152
магнитной восприимчивости свободных электронов, электросопротивления, термоЭДС,
теплоёмкости электронной подсистемы и пр. Действительно, как видно из Рис. 6.3., такое
поведение электросопротивления подтверждается экспериментально.
Взаимодействие магнитного момента электронов в спиново-расщеплённых
подзонах ВСС с магнитным моментом примеси приводит к установлению определённой
их взаимной ориентации. Вообще говоря, такая ориентация может быть как
ферромагнитной, когда моменты
ориентированы одинаковым образом, так и
антиферромагнитной, когда моменты направлены в противоположные стороны. Но на
малых расстояниях, как правило, оказывается более выгодной антиферромагнитная
ориентация. Это означает, что наблюдаемый магнитный момент примеси будет частично
скомпенсирован ВСС-электронами. Однако, большая ширина подзон при умеренных
температурах делают этот эффект почти всегда незначительным.
3.5. Эффект Кондо
Кондо рассмотрел рассеяние электронов проводимости на атоме примеси,
окружённом «шубой» ВСС – электронов. Он обнаружил, что важную роль в рассеянии
играет процесс, схематически показанный на Рис. 7.3. Электрон проводимости со спином
противоположным спину ВСС – электрона налетает на примесь, окружённую «шубой»
локализованных электронов. Он не может принять участие в экранировании, поскольку
примесь вместе «шубой
» уже нейтральны, так, что его появление в составе «шубы»
вызовет увеличение энергии U за счёт кулоновского отталкивания. Однако, в результате
взаимодействия с «шубой» он выбивает один из электронов «шубы» на уровень Ферми и
занимает его место, одновременно изменяя ориентацию спина примеси, так, что общий
спин системы сохраняется. В итоге, на уровне
Ферми оказывается электрон с
«опрокинутым» спином. Поскольку направление вылета такого электрона не определено,
то и импульс его также не определён. Следовательно, ему соответствует локализованное
состояние. Вклад одного такого акта рассеяния в общую плотность состояний ничтожно
мал, однако, когда концентрация примеси становится достаточно большой (сравнимой с
общей концентрацией атомов в кристалле),
это приводит к формированию зоны
локализованных состояний непосредственно на уровне Ферми, как это показано на
Рис.8.3.
Поскольку дополнительные состояния возникают непосредственно на уровне
Ферми, то в них попадают электроны, определяющие явления переноса. Ясно, что эффект
может наблюдаться только в том случае, если размытие уровня Ферми, которое
составляет ~ kT оказывается меньше ширины Кондо
-пика (по имени исследователей,