поверхности металла равен нулю, а его потенциал, измеренный относительно какого-либо
электрода сравнения, называют потенциалом нулевого заряда. Полярные молекулы
растворителя или растворенных нейтральных веществ, как правило, адсорбируются на
электроде таким образом, что средняя нормальная к поверхности составляющая дипольного
момента не равна нулю. Ориентированная адсорбция диполей поэтому также приводит к
образованию адсорбционного двойного электрического слоя. Например, при адсорбции
молекул бутилового спирта из водного раствора на незаряженной поверхности ртути
гидрофобные углеводородные радикалы С
4
Н
9
, несущие положительный заряд диполя,
ориентированы в сторону поверхности, а гидрофильные ОН-группы, на которых
сосредоточен отрицательный заряд, ориентированы в сторону раствора. Адсорбционный
двойной электрический слой может образоваться также и при адсорбции неполярных частиц,
если их донорно-акцепторное взаимодействие с электродом сопровождается возникновением
наведенного дипольного момента (например, при адсорбции на электродах атомов Н или О).
Электронный двойной электрический слой обусловлен квантовомеханическими свойствами
электронов в металлах и полупроводниках. Согласно современным моделям металла как
электронного газа и ионного остова электронный двойной электрический слой связывают с
тем, что электронный газ несколько выходит за пределы ионного остова, что и приводит к
пространственному разделению зарядов. При этом своей положительной обкладкой двойной
электрический слой обращен к металлу, отрицательной - к контактирующей с металлом фазе
(раствору или газу). В полупроводниках из-за малого количества носителей тока (электронов
в зоне проводимости и "дырок" в валентной зоне) при наложении внешнего напряжения
возникает их неравномерное пространственное распределение в поверхностном слое,
которое рассматривают как электронный двойной электрический слой внутри
полупроводниковой фазы. В общем случае двойные электрические слои, вызванные разными
причинами, накладываются друг на друга, что приводит к весьма сложной структуре
границы раздела между электродом и раствором.
Обладая избыточной энергией, мелкие частицы дисперсной фазы стремятся ее
понизить за счет процессов адсорбции молекул или ионов из дисперсионной среды на
твердой поверхности, либо за счет диссоциации молекул или ионных группировок,
расположенных на поверхности частиц дисперсной фазы (процесс агрегации как возможный
путь понижения свободной энергии здесь учитывать не будем). В результате вокруг каждой
частицы формируется ионная атмосфера. Частица с ионной атмосферой является
структурной единицей коллоидного раствора и называется мицеллой. Мицеллярное
строение наиболее характерно для золей, суспензий и эмульсий.
Рассмотрим образование мицеллы на примере золя AgI.
В процессе получения золя по реакции AgNO
3
+ NaI → AgI + NaNO
3
при соблюдении
определенных условий синтеза (разбавленные растворы, интенсивное перемешивание) AgI
формируется не в виде осадка, образованного крупными частицами, а в виде
высокодисперсных (наноразмерных) частиц, которые называют агрегатами. Избыточная
энергия образовавшихся частиц приводит к тому, что на них стремятся адсорбироваться
молекулы воды и присутствующие в растворе ионы.
В общем случае при синтезе реагенты берутся не в строго эквивалентных
соотношениях. Пусть в реакционной смеси имеется избыток AgNO
3
по сравнению со
стехиометрическим количеством. В результате реакции всѐ имеющееся в системе количество
иодид-ионов удаляется из раствора и переходит в нерастворимое соединение. Тогда в
растворе остаются только ионы NO
3
-
, Ag
+
и Na
+
. Возникает вопрос, какие же именно ионы
будут адсорбироваться на агрегате AgI? Теоретически, любые ионы, чей химический
потенциал в растворе выше их потенциала в твердых частицах, будут стремиться
адсорбироваться на поверхности агрегата. Однако логично предположить, что наиболее
«охотно» будут адсорбироваться именно те ионы, которые будут образовывать наиболее
прочную связь с ионами, входящими в состав агрегата. Очевидно, что такими ионами
являются ионы, которые способны достраивать на поверхности частицы кристаллическую