63
и последующие системы подвергаются аналогичному преобразо-
ванию, в результате чего записывается набор уточненных значений
параметров СЕ
g
1
,
g
2
, …..., g
m
, которые будут уточненными значе-
ниями элементов диагональной матрицы проводимостей. На осно-
ве уточненных данных строится точная диагностическая модель.
Таким образом, использование метода постепенных прибли-
жений позволяет, не нарушая целостности ОД, расчетным спосо-
бом определить параметры СЕ, точные данные по которым, как
правило, отсутствуют. Для адаптации моделей электрических це-
пей средней и высокой размерности авторами р
азработана про-
грамма ADAP 400 [93].
Далее рассмотрим использование различных режимов диаг-
ностирования и связанные с ними различные возможности диаг-
ностирования. При диагностировании в режиме постоянного тока
на вход канала диагностирования подается тестовый сигнал по-
стоянного уровня. Подключение диагностируемой электрической
цепи к источнику постоянного тока требует соответствующей ме-
тодики определения ве
личин проводимостей p-n-переходов полу-
проводниковых приборов, используемых при построении диагно-
стической модели ОД.
Исходными данными здесь являются вольтамперные харак-
теристики
p-n-переходов. Однако величины напряжений (и их
полярность) на
p-n-переходах априори не известны (т. к. не из-
вестны номера полюсов отобранных каналов диагностирования).
Это вносит некоторую неопределенность, для снятия которой
возможны следующие подходы:
– выбор малой величины уровня тестового сигнала, позво-
ляющей регистрировать сопротивление постоянному току
p-n-перехода полупроводникового прибора при любой полярно-
сти напряжения, приложенного к нему;
– выбор достаточно высокого уровня тестового сигнала, при
котором определяются прямые и обратные сопротивления
p-n-переходов постоянному току.
В первом случае независимо от выбранных номеров полюсов ка-
налов диагностирования и полярности приложенного напряжения
малая проводимость
p-n-перехода в области начала координат вольт-
амперных характеристик служит признаком его работоспособности.
Во втором случае необходимо учитывать полярность напряже-
ния на
p-n-переходах, а взаимные проводимости полюсов опреде-
64
лять в режиме постоянного тока из вольтамперных характеристик
при известных значениях величин напряжений на полюсах.
В силу того что построенная на определенных таким образом
численных значениях проводимостей СЕ модель будет последст-
вии подвергнута адаптации, в качестве первого приближения при
вычислении параметров СЕ может быть использована гибридная
схема замещения биполярного транзистора, аналитически связан-
ная с сист
емой
h-параметров. Соответственно упрощается схема
замещения транзистора (рис. 2.2), где:
g
бэ
= (1 – h
12э
) / (h
11
– r
б
’
);
g
кб
= h
12э
/ (h
11э
– r
б
’
); r
б
’
.
Следует отметить, что точка 4 (рис. 2.2) недоступна для из-
мерений, но схему можно преобразовать, превратив полюс 4 во
внутренний. Для этого в исходной матрице узловых проводимо-
стей четырехполюсной компоненты вычеркивается 4-я строка
и 4-й столбец, а остальные элементы пересчитываются по формуле:
g
ij
’
= g
ij
– g
ik
g
kj
/ g
kk
. (2.10)
При таком преобразовании, эквивалентном в отношении рас-
пределения потенциалов по полюсам цепи, порядок матрицы уз-
ловых проводимостей цепи понижается на единицу. Понижение
порядка матрицы узловых проводимостей упрощает вычисление
ее определителя и его алгебраических дополнений, т. е. упрощает
определение функций цепи.
С другой стороны, количество уравнений в модели остается
прежним, но параметры СЕ преобр
азованной схемы становятся
взаимозависимыми. Это приводит к тому, что при вариации па-
раметра одной структурной единицы гибридной схемы замеще-
ния необходимо рассматривать вариации параметров сразу трех
СЕ схемы преобразованной. Это выходит за рамки задач поиска
одиночных дефектов методом изовар.
Следовательно, преобразования с целью понижения порядка
матрицы узловых проводимостей компонент целесообразно исп
оль-
зовать при рассмотрении задачи поиска множественных дефектов.
Следует отметить, что использование тестового сигнала ма-
лого уровня упрощает процедуру построения предварительной
диагностической модели, т. к. снимает проблему предварительно-
го определения величин проводимостей
p-n-переходов полупро-
водниковых приборов, но накладывает ограничения на возможно-
сти определения проводимостей реактивных элементов.