• формат jpg
  • размер 102.23 МБ
  • добавлен 17 марта 2011 г.
Барвинок В.А., Богданович В.И. Физические основы и математическое моделирование процессов вакуумного ионно-плазменного напыления
В монографии рассмотрены физические основы и математическое моделирование процессов, происходящих при получении покрытий вакуумным ионно-плазменным методом. Основное внимание уделено процессам транспортировки плазмы металлов в разреженной газовой среде, электрообмену движущейся плазмы с поверхностью твердого тела и кинетике гетерогенного плазмохимического синтеза покрытий из ускоренных плазменных потоков.
На основе новых физических представлений дано объяснение эффекта низкотемпературного синтеза сверхтвердых соединений на поверхности твердого тела. Уточнены классические методики расчета макроскопических констант скоростей реакций хемосорбции, диссоциации и десорбции.
Приведен фактический обширный материал по реализации покрытий в промышленности.
Монография предназначена для научных и инженерно-технических специалистов, занятых в области получения покрытий, взаимодействия плазмы с поверхностью твердого тела и гетерогенного синтеза, а также для преподавателей, аспирантов и студентов университетов и вузов. – М.: Машиностроение, 1999. – 309 с.
Похожие разделы
Смотрите также

Беграмбеков Л.Б. Процессы в твердом теле под действием ионного и плазменного облучения

  • формат pdf
  • размер 7.94 МБ
  • добавлен 03 ноября 2011 г.
Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2008. — 196 с. В учебном пособии излагаются основные закономерности и физические механизмы процессов, вызванных облучением ионами и плазмой в твердых телах, и затем рассматриваются те изменения рельефа, состава и структуры, к которым, в конечном счете, приводит ионно-плазменное воздействие. В последних главах анализируются особенности радиационно-стимулируемых изменений твердых тел различных типов: металлов, сплавов,...

Ивановский Г.Ф. Ионно - Плазменная обработка материалов

  • формат djvu
  • размер 82.41 МБ
  • добавлен 12 июля 2010 г.
М.: Радио и связь, 1986, 232 стр. Рассматриваются физико-химические основы и принципы применения ионно-плазменной обработки материалов в вакууме с целью очистки их поверхностей, травления на поверхности структур субмикронного размера, а также получения пленочных покрытий различных материалов. Анализируются основные закономерности и теоретические представления о процессах ионно-плазменной обработки, рассматриваются характеристики оборудования дл...

Котов Д.А. Исследование вольтамперных характеристик интегрированной ионно-плазменной системы

Статья
  • формат pdf
  • размер 249 КБ
  • добавлен 23 мая 2011 г.
Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, 2003, т.1, №2, с.78-82. Интегрированная система ионно-ассистированного магнетронного распыления была разработана для расширения возможностей управления параметрами осаждаемых пленок. Преимуществом предлагаемого способа нанесения является высокая скорость роста покрытия с заданной структурой и соответственно физико-химическими свойствами. Приведена схема устройства и результаты исследований вольтамперных харак...

Кузьмичев А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления

  • формат pdf
  • размер 11.38 МБ
  • добавлен 24 июня 2010 г.
Рассмотрены физические основы магнетронного распыления и разновидности магнетронных систем для нанесения тонких пленок и покрытий различного назначения, в том числе системы с усиленной ионизацией газовой среды и импульсные магнетронные распылительные системы. Для научных и инженерно-технических работников, аспирантов и студентов высших технических заведений, специализирующихся в области электронных физико-технических устройств и ионно-плазменных...

Пупышев А.А., Данилова Д.А. Атомно-эмиссионный спектральный анализ

  • формат pdf
  • размер 64.8 МБ
  • добавлен 27 марта 2010 г.
Пупышев, Данилова - Атомно-эмиссионный спектральный анализ с индуктивно связанной плазмой и тлеющим разрядом по гримму Рассмотрены физические основы тлеющего разряда и особенности разряда с плоским катодом, широко применяемого в спектральном анализе Содержание: 1. Тлеющий разряд постоянного тока 2. Тлеющий разряд по Гримму - физические основы - конструкции спектрального источника - катодное распыление материала пробы - влияние основных опер...

Савкин К.П. Определение максимальной эффективности извлечения ионов из плазмы вакуумного дугового разряда

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 449.83 КБ
  • добавлен 27 мая 2011 г.
Приведены результаты определения максимальной эффективности извлечения ионов из плазмы вакуумного дугового разряда для следующих катодных материалов: C, Mg, Al,Ti, Co, Cu, Zr, Cd, In, Sn, Sm, Ta, W, Pt, Pb, Bi. Показано, что в зависимости от катодного материала значения нормированных ионных токов Аi изменяются от 5 до 19%. На основе полученных Аi определены значения коэффициентов удельной ионной эрозии Вi для исследованных материалов без влияния...

Становский A.JI., Тонконогий B.М. Математическое моделирование процесса нанесения ионно-плазменных покрытий на режущий инструмент

Статья
  • формат pdf
  • размер 210.4 КБ
  • добавлен 31 марта 2011 г.
Статья. Труды Одесского политехнического университета, 2004, вып. 2(22)., с.1-6 Представлено математичну модель технології К1Б у внгляді днференцийних рівнянь енергетичного та масового балансу під час нанесення покриття. Виконано індентифікцію параметрів моделі. Наведено приклади розв'язання рівнянь та побудови передавальних функцій окремих ланок моделі процесу. Аннотация на укр., статья на русск.

Тарала В.А., Шевченко Е.Ф. Исследование газофазного осаждения пленок аморфного углерода с ионно-плазменной стимуляцией процесса

Статья
  • формат pdf
  • размер 221.83 КБ
  • добавлен 09 июня 2011 г.
Статья. Опубликована в Материалы XХХIХ научно-технической конференции по итогам работы профессорско-преподавательского состава СевКавГТУ за 2009 год. Том 1. Естественные и точные науки. Технические и прикладные науки. Ставрополь: СевКавГТУ, 2010. 2с. Прямое осаждение пленок непосредственно из пучков ионов является идеальным процессом, поскольку позволяет управлять энергией частиц осаждаемого материала [1,2]. Однако для реализации этого процесса т...

Цветков И.В. Применение численных методов для моделирования процессов в плазме

  • формат pdf
  • размер 688.44 КБ
  • добавлен 16 октября 2009 г.
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2007. 84 с. Математическое моделирование процессов является важным инструментом в научных, технических и технологических исследованиях. Дан-ное учебное пособие рассматривает все сложившиесяна данный момент основные численные методы математического моделирования процессов в плазме, отмечены преимущества и недостатки каждого, дано их сопоставление и очерчены рамки применимости. Уделено большое внимание реализации этих...

Ohno S., Kawaguchi Y., Miyamura A. etc. High rate deposition of tin-doped indium oxide films by reactive magnetron

  • формат pdf
  • размер 231.59 КБ
  • добавлен 18 ноября 2009 г.
Приведены результаты исследования применения метода оптической эмиссионной спектроскопии плазмы магнетронного разряда для оптимизации процесса магнетронного реактивного напыления оксидов индия-олова