Двойникование связано с нарушением порядка в расположении атомов, в
результате которого внутри двойниковой области структура является зер-
кальным отображением структуры решетки вне этой области. Двойникова-
ние происходит в определенной кристаллографической системе {hkl}
<иvw>, отличающейся в большинстве случаев от системы скольжения, при
силах сдвига, превосходящих определенное критическое напряжение двой-
никования. В чистых, сильнодеформированных при комнатной (и более
высокой) температуре металлах с г. ц. к. решеткой и большой ЭДУ (Аl, Ni)
двойники практически не образуются, однако в сильнолегированных твер-
дых растворах на основе этих металлов вероятность их образования велика.
Для большинства материалов с о. ц. к. решеткой двойникованис в значи-
тельной мере наблюдается только при низкотемпературной деформации при
(—100) — (—200° С).
Скольжение может происходить в одной или нескольких из возможных
систем в зависимости от их ориентации по отношению к осям напряжений.
Оно начинается при условии, что касательное скалывающее напряжение (τ)
в данной системе скольжения превосходит определенное для данного мате-
риала и режима деформации критическое напряжение сдвига τ
кр
.
Для малых степеней и относительно невысоких гомологических ' темпе-
ратур деформации скольжение начинается в одной, первичной системе, для
которой напряжение τ раньше всего превзойдет τ
к
p. При повышении темпе-
ратуры или степени деформации в скольжении начинают участвовать новые
из возможных систем, т. е. развивается множественное (мультиплетное)
скольжение, которое возникает у границ зерен и распространяется посте-
пенно по объему зерен. При этом могут также инициироваться дополни-
тельные системы скольжения, например развиваться неоктаэдрическое
скольжение в плоскостях {100} для металлов с г. ц. к. решеткой. Для мате-
риалов с малой ЭДУ множественное скольжение облегчается наличием око-
ло границ зерен плоских скоплений дислокаций.
При одноосном осесимметричном растяжении в одной системе скольже-
ния, приводящем к аксиальной текстуре, величина τ определяется формулой
Боаса—Шмида: τ= |σ|соs η соs φ, где σ — вектор внешнего напряжения, а η и
φ — углы между σ и соответственно нормалью к плоскости скольжения (hkl)
и направлением скольжения [UVW] . Очевидно, что первичной системой
скольжения оказывается та, для которой ориентационной фактор (соs η соs
φ) максимален, т. е. для которой τ при меньшем внешнем напряжении σ дос-
тигает величины τ
кр
.
При дорекристаллизационном нагреве (возврате) деформированного ма-
териала снижается концентрация дефектов, перераспределяются дислока-
ции. В некоторых случаях возврат сопровождается по-лигонизацией — про-
цессом, при котором образуется новая дислокационная структура, представ-
ляющая собой совокупность отдельных субзерен (полигонов), отделенных
друг от друга малоугловыми границами (до нескольких градусов). Внутри
этих субзерен плотность дислокаций меньше, чем в их границах. В ходе
возврата эта неравномерность в распределении дислокаций возрастает при
общем снижении плотности дислокаций, а углы между субзернами, согласно
1
Гомологической температурой называют отношение данной температуры
к температуре плавления по абсолютной шкале.
179