Чебаненко А.П., Зубрицкий С.В., Каракис Ю.Н. Полупроводниковые диоды. Часть 1

Одесса: Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015. — 60 с. Методические указания написаны в соответствии с действующей ныне программой дисциплины «Приборы твёрдотельной электроники». Цель данного издания – помочь студентам специализации «Физика полупроводников и диэлектриков» в их самостоятельной работе над соответствующими курсами. Указания призваны выработать у студентов навыки самостоятельной экспериментальной работы, а также применять теоретические знания для решения практических задач. Для студентов 4-го курса физического факультета специализации «физика полупроводников и диэлектриков». Введение
P-n-переходы в полупроводниках и их свойства
P-n-переход в условиях равновесия
P-n-переход при наличии внешнего напряжения
Вольт-амперная характеристика идеального р-n-перехода
Исследование параметров выпрямительных полупроводниковых диодов (ЗАДАЧА 1)
Вольт-амперные характеристики (ВАХ)
Вольт-фарадные характеристики (ВФХ)
Экспериментальная установка и методика измерений
Порядок измерений
Обработка результатов
Изучение импульсных характеристик диода (ЗАДАЧА 2)
Переключение диода из прямого направления в запорное
Включение диода
Выключение диода
Экспериментальная установка
Порядок измерений и обработка результатов
Исследование опорного диода (ЗАДАЧА 3)
Пробой электронно-дырочного перехода
Стабилитроны и их параметры
Измерительная установка
Порядок измерений
Обработка результатов
Изучение характеристик туннельных диодов (ЗАДАЧА 4)
P-n-переход в вырожденном полупроводнике
Вольт-амперные характеристики туннельного диода
Параметры туннельного диода
Экспериментальная установка
Порядок измерений
Обработка результатов
Изучение работы фотодиода (ЗАДАЧА 5)
Основные уравнения фотодиода
Анализ основных характеристик фотоэлементов
Экспериментальная установка
Порядок измерений
Обработка результатов
Список рекомендованной литературы