30
Адресация по принципу линейной выборки.
ПЗУ можно характеризовать по способу адресации матрицы памяти,
которая осуществляется дешифратором адреса памяти. В ПЗУ,
использующих линейную выборку, дешифратор адреса памяти, показанный
на рис 1.25, как правило, является дешифратором типа 1 из N. Выходной
сигнал дешифратора отпирает одну из N числовых линий, каждая из которых
несет M двоичных разрядов информации. Двумерная матрица памяти MxN
подобной структуры называется прямоугольной.
Когда происходит обращение к памяти, дешифратор адреса памяти
подает напряжение (состояние 1) на соответствующую числовую линию
(одну из N). На каждую разрядную линию, соединенную с данной числовой
линией элементом связи, подается напряжение возбуждения, что
соответствует состоянию 1 для этой линии. Разрядные линии, на пересечении
которых с числовой линией отсутствуют элементы связи, находится в
состоянии 0.
Различные варианты ПЗУ с линейной выборкой отличаются в
основном типом используемых элементов связи. В простейших ПЗУ
применяются пассивные схемные элементы – резисторы и конденсаторы. В
случае больших матриц при использовании резисторов возникает ряд
проблем, связанных с явлением затухания сигнала. Рассмотрим, например,
резистивную матрицу 4х4, показанную на рисунке 1.26.
Состояние дешифратора приведено для состояния входного сигнала 10,
который активирует числовую линию W
2
. В результате на выходе получатся
значения 1011. Входное напряжение, подаваемое на буферный усилитель от
разрядной линии B
0
, есть результат деления напряжения считывания V между
резисторами R
1
и R
2
. Поскольку все резисторы одинаковы, это напряжение
равно
2
V
.
Рассмотрим теперь разрядную линию B
1
. В данном случае выходным
напряжением буферного усилителя является напряжение V, поделенное
между R
3
и параллельным соединением R
3
и R
4
и равное
3
V
.
В общем случае легко показать, что максимальная величина
напряжения, подаваемого в качестве единичного сигнала на вход буферного
усилителя, есть
V
V =
max
, (1.4)
где n общее количество резисторов, подсоединенных к рассматриваемой
разрядной линии. Из 1.4 следует, что при больших n, V
max
становится малым,
и тем затрудняется различие состояний 0 и 1.
Рассмотренные проблемы можно значительно упростить, если
использовать нелинейные либо активные элементы. Применение диодов