каф. ЭИКТ ЭЛТИ ТПУ
45
В технологиях высокочастотного нагрева используются электромаг-
нитные волны в диапазоне 150 кГц
÷ 500 МГц. Иначе эти воздействия
называются токами высокой частоты (ТВЧ).
1.2. Индукционный нагрев металлов
Метод индукционного нагрева основан на открытом Фарадеем
явлении электромагнитной индукции, которое состоит в том, что при
помещении проводника в магнитное поле, по нему протекает ток, и воз-
никает Э.Д.С.:
8
10Фnf44,4E
⋅⋅⋅⋅=
[В], (3)
где
Е— электродвижущая сила, В;
f—частота электрического тока, Гц;
n—число витков проводника (индуктора);
Ф — магнитный поток, [Вб].
В проводящем контуре (проводнике) существование Э.Д.С. индук-
ции приводит к появлению индукционного тока (вихревые токи Фуко),
направление которого всегда таково, что создаваемое им магнитное по-
ле препятствует изменению магнитного потока, вызывающего индукци
-
онный ток. Индукционный ток наводит ЭДС в той же цепи, где он про-
текает, поэтому данное явление называется
самоиндукцией. Эти токи,
проходя по проводнику, нагревают его. Причиной поверхностного эф-
фекта являются вихревые токи, возникающие в результате действия пе-
ременного магнитного поля на заряженные частицы. Сила, действую-
щая на электрический заряд, движущийся в магнитном поле называется
силой Лоренца. Она направлена всегда перпендикулярно к скорости
движения заряженной частицы, т.е. является
центростремительной си-
лой. В результате этого заряженная частица движется по окружности.
Если на движущийся электрический заряд кроме магнитного поля дей-
ствует и электрическое поле, то результирующая сила, приложенная к
заряду, равна векторной сумме силы, действующей на заряд со стороны
электрического поля и силы Лоренца. Таким образом, заряженная час-
тица в объёме
проводника совершает движение по спирали. Количество
теплоты, выделяемое в единицу времени вихревыми токами, пропор-
ционально квадрату частоты магнитного поля. Таким образом, коэффи-
циент поглощения электромагнитного поля (k) в металлах определяется
генерацией вихревых токов и выражается следующей формулой:
ρ
πµ
2f
k
⋅⋅
=
, (4)
где f - частота поля;