262
граница и др.), то образуется дислокационная конфигурация –
скопление дислокаций. Это группа одноименных дислокаций,
скользящих в одной кристаллографической плоскости и останов-
ленных у барьера.
Следует кратко остановиться на том, почему при напряжении,
действующем в одном и том же направлении, дислокация изгиба-
ется таким образом. Это происходит в результате того, что исход-
ная чисто краевая дислокация (см. рис. 2.55), изгибаясь, превраща-
ется в смешанную, содержащую также участки с краевой и винто-
вой ориентацией. Краевые, винтовые и смешанные участки дисло-
кации, как было рассмотрено выше, перемещаются по определен-
ному направлению по отношению к вектору Бюргерса b, что и оп-
ределяет такое движение дислокации при выгибании.
Производительность источника, изображенного на рис. 2.55, в
принципе, не ограничена. Но поскольку петли не уходят за преде-
лы зерна, их поля, в конце концов, создают напряжения на базе
АВ меньше критического: испустив дислокации, источник оста-
новится. У границ зерна наблюдали серии в несколько десятков
дислокаций, вышедших из одного источника. Источник может,
испустив 10–20 дислокаций, «развалиться» (поле приводит в дви-
жение ветвь, служившую «опорой» в точке закрепления). Так
или иначе, он прекращает работу под действием поля либо соб-
ственной серии дислокаций, либо дислокаций от других источ-
ников.
На замкнутой площадке критическое напряжение размножения
от источника может определяться не его базой АВ, а некото-
рым (меньшим) расстоянием от А или В до препятствия С (рис.
2.57,а), непреодолимого для дислокации. Поэтому, в частности,
длина базы не может быть более 1/3 диаметра зерна d в плоскости
скольжения. В однополюсном источнике дислокация с одной за-
крепленной точкой А вращается, «наматываясь» в спираль и по-
рождая не связанные друг с другом полупетли, если дислокации
где-то выходят на свободную поверхность кристалла (рис. 2.57,б).
Такой источник может иметь большую базу (до d /2) и соответст-
венно меньшее критическое напряжение, чем двухполюсный внут-
ри зерна.