Издательство: Техника, 1977. 104 с.
Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов.
Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.
Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов.
Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.