кристалла. Поле сил, распределенных на поверхности тела, не на-
растает вглубь тела, а поле дислокации нарастает как r
–1
. Поправка
существенна лишь там, где до поверхности ближе, чем до оси дис-
локации, и в большинстве задач пользуются выражением для поля
в бесконечной среде. Также малы поправки и когда оси дислокации
выходят на поверхность.
Условия на поверхности важны, когда дислокация движется к
поверхности (или от нее). Для дислокации в полупространстве яс-
но, что энергия всего поля убывает с приближением ее к поверхно-
сти (чем ближе граница к оси дислокации, тем большая часть поля
заменена пустотой). Следовательно, дислокация притягивается к
свободной поверхности. Силу притяжения вычисляют, как в элек-
тростатике, как «силу изображения» от фиктивной «дислокации
зеркального отражения» в бесконечной среде.
Все выражения для поля дислокации имеют вид σ ~ 1/r. Они яв-
но неприемлемы вблизи оси дислокаций, поскольку предсказывают
σ → ∞ при r → 0. Во-первых, деформации е ~
b
π4
найдены в при-
ближении линейной упругости, которое верно лишь при малых де-
формациях (e ≤ 0,05), т.е. при
3≥
b
r
. Поэтому, кроме упругого по-
ля, следует отдельно рассматривать ядро дислокации – область
около оси радиусом r
0
~ (2 – 3)b, где линейная теория упругости
неприменима. Во-вторых, в ядре не применимо и само приближе-
ние упругой среды: размеры ядра соизмеримы с межатомными рас-
стояниями b. Надо исследовать парные взаимодействия, «сшив»
поле смещений по периметру ядра
U(r) с известным упругим полем
U(r) вне ядра, чтобы найти энергию ядра и напряжение τ
п
– силу
Пайерлса, достаточную для смещения оси ядра на период
b (усло-
вие старта прямолинейной дислокации при температуре Т = 0).
Энергия дислокации. Так как вокруг дислокации существует
поле напряжений, следует предположить, что с дислокацией связа-
на энергия искажения. Она равна работе, выполненной при образо-
вании дислокации. Общую энергию искажений можно разделить на
две части – упругую энергию и энергию ядра дислокации, т.е.
Е = Е
упр
+ Е
яд
.
236