия и литография

  • формат pdf
  • размер 3.09 МБ
  • добавлен 08 апреля 2011 г.
Москва, НИИФП, ЗАО «НТ-МДТ». - 108 с. В данном учебном пособии представлены лабораторные работы, посвященные изучению методов сканирующей зондовой микроскопии, включая спектроскопические измерения и процессы литографии, а также их применение для исследований и модификации микро- и наноструктур. Учебное пособие предназначено для студентов старших курсов и магистратуры, обучающихся по специальностям: 20200 "Нанотехнология в электронике", 073800 "...

Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии

  • формат djvu
  • размер 7.37 МБ
  • добавлен 19 июня 2010 г.
М., Техносфера 2005 г. 144 стр. Первое учебное пособие на русском языке, охватывающее всю область принципиально новых приборов для изучения поверхности твердых тел и наноструктур – сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ). В книге рассматриваются основные виды СЗМ, нашедшие наиболее широкое применение в научных исследованиях: сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), электросиловая микроскопия (ЭСМ), магнитно-силов...

Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии

  • формат pdf
  • размер 3.17 МБ
  • добавлен 02 февраля 2010 г.
Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений. Российская академия наук, Институт физики микроструктур - г. Нижний Новгород, 2004 г. Книга представляет собой учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений, посвященное одному из самых современных методов исследования поверхности твердого тела – сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). В книге рассматриваются основные виды СЗМ, нашедшие наиболее широкое...

Мюллер Э.В., Цонг Т.Т. Полевая ионная микроскопия

  • формат djvu
  • размер 3.76 МБ
  • добавлен 21 марта 2011 г.
М.: «Наука», 1980 г. , 220 стр. Монография отражает новейшие достижения полевой ионной (автоионной) микроскопии - единственной методики, обеспечивающей прямое наблюдение атомов поверхности твердого тела. Впервые подробно описан атомный зонд — прибор, позволяющий определять химическую природу и пространственное положение любого из атомов образца. Рассмотрены явления полевой ионизации, полевого испарения, лежащие в основе работы полевого ионного ми...

Усанов Д.А., Яфаров Р.К. Исследование поверхности материалов методом сканирующей атомно-силовой микроскопии

  • формат pdf
  • размер 795.29 КБ
  • добавлен 03 августа 2011 г.
Учебное пособие для студ. фак. Нано- и биомедицинских технологий. – Саратов, СГУ, 2006. - 23 с. Учебное пособие представляет собой руководство к практическим занятиям по курсу «Физика полупроводников». Содержит расширенное описание материала, знание которого необходимо при выполнении лабораторной работы по исследованию автоэлектронной эмиссии из металлов и наноуглеродных материалов. Для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микро...

Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок

  • формат djvu
  • размер 2.56 МБ
  • добавлен 14 августа 2010 г.
Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — 344 с, ил. Монография, написанная известными американскими специалистами в области атомных столкновений в твердых телах, посвящена физическим основам и методам использования пучков ионов, электронов и рентгеновского излучения для анализа структуры и состава тонких пленок вещества. Эти методы играют важную роль в развитии современной атомной технологии, особенно в области микроэлектроники. Все вопросы изложены на вы...

Шиммель Г. Методика электронной микроскопии

  • формат djvu
  • размер 7.31 МБ
  • добавлен 08 августа 2010 г.
М., Изд-во «МИР», 1972, 300 с. Книга западногерманского специалиста в области электронной микроскопии Г. Шиммеля представляет собой обзор по методике электронно-микроскопических исследований. После обсуждения общих вопросов электронной микроскопии в ней рассмотрены важнейшие характеристики приборов, способы приготовления реплик, приложение метода для изучения фазового состава, динамики (в том числе количественной оценки) разнообразных процессов....