109
В результате прямое напряжение на эмиттерном переходе транзистора
T
2
уменьшится и
ток через
T
1
также уменьшится, что вызовет уменьшение падения напряжения на
резисторе
R
2
. Коллектор транзистора T
2
становится более положительным, то есть на нем
появляется сигнал, находящийся в противофазе с сигналом на коллекторе
T
1
. Таким
образом, данный усилитель представляет собой парафазный усилитель.
Если выходной сигнал снимается с коллектора транзистора
T
1
, то схема
представляет собой однотактный инвертирующий усилитель. Если же выходной сигнал
снимается с коллектора
T
2
, то схему можно рассматривать как однотактный
неинвертирующий усилитель.
Сигнал можно подавать на две базы (рис.7.12б); в этом случае вход схемы
называют дифференциальным. Выходной сигнал (рис.7.12в) можно снимать с коллектора
транзистора
T
1
или
T
2
, а также с обоих коллекторов для получения симметричного выхода
относительно земли.
Важной характеристикой дифференциального усилителя является характеристика
передачи напряжения при действии синфазного сигнала одновременно на оба входа. Если
на вход усилителя поступают сигналы помехи, такие, как пульсации источника питания,
сигналы наводки, обусловленные влиянием паразитных связей, излучения и т.д., то
такие
сигналы находятся в фазе на обоих входах, так что на эмиттерном резисторе
R
3
действует
разностный сигнал. Синфазные сигналы взаимно ослабляются, не оказывая заметного
воздействия на полезный усиливаемый сигнал. По этой причине дифференциальный
усилитель мало чувствителен к наводкам переменного тока. Когда такие наводки
появляются на обоих входах одновременно, они взаимно подавляются.
Лучшие характеристики дифференциального усилителя получаются на хорошо
подобранной паре транзисторов и коллекторных резисторов. Наилучшей стабильности и
оптимальных характеристик можно достичь, если увеличить величину сопротивления
общего резистора в цепи эмиттера, поскольку в этом случае этот элемент ведет себя как
источник постоянного тока с большим внутренним сопротивлением. В результате
ослабляется связь между входными и выходными цепями транзисторов. Однако при этом
вследствие большого падения напряжения на
R
3
необходимо значительно увеличить
напряжение источника питания.
Для улучшения характеристик можно использовать отдельный источник тока.
Характеристики усилителя тем лучше, чем выше внутреннее сопротивление источника
тока. Если в схеме на рис.7.12а высокое значение сопротивления источника тока
получают путем увеличения
R
3
, то в схеме на рис.7.12г этого достигают другим способом.
В последнем случае используют дополнительные транзистор и резистор. В схеме на
рис.7.12г, соответствующей схеме транзистора с ОБ, выходное сопротивление для
постоянного тока в коллекторной цепи транзистора
T
3
весьма велико – значительно
больше
R
3
. Это позволяет уменьшить величину сопротивления R
3
, в результате чего
уменьшаются падения напряжения и рассеиваемая мощность на R
3
, а также потребляемая
мощность по сравнению с аналогичными параметрами для схемы на рис.7.12а.
Известны другие, более совершенные схемы построения источников постоянного
тока. В этих схемах вместо резистора
R
4
применяют диод со специально подобранными
характеристиками, который способен компенсировать изменение смещения транзистора
T
3
, вызываемое нестабильностью температуры.
7.5.1 Интегральные операционные усилители
Термин «операционный усилитель» первоначально использовался для обозначения
набора высококачественных усилителей постоянного тока, на которых строились
аналоговые вычислительные машины. Эти усилители предназначались для реализации
выполняемых при аналоговых вычислениях математических операций (суммирование,
масштабирование, вычитание, интегрирование и так далее). Современные операционные
усилители исполняются в интегральном виде и, как правило, находят применение в
низкочастотной усилительной аппаратуре.