Для плавных переходов
1/3
С
3
= А
2 ,
q*o
e
a
12 (ъ-Щ
(2-71)
Кроме зарядной емкости, р-п переход обладает спе-
цифическим механизмом запасания заряда, который обу-
словлен подвижными носителями заряда в отличие ог
зарядной емкости, обусловленной неподвижными заря-
зами ионизированных акцепторов и доноров. Неосновные
носители заряда, продвигаясь в области полупроводни-
ка противоположного знака электропроводности (на-
пример, дырки в n-области перехода), вызывают приток
основных носителей заряда (электронов в л-области).
Такой приток необходим для сохранения электрической
нейтральности кристалла. Объединенный заряд дырок
и электронов движется диффузионным механизмом под
действием градиента их концентраций, убывая в ре-
зультате рекомбинации. Величина объемного заряда ды-
рок, а следовательно, и компенсирующего заряда элект-
ронов определяется током через переход. При измене-
ниях этого тока с изменением напряжения происходит
перестройка объемных зарядов дырок и электронов, что
фиксируется во внешней цепи перехода как изменение
его емкости. Эта емкость, специфическая для р-п пере-
хода, получила название диффузионной емкости и обоз-
начается С
д
. На эквивалентной схеме емкость С
д
вклю-
чается параллельно зарядной емкости перехода. Следует
отметить, что в этом механизме заряды различных зна-
ков в отличие от зарядов в обычных емкостях простран-
ственно не разъединены.
Общая диффузионная емкость перехода равна сумме
емкостей, обусловленных накоплением зарядов в р- и
«-областях перехода:
1>д
= Сдр
-J-
Ьд
П
,
(2-/2)
так как заряды накапливаются в обеих областях пере-
хода.
* (2-70) выражает емкость п
+
-р перехода. В общем случае
и формулу для емкости перехода входит концентрация примесей
в высокоомной части
40