114
транзистора
T
1
уменьшается. Этот потенциал приложен также к базе транзистора
T
2
, и
поэтому прямое смещение этого транзистора уменьшается, что вызывает уменьшение его
проводимости. С уменьшением проводимости транзистора
T
2
отрицательный потенциал
его коллектора возрастает, что приводит к росту
отрицательного потенциала на базе транзистора
T
1
. Этот потенциал увеличивает прямое смещение
транзистора
T
1
, благодаря чему еще больше
возрастает его проводимость и соответственно
возрастает падение напряжения на
R
1
и еще
больше уменьшается отрицательный потенциал
коллектора. Последнее еще больше уменьшает
прямое смещение
T
2
и его проводимость, что
приводит к дальнейшему увеличению
отрицательного потенциала коллектора
T
2
и к
дополнительному увеличению прямого смещения
(отрицательного потенциала) на базе транзистора
T
1
. В результате протекания описанных процессов
в течение короткого интервала времени
транзистор
T
1
оказывается в полностью
проводящем состоянии (состоянии насыщения), а
транзистор
T
2
– закрытым.
Такое устойчивое состояние будет сохраняться до тех пор, пока к резистору
R
5
не
будет приложен запускающий импульс. Запускающий импульс должен иметь
положительную полярность, причем при его подаче увеличивается положительный
потенциал на базе каждого транзистора. Однако транзистор
T
2
уже закрыт, и
положительный потенциал (обратное смещение) не оказывает на него действия. Для
транзистора же
T
1
положительный потенциал, приложенный к его базе, создает обратное
смещение, запирающее транзистор. При запертом транзисторе падение напряжения на
резисторе
R
1
не образуется, и отрицательный потенциал коллектора транзистора
T
1
становится равным напряжению источника питания. Так как коллектор транзистора
T
1
через резистор
R
2
связан с базой транзистора
T
2
, то высокий отрицательный потенциал,
приложенный к базе транзистора
T
2
,
создает значительное прямое смещение, отпирающее
транзистор. В этом случае на резисторе
R
4
, включенном последовательно с коллектором
транзистора
T
2
,
появляется большое падение напряжения, в результате чего
отрицательный потенциал коллектора падает до низкого значения. Поэтому
отрицательное напряжение, приложенное к базе транзистора
T
1
через резистор
R
3
, также
уменьшается, что поддерживает транзистор
T
1
в закрытом состоянии. Таким образом,
транзистор
T
1
полностью запирается, а транзистор
T
2
находится в состоянии насыщения.
Это состояние является устойчивым. По приходе следующего положительного импульса
на
R
5
осуществляется переброс схемы и ее возврат в исходное состояние, при котором
транзистор
T
1
оказывается в состоянии насыщения, а транзистор
T
2
заперт.
Изменения выходного напряжения при подаче запускающих импульсов
получаются на коллекторах обоих транзисторов, что может быть использовано, например,
для запуска других триггеров. Вследствие того, что выходное напряжение с приходом
каждого запускающего импульса изменяет свою полярность, последовательно с
C
4
можно
включить диод с тем, чтобы в последующий каскад передавались только положительные
импульсы тока. Поэтому один выходной импульс получается на каждые два входных
запускающих импульса.
На рис.7.17 приведена схема RS-триггера, который имеет раздельные входы
установки R и S. В схеме в принципе возможно состояние электрического равновесия, при
котором оба транзистора
T
1
и
T
2
открыты (работают в активном режиме), коллекторные
токи равны друг другу и все напряжения постоянны. Однако это состояние является
неустойчивым. Если предположить, что коэффициент петлевого усиления двухкаскадного
усилителя, замкнутого в петлю положительной обратной связи, превышает единицу, то
Рис.7.16
к
E
4
C
1
C
2
T
1
T
2
C
4
R
7
R
5
R
6
R
2
R
3
R
Выход
1
R
1
D
2
D
3
C
запуска
импульсаВход