М.: МГИЭТ(ТУ), 1996, 91 с. Уч. пособие.
Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если размеры этих элементов достигают порядка нанометра, то существеиными становятся квантовые эффекты, принципиально меняющие физику
явлений , лежащих в основе работы приборов. Создание таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе является предметом нанотехнологии .
В пособии изложены физические основы туннельнозондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных микроскопов, показаны основные достижения , обсуждаются проблемы , требующие решения.
Предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, желающих познакомиться с новым научным направлением и попробовать свои силы в развитии технологии 21 века.
Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если размеры этих элементов достигают порядка нанометра, то существеиными становятся квантовые эффекты, принципиально меняющие физику
явлений , лежащих в основе работы приборов. Создание таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе является предметом нанотехнологии .
В пособии изложены физические основы туннельнозондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных микроскопов, показаны основные достижения , обсуждаются проблемы , требующие решения.
Предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, желающих познакомиться с новым научным направлением и попробовать свои силы в развитии технологии 21 века.