состояний отличаются. Однако
существует
точка R*, в которой
кривые потенциальной энергии пе_ресекаются. Очевидно, в точ-
ке R* энергии начального (Д~А) и конечного (ДА-) состояний
совпадают. Допустим, что донорно-акцепторный комплекс, на-
ходившийся в состоянии Д~А, перестроился таким образом, что
«го ядерная координата попала в окрестность точки R*. Само
по
себе это необязательно приведет к переносу электрона. Но
в точках, близких к R*, сравнительно невелика ширина барье-
ра туннелирования, отделяющего потенциальные кривые на-
чального и конечного состояний. Поскольку около точки R*
энергии начального и конечного состояний близки, то во время
пребывания системы около R* электрон может успеть протун-
иелировать от Д~ на А. Для закрепления на акцепторе элект-
рон
должен успеть потерять часть своей энергии, чтобы не вер-
нуться таким же образом назад. В свою очередь для этого ядер-
ная
система должна успеть перестроиться так, чтобы часть
электронной энергии ушла в тепло, а вся система приобрела бы
ядерную конфигурацию, соответствующую состоянию ДА~ с ко-
ординатой R
2
. В этом
случае
за время пребывания электрона
на
А ядерная конфигурация изменится так, что система
«сва-
лится» в точку R
2
. В
результате
произойдет необратимый пере-
нос
электрона от Д к А и система перейдет в состояние ДА~.
Ядерная система комплекса ДА, находящегося в исходном
состоянии R
u
может попасть в окрестность точки R* за счет
тепловой активации и перехода на верхние колебательные уров-
ни
исходного состояния, где координаты ядер близки к R*.
Этому процессу соответствует активационный температурно-за-
висимый участок двухфазной кривой переноса электрона. При
низких
температурах ядра находятся на нижних колебательных
уровнях, где ширина барьера
между
потенциальными кривыми
начального и конечного состояний шире, чем на верхних уров-
нях. В этом
случае
существует
меньшая вероятность туннели-
рования ядер в конечное состояние, которая уже не зависит от
температуры.
Таким образом, общая вероятность W туннельного переноса
электрона, сопряженного с перестройкой ядерной системы и
тепловой диссипацией части электронной энергии, складывается
из
двух
частей:
W=W
0
+W
l
e-
n
°>l
k
Б
т
(11.1)
Здесь W
o
— вероятность подбарьерного, не зависящего от
температуры туннелирования с нижних колебательных уровней;
W) — вероятность надбарьерного активационного процесса;
W
0
<^W\,nco
— энергия колебательного кванта, необходимая
для активации переноса.
Электронно-конформационные взаимодействия. Как видно,
туннелирование собственно электрона неотделимо от сопряжен-
ных процессов перестройки ядерной системы. Однако последние
неоднородны по своим масштабам.
117