200
И. М. Ковенский, В. В. Поветкин. Металловедение покрытий
ющий максимальных величин в интервале 20—60 А/дм
2
, оказывает
влияние на отражательную способность, микротвердость и проч¬
ность осадков. Беспорядочный компонент текстуры имеет в том же
интервале минимальное значение.
Поверхность текстурированных покрытий, как правило, об¬
разована гранями, одинаково наклоненными к плоскости подлож¬
ки, причем индексы этих граней и индексы оси текстуры взаимо¬
связаны. При изменении оси текстуры осадков в зависимости от
условий электролиза меняется форма кристаллитов и соотноше¬
ние выходящих на поверхность кристаллографических граней. Из¬
вестно, что скорость растворения металла по разным кристалло¬
графическим направлениям различна, и с увеличением ретику¬
лярной плотности граней, выходящих на поверхность электроли¬
тического осадка, защитные свойства покрытий улучшаются. Так,
скорость анодного растворения осадков никеля в зависимости от
типа их текстуры увеличивается в следующей последовательности:
<111> <100> <210>. Защитные свойства электролитических
осадков кобальта с ГПУ возрастают с изменением текстуры в пос¬
ледовательности: <1010> <1120> <1011> <0001>. Преиму¬
щественная ориентация кристаллитов в направлении <0001> в цин¬
ковых покрытиях также обеспечивает большую коррозионную ус¬
тойчивость, чем текстура <1010>.
Таким образом, создавая определенную текстуру, можно зна¬
чительно улучшать защитные и декоративные свойства гальвано¬
покрытий, повышать их износостойкость, прочность, твердость и
ряд других физико-механических свойств. При этом необходимо
иметь в виду, что процессы упорядочения структуры, протекаю¬
щие в покрытиях в послеэлектролизный период, в ряде случаев
приводят к изменению ориентации кристаллитов и, соответствен¬
но, их свойств. Так, при старении блестящих медных покрытий,
полученных из сернокислого электролита с органическими добав¬
ками, в них значительно увеличивается доля кристаллитов, имею¬
щих ориентацию <100>, и резко уменьшается доля кристаллитов
с ориентацией <311>. Изменения в соотношении компонент тек¬
стуры обычно сопровождаются увеличением размера субзерен, сни¬
жением плотности дислокаций и уменьшением уровня микроис¬
кажений. В процессе упорядочения структуры покрытия уменьша¬
ются микротвердость и износостойкость. Время, в течение которо¬
го изменяются субструктура, текстура и свойства покрытий, тем
Глава 3. Структура и свойства электролитических покрытий
201
больше, чем выше в них концентрация неметаллических приме¬
сей, в частности углерода.
В настоящее время для объяснения механизма текстурообра¬
зования используют две теории: зарождения текстур и геометри¬
ческого отбора. Согласно первой, направление оси преимуществен¬
ной ориентации кристаллитов в электроосажденных металлах оп¬
ределяется типом двухмерных зародышей, возникающих на като¬
де в конкретных условиях электролиза. По этой теории рассчитаны
значения работ образования двухмерных зародышей различных
кристаллографических граней и определены вероятности появле¬
ния преимущественных ориентации кристаллитов в зависимости
от величины перенапряжения.
Чем меньше работа образования двухмерного зародыша, тем
больше вероятность его возникновения. Поэтому при увеличении
перенапряжения катода последовательность образования двухмер¬
ных зародышей по кристаллографическим граням будет иметь вид:
(111), (100), (110), (113), (210) для ГЦК решетки; (110), (112), (310),
(111) для ОЦК решетки; (0001), (1011), (1120), (1010), (1122) для
ГПУ решетки; (100), (110), (101) для тетрагональной решетки.
Однако указанные последовательности изменения оси тек¬
стуры нарушаются в тех случаях, когда рост кристаллитов невоз¬
можен в режиме двухмерного зародышеобразования или сопро¬
вождается процессами адсорбции посторонних веществ.
По теории геометрического отбора (или роста) текстура раз¬
вивается из неориентированного слоя на подложке и совершен¬
ствуется с утолщением осадка. Из хаотически ориентированных
зерен на подложке в результате отбора остаются только те, у кото¬
рых кристаллографическое направление максимальной скорости
роста совпадает с направлением подвода ионов к катоду. Причем
это направление является нормалью к подложке. Ось текстуры оп¬
ределяется габитусом свободно растущих кристаллитов и устойчи¬
востью (или неустойчивостью) плоского фронта роста изотроп¬
ного осадка. При получении покрытий в условиях неустойчивого
фронта роста, характерных для электрокристаллизации металлов,
ось текстуры направлена по наиболее длинной диагонали свобод¬
но растущего кристалла.
Теория роста, по существу, является феноменологической,
поскольку устанавливает связь между огранкой, габитусом крис¬
таллитов и направлением их преимущественной ориентации. Be-