В первой половине 50-х годов XX в перед Физико-техническим
институтом им. А. Ф. Иоффе была поставлена задача создать
отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в
отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача:
получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе
плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова Жореса Ивановича
были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые
германиевые приборы. Открытие Ж. И. Алфёровым идеальных
гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции»,
электронного и оптического ограничения в гетероструктурах –
позволило также кардинально улучшить параметры большинства
известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые,
особенно перспективные для применения в оптической и квантовой
электронике.