Е. Ю. Салита; Омский гос. ун-т путей сообщения. Омск,
2008. 157 с
Изложены теоретические сведения о свойствах элементарных частиц и закономерности их движения, понятия квантовой механики и теории излуче-ния, электронной теории твердого тела и электропроводности полупроводни-ков. Рассмотрены основы теории электронно-дырочного перехода (p-n-перехода), принципы действия, параметры, характеристики, конструкции и схемы включения различных полупроводниковых приборов силовой электроники.
Конспект лекций предназначен для студентов очной и заочной форм обу-чения специальности 190401 (101800) – «Электроснабжение железных дорог». Может быть полезен при проведении занятий со слушателями Института по-вышения квалификации и переподготовки кадров (ИПКП)
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Предмет электроники, ее роль в науке и технике
Полупроводниковые приборы
Электрические свойства полупроводниковых материалов
Механизм электрической проводимости полупроводников
Собственная проводимость
Примесная проводимость
Электронно-дырочный переход (ЭДП)
Технологии изготовления ЭДП
Сплавная технология
Диффузионная технология
ЭДП при отсутствии внешнего напряжения
ЭДП при прямом напряжении
ЭДП при обратном напряжении
Механизм установления обратного тока при включении обратного
напряжения
Полупроводниковые диоды
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода
Параметры полупроводниковых диодов
Предельный ток
Перегрузочная способность
Номинальное напряжение
Повторяющийся импульсный обратный ток
Прямое падение напряжения (прямое импульсное напряжение)
Статическое и динамическое сопротивления
Температурный режим
Емкость ЭДП и частотные характеристики
Виды пробоев ЭДП
Зеннеровский пробой
Лавинный пробой
Тепловой пробой
Поверхностный пробой
Основные типы полупроводниковых диодов
Устройство точечных диодов
Устройство плоскостных диодов
Условное обозначение силовых диодов
Условное обозначение маломощных диодов
Конструкция штыревых силовых диодов
Лавинные диоды
Конструкции таблеточных диодов
Стабилитрон
Туннельный диод
Обращенный диод
Варикап
Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
Транзисторы
Распределение токов в структуре транзистора
Схемы включения транзисторов. Статические ВАХ
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Схема включения транзистора как усилителя электрических
сигналов
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Краткие характеристики схем включения транзистора. Области
применения схем
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Режимы работы транзистора
Работа транзистора в ключевом режиме
Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
Силовые транзисторные модули
Параметры биполярных транзисторов
Классификация и система обозначений (маркировка) транзисторов
Полевые транзисторы
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Вольт-амперные характеристики полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Основные параметры полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Полевые транзисторы с изолированным затвором
МДП-транзисторы со встроенным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом
Достоинства и недостатки полевых транзисторов
Технологии изготовления транзисторов
Биполярные транзисторы с изолированным затвором
(IGBT-транзисторы)
Силовые модули на основе IGBT-транзисторов
Тиристоры
Назначение и классификация
Диодные и триодные тиристоры
Переходные процессы при включении и выключении тиристора
Переходные процессы при включении тиристора
Переходные процессы при выключении тиристора
Основные параметры тиристоров
Маркировка силовых тиристоров
Лавинные тиристоры
Симметричные тиристоры (симисторы)
Полностью управляемые тиристоры
Специальные типы тиристоров
Оптотиристоры
Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
Тиристоры ТД (динамические)
Тиристоры ТБ (быстродействующие)
Тиристоры ТЧ (частотные)
Тиристор, проводящий в обратном направлении (асимметричный)
Тиристор с обратной проводимостью (тиристор-диод)
Комбинированно-выключаемый тиристор (КВК)
Полевой тиристор
Конструкции тиристоров
Групповое соединение полупроводниковых приборов
Неравномерности распределения нагрузки при групповом
соединении
Параллельное соединение полупроводниковых приборов
Последовательное соединение полупроводниковых приборов
Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых
приборов
Охлаждение силовых полупроводниковых приборов
Способы охлаждения полупроводниковых приборов
Воздушное естественное и принудительное охлаждение
Испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем
Сравнение систем охлаждения
Библиографический список
2008. 157 с
Изложены теоретические сведения о свойствах элементарных частиц и закономерности их движения, понятия квантовой механики и теории излуче-ния, электронной теории твердого тела и электропроводности полупроводни-ков. Рассмотрены основы теории электронно-дырочного перехода (p-n-перехода), принципы действия, параметры, характеристики, конструкции и схемы включения различных полупроводниковых приборов силовой электроники.
Конспект лекций предназначен для студентов очной и заочной форм обу-чения специальности 190401 (101800) – «Электроснабжение железных дорог». Может быть полезен при проведении занятий со слушателями Института по-вышения квалификации и переподготовки кадров (ИПКП)
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Предмет электроники, ее роль в науке и технике
Полупроводниковые приборы
Электрические свойства полупроводниковых материалов
Механизм электрической проводимости полупроводников
Собственная проводимость
Примесная проводимость
Электронно-дырочный переход (ЭДП)
Технологии изготовления ЭДП
Сплавная технология
Диффузионная технология
ЭДП при отсутствии внешнего напряжения
ЭДП при прямом напряжении
ЭДП при обратном напряжении
Механизм установления обратного тока при включении обратного
напряжения
Полупроводниковые диоды
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода
Параметры полупроводниковых диодов
Предельный ток
Перегрузочная способность
Номинальное напряжение
Повторяющийся импульсный обратный ток
Прямое падение напряжения (прямое импульсное напряжение)
Статическое и динамическое сопротивления
Температурный режим
Емкость ЭДП и частотные характеристики
Виды пробоев ЭДП
Зеннеровский пробой
Лавинный пробой
Тепловой пробой
Поверхностный пробой
Основные типы полупроводниковых диодов
Устройство точечных диодов
Устройство плоскостных диодов
Условное обозначение силовых диодов
Условное обозначение маломощных диодов
Конструкция штыревых силовых диодов
Лавинные диоды
Конструкции таблеточных диодов
Стабилитрон
Туннельный диод
Обращенный диод
Варикап
Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
Транзисторы
Распределение токов в структуре транзистора
Схемы включения транзисторов. Статические ВАХ
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Схема включения транзистора как усилителя электрических
сигналов
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Краткие характеристики схем включения транзистора. Области
применения схем
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим коллектором
Режимы работы транзистора
Работа транзистора в ключевом режиме
Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
Силовые транзисторные модули
Параметры биполярных транзисторов
Классификация и система обозначений (маркировка) транзисторов
Полевые транзисторы
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Вольт-амперные характеристики полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Основные параметры полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Полевые транзисторы с изолированным затвором
МДП-транзисторы со встроенным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом
Достоинства и недостатки полевых транзисторов
Технологии изготовления транзисторов
Биполярные транзисторы с изолированным затвором
(IGBT-транзисторы)
Силовые модули на основе IGBT-транзисторов
Тиристоры
Назначение и классификация
Диодные и триодные тиристоры
Переходные процессы при включении и выключении тиристора
Переходные процессы при включении тиристора
Переходные процессы при выключении тиристора
Основные параметры тиристоров
Маркировка силовых тиристоров
Лавинные тиристоры
Симметричные тиристоры (симисторы)
Полностью управляемые тиристоры
Специальные типы тиристоров
Оптотиристоры
Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
Тиристоры ТД (динамические)
Тиристоры ТБ (быстродействующие)
Тиристоры ТЧ (частотные)
Тиристор, проводящий в обратном направлении (асимметричный)
Тиристор с обратной проводимостью (тиристор-диод)
Комбинированно-выключаемый тиристор (КВК)
Полевой тиристор
Конструкции тиристоров
Групповое соединение полупроводниковых приборов
Неравномерности распределения нагрузки при групповом
соединении
Параллельное соединение полупроводниковых приборов
Последовательное соединение полупроводниковых приборов
Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых
приборов
Охлаждение силовых полупроводниковых приборов
Способы охлаждения полупроводниковых приборов
Воздушное естественное и принудительное охлаждение
Испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем
Сравнение систем охлаждения
Библиографический список