рис.6.11). Пусть открыты тиристоры VS1 и VS2. Ток проходит через фазы дви-
гателя «а» и «с». Конденсатор С
13
заряжен с положительным зарядом на верх-
ней обкладке. При подаче отпирающего импульса на тиристор VS3 он открыва-
ется, и образуется короткозамкнутый контур С
13
-VSl-VS3- С
13
, по которому
происходит перезаряд конденсатора С
13
. Под действием тока перезаряда тири-
стор VS1 закроется, и ток далее будет протекать через тиристор VS3, фазы «в»
и «с» двигателя и тиристор VS2. Полярность заряда конденсатора С
13
изменит-
ся на обратную. Затем открывается тиристор VS4 и ток переходит с фазы «с»
на фазу «а» (в обратном направлении) и т.д. За время периода заданной частоты
происходит 6 коммутаций тиристоров, в результате чего по обмоткам статора
двигателя будет протекать трехфазный переменный ток заданной частоты.
Величина тока контролируется регулятором тока РТ, в
соответствии с
выходным сигналом которого изменяется угол управления тиристорами и на
выходе выпрямителя UD устанавливается необходимая величина выпрямлен-
ного напряжения. Выходная частота преобразователя определяется блоком
управления вентилями инвертора БУИ в соответствии с заданием частоты.
Достоинствами инвертора тока являются относительная простота схе-
мы, возможность ее реализации на тиристорах, что позволяет выполнять пре-
образователи на большую мощность и высокое напряжение. В приводах с ин-
вертором тока возможен режим рекуперативного торможения. Для этого, не
изменяя направление тока в звене постоянного тока, управляемый выпрямитель
переводится в инверторный режим (угол а устанавливается больше π/2).
Недостатками инверторов тока является несинусоидальная форма тока в
обмотках статора, а также невозможность
питания от одного преобразователя
нескольких асинхронных двигателей. Из-за несинусоидальности формы тока
при f
1
<5Гц теряется равномерность вращения ротора, что ограничивает диапа-
зон регулирования скорости электропривода по схеме рис.6.11.
В настоящее время большинство преобразователей изготавливаются по
схеме автономного инвертора напряжения. Это связано с появлением полно-
стью управляемых силовых полупроводниковых приборов: IGB - транзисторов