
Ширина
границ
может
колебаться
от
2
д
о
1
О
нм.
К
настоящему
времени
нано-
и
субмикроскопическая
С1рУК1)'ра
в
ходе
ИПД
получена
в
Al, Fe, Mg,
W, Ni, Ti
и
в
разЛИЧНЫХ
сплавах.
Основным
недостатком
наноструктурных
материалов,
полученных
методом
ипд,
является
нестабильность
их
структуры
при
нагреве.
Так
,
температура
их
рекристаллизации
оказывается
существенно
ниже
температуры
рекристаллизации
чистых
металлов
,
а
скорость
роста
зерен
в
процессе
кристаллизации
может
быть
аномально
высокой
.
Наноструктурные
материалы
могут
быть
получены
из
аморфных
сплавов
или нестехиометрических
металлических
материалов
с
ВЫСОКОЙ
плотностью
дефектов
посредством
низкотемпературного
01ЖИга
[5,40].
На
уменьшение
размеров нанокристаллнгов
благоприятно
влияет
предварительная
деформация
аморфных
сплавов
,
что
позволяет
получать
наноструктуры
с
размерами
частиц
4...5
нм
(5].
Нанопорошки
в
основном
предназначены
для
создания
объемных
материалов
с
нанокристаплической
структурой
.
В
ряду
наноматериалов
большое
место
занимают
материалы
на
основе
пленок,
имеющие
нанометровые
размеры
хотя
бы
в
одном
измерении
.
Тонкопленочные
наноразмерные
СТРуК1)'ры
играют
значительную
роль
в
создании
таких
высокодисперсных
систем
,
как
адсорбенты
и
катализаторы
,
наполнители
КОМПОЗИЦИОННЫХ
материалов,
мембранные
системы
и
др
[23].
В
последнее
время
интерес
к
поверхностным
нанеструктурам
значительно
возрос
в
связи
с
перспективами
использования
их
в
микро-,
опто-
и
акустоэлектронике,
Выделилось
новое
перспективное
направление
электроники
-
наноэпекгроника
,
использующая
в
работе
приборов
низкоразмерные
структуры
с
квантовыми
эффектами
[44].
Более
подробно
об
использовании
подобных
материалов
будет
сказано
в
следующих
разделах,
а
здесь
мы
кратко
остановимся
на
основных
методах
получения
тонкопленочных
нанеразмерных
структур
.
В
технологиях
создания
поверхностных
наноструктур
преобладают
питаксиальные
методы
-
ориентированное
наращивание
тонких
пленок
на
монокристаллических
подложках
.
В
настоящее
время
наиболее
распространенными
способами
их
получения
являются
молекулярно
лучевая
эпитаксия
(МВЕ
- Molecular
Веат
Epitaxy)
и
методика
осаждения
пленок
из
металло-органических
соединений
(МОУРЕ
-
Меtаlогgапiс
Уарог
Phase Epitaxy),
известная
также
как
МОС-гидридная
технология
[44-
47] .
МВЕ -
это
процесс
испарения
и
конденсации
вещества
из
моле~лярныx
или
атомных
пучков
в
сверхвысоком
вакууме
(P<lO'
Па)
.
Фактически
МВЕ
представляет
собой
усовершенствование
обычного
способа
напыления
металлических
пленок
испарением
в
вакууме.
35