Министерство образования Российской Федерации.
Московский государственный институт электроники и математики.
(технический университет).
Кафедра электроники и электротехники.
МОСКВА 2002.
Составители: доктор техн. наук К. О. Петросянц, канд. техн. наук Н. И. Рябов, канд. техн. наук И. А. Харитонов.
Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов. Метод. указания к лаб. работе по электронным и микроэлектронным курсам. /Моск. гос. и-т электроники и математики; Сост.: К. О. Петросянц, Н. И. Рябов, И. А. Харитонов. М. , 2002 - 14 с.
Московский государственный институт электроники и математики.
(технический университет).
Кафедра электроники и электротехники.
МОСКВА 2002.
Составители: доктор техн. наук К. О. Петросянц, канд. техн. наук Н. И. Рябов, канд. техн. наук И. А. Харитонов.
Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов. Метод. указания к лаб. работе по электронным и микроэлектронным курсам. /Моск. гос. и-т электроники и математики; Сост.: К. О. Петросянц, Н. И. Рябов, И. А. Харитонов. М. , 2002 - 14 с.